球形银粉及其制造方法技术

技术编号:3727897 阅读:127 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种球形银粉,它即使用于形成要在600℃或更低的低温下进行烧制以便形成导体的糊膏时,也具有优良的可分散性,而且能够获得优良的烧结度。本发明专利技术还涉及:将含有还原剂的水溶液加入到含有银离子的水反应体系中,通过还原的方式沉积银粒子,形成这样的球形银粉:其微晶的直径Dx(nm)与BET比表面积(m↑[2]/g)的比率(Dx/BET)为5-200,微晶直径不大于40nm,平均粒度不大于5微米,振实密度不小于2g/cm↑[3],BET比表面积不大于5m↑[2]/g。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的来说涉及一种。具体地说,本专利技术涉及一种用于形成电子零件、电路板图案等的终端电极的。
技术介绍
为了形成电子零件等的电极和电路,已经使用了导电糊膏,其中银粉分散于有机组分中。导电糊膏通常分为金属陶瓷类型糊膏(或要烧制的类型糊膏)和聚合物类型的糊膏(或树脂类型糊膏)。金属陶瓷类型糊膏具有与聚合物类型糊膏不同的用途和组分。一种典型的金属陶瓷类型糊膏包括银粉、含有乙基纤维素的载体或溶解于有机溶剂中的丙烯酸树脂、玻璃粉、无机氧化物、有机溶剂、分散剂等组分。金属陶瓷类型糊膏这样形成形成进行浸渍或印刷,以便具有预定的图案,然后,烧制形成导体。这样的金属陶瓷类型糊膏用于形成混杂IC、多层陶瓷电容器、片形电阻器等的电极。金属陶瓷类型糊膏的烧制温度根据其用途而变化。有这样的情形其中金属陶瓷类型糊膏在高温下烧制到耐热陶瓷基材例如用于混杂IC的氧化铝基材或玻璃-陶瓷基材上,形成导体。也有这样的情形其中金属陶瓷类型糊膏在低温下烧制到耐热性较低的基材上。如果糊膏在银熔点960℃以下尽可能高的温度下烧制,那么银烧结体的阻抗值就会下降。但是,除非使用适于烧制温度的银粉,否则会引起各种各样的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种球形银粉,其中微晶的直径Dx(nm)与BET比表面积(m↑[2]/g)的比率(Dx/BET)为5-200。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:尾木孝造藤野刚聡
申请(专利权)人:同和控股集团有限公司
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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