掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种掩模坯料(100)，利用由氮化硅系材料形成的单层膜构成的遮光膜(2)具有对于ArF曝光用光的较高的遮光性能，并且能够降低遮光膜的图案的EMF偏差。掩模坯料在透光性基板(1)上具备遮光膜。遮光膜对于ArF曝光用光的光学浓度为3.0以上。遮光膜对于ArF曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)、式(2)和式(3)所限定的关系，n≦0.0733

【技术实现步骤摘要】
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法
[0001]本申请是申请日为2018年2月28日，申请号为201880016943.X，专利技术名称为“掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及掩模坯料、使用该掩模坯料制造的转印用掩模及使用了转印用掩模的半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0003]一般而言，在半导体器件的制造工序中，采用光刻法进行微细图案的形成。另外，在该微细图案的形成中，通常使用多张转印用掩模。将半导体器件的图案进行微细化时，不仅需要形成于转印用掩模的掩模图案的微细化，还需要光刻中使用的曝光用光源的波长的短波长化。就半导体器件制造时使用曝光用光源而言，近年来从KrF准分子激光(波长248nm)向ArF准分子激光(波长193nm)的短波长化不断发展。
[0004]转印用掩模中的一种是半色调型相移掩模。半色调型相移掩模的相移膜中广泛使用硅化钼(MoSi)系材料。但是，如专利文献1中所公开，近年来判明MoSi系膜对于ArF准分子激光的曝光用光(以下，称为ArF本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模坯料，在透光性基板上具备遮光膜，其特征在于，所述遮光膜是利用由硅和氮构成的材料形成的单层膜，或者是利用由选自半金属元素及非金属元素中的一种以上的元素、硅及氮构成的材料形成的单层膜，所述遮光膜对于ArF准分子激光的曝光用光的光学浓度为3.0以上，所述遮光膜的所述衰减系数k为2.6以下，所述遮光膜的所述折射率n为0.8以上，所述遮光膜对于所述曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)、式(2)和式(3)所限定的关系，n≦0.0733
×
k2+0.4069
×
k+1.0083
···
式(1)，n≧0.0637
×
k2－0.1096
×
k+0.9585
···
式(2)，n≧0.7929
×
k2－2.1606
×
k+2.1448
···
式(3)。2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其特征在于，所述遮光膜的除所述透光性基板侧的表层和与所述透光性基板相反的一侧的表层之外的区域的厚度方向上的氮含量的偏差为5原子％以内。3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其特征在于，在所述遮光膜上具备由含有铬的材料构成的硬质掩膜。4.一种转印用掩模，在透光性基...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷口和丈，宍户博明，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：