下载空白掩模、光掩模以及半导体器件的制造方法的技术资料

文档序号:36373387

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本实施方式涉及空白掩模等,上述空白掩模包括透光基板及位于上述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括过渡金属、氧及氮中的至少一种。遮光膜表面包括将上述遮光膜表面横纵三等分切割而形成的九个区域。遮光膜表面具有在上述九个区域中分别测量的Rsk值,上述Rs...
该专利属于SKC索密思株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过SKC索密思株式会社授权不得商用。

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