[课题]本发明提供一种用于在锂离子二次电池的正极活性物质粒子的表面覆盖具有良好的Li离子导电性的Li4SiO4(原硅酸锂)的、含有锂和硅且水溶液的吸光度低的水溶液及其制造方法、以及使用该水溶液的、具有含原硅酸锂的覆盖层的锂二次电池用正极...

[课题]本发明提供一种含有铌的多酸根离子、锂离子和磷酸根离子的水溶液及其制造方法，所述水溶液在锂离子二次电池的正极活性物质粒子的表面用作为固体电解质的含有铌、锂和磷的覆盖层覆盖时，能抑制被覆盖的正极活性物质的比表面积的增大，并且具有优异...

提供相对于固体电解质粉末含有0.7～5质量％的Li、8～60质量％的Nb、1.0～30质量％的P，余量中除了氧、即O以外的非氧余量的含量相对于固体电解质粉末为10质量％以下，且微晶直径为100nm以下的固体电解质粉末及其相关技术。

提供一种Sm‑Fe‑N系磁性粉体，其由对矫顽力的提高有利的微小尺寸的粒子构成、并且杂质少，对于粘结磁体的性能提高、制造性提高有用。Sm‑Fe‑N系磁性粉体，是由以Sm、Fe、N作为主成分的粒子构成的粉体，具有如下组成：Sm与Fe的摩尔比...

提供微细粒子和粗大粒子的含量充分地减少、并且粒子形状接近圆球、适于磁记录介质用途的铁系氧化物磁性粉。将包含3价铁离子、或者3价铁离子和将Fe位点的一部分置换的金属元素的离子的原料溶液和用于中和上述原料溶液的碱水溶液添加到反应体系中，使反...

提供一种具有优异的耐反复性、即便是高充放电倍率其充放电循环特性也优异的金属负极及其制作方法以及使用了该金属负极的二次电池。一种金属负极，其是用于二次电池的金属负极，具备：活性物质部，其在充电时生成金属，在放电时生成前述金属的氧化产物，且...

提供一种包层材料及其制造方法，所述包层材料即使通过加压加工进行冲裁(施加比热冲击更高的剪切力)，也能够防止发生开裂或剥离。在将表面形成有Cu皮膜的石墨粉末烧结而得的Cu‑石墨层(12)的各面上，放置至少一个面上形成有由选自Co、Ti、P...

银纳米线的制造方法，其是在溶解了银化合物的醇溶剂中使银以线状还原析出的银纳米线的制造方法，其特征在于，在溶解有氯化物、溴化物、碱金属氢氧化物、铝盐及具有乙烯基吡咯烷酮和二烯丙基二甲铵(Diallyldimethylammonium)盐单...

本发明涉及锂-过渡金属氧化物粉体的制造方法。提供一种锂-过渡金属氧化物粉体的制造方法，其特征在于，所述锂-过渡金属氧化物粉体由表面的一部分或全部被含有铌酸锂的被覆层被覆的锂-过渡金属氧化物颗粒形成，所述制造方法包括下述工序：得到混合物的...

本申请涉及硫属化合物粉和硫属化合物糊剂以及它们的制造方法。在得到硫属化合物的膜状结晶时，有形成由Cu、In、Ga构成的金属膜并进行Se化处理的方法，但该方法中膜的均匀性和生产率存在问题。利用以低成本得到含有Cu-In-Ga-Se的纳米颗...

本发明提供固体电解质被覆正极活性物质粉末，该锂离子二次电池用正极活性物质的最外层表面附近存在的过渡金属量非常低。包含在由Li与过渡金属M的复合氧化物构成的锂离子二次电池用正极活性物质的粒子表面具有Li1+XAlXTi2-X(PO4)3、...

本发明目的在于得到平均粒径为0.05μm以上且不足3μm的焊料粉末。通过如下的焊料粉末的制造方法，可得到例如平均粒径为0.05μm以上且不足3μm的焊料粉末，该焊料粉末的制造方法具有：在容器中投入固体金属或液体金属、非水系溶剂和直径0....

提供一种锂‑过渡金属氧化物粉体以及含有该锂‑过渡金属氧化物粉体的锂离子电池用正极活性物质，该锂‑过渡金属氧化物粉体在锂‑过渡金属氧化物颗粒表面的一部分或全部形成有含有铌酸锂的被覆层、并且压粉体电阻低。提供一种锂‑过渡金属氧化物粉体，其由...

提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050℃以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝AlxGa1-xN组分的良好...

在得到硫属化合物的膜状结晶时，有形成由Cu、In、Ga构成的金属膜并进行Se化处理的方法，但该方法中膜的均匀性和生产率存在问题。利用以低成本得到含有Cu-In-Ga-Se的纳米颗粒的方法，可以得到均匀性高的硫属化合物的膜状结晶，但其电阻...

在得到硫属化合物的膜状结晶时，有形成由Cu、In、Ga构成的金属膜并进行S?e化处理的方法，但该方法中膜的均匀性和生产率存在问题。利用以低成本得到含有Cu-In-Ga-Se的纳米颗粒的方法，可以得到均匀性高的硫属化合物的膜状结晶，但硫属...

本发明提供使利用电弧放电刚合成的粗制煤中几乎不含石墨、通过简单的精制就能够制造的高纯度的碳纳米管及其制造方法。将使用以非晶态碳为主成分的阳极实施电弧放电生成的包含碳纳米管的煤在大气中以350℃以上的温度加热使其燃烧氧化，然后浸泡于酸中进...

公开不仅在生长温度为１０５０℃下或低于１０５０℃的ＡｌＧａＮ、ＧａＮ或ＧａＩｎＮ的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Ａｌ组成的ＡｌｘＧａ１－ｘＮ的情况下，都具有良好的结晶性的第ＩＩＩ族氮化物半导体外延基板、第ＩＩＩ族氮化物半导体元件和...

本发明涉及银粉及其制造方法。在含银离子的水反应体系中加入还原剂，还原沉积出银颗粒后，干燥银颗粒获得银粉，该银粉在高于１００℃但低于４００℃温度进行热处理。热处理后的银粉在５０－８００℃的最大热膨胀系数不大于１．５％，且银粉由５０℃加热至...

本发明涉及一种球形银粉，它即使用于形成要在６００℃或更低的低温下进行烧制以便形成导体的糊膏时，也具有优良的可分散性，而且能够获得优良的烧结度。本发明还涉及：将含有还原剂的水溶液加入到含有银离子的水反应体系中，通过还原的方式沉积银粒子，形...