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TDK株式会社专利技术
TDK株式会社共有5143项专利
磁阻效应器件及传感器制造技术
本发明提供一种磁阻效应器件及传感器,其在直流信号的输出特性上优异。该磁阻效应器件具备磁阻效应元件、第一信号线路、输出端口,所述磁阻效应元件具备第一强磁性层、第二强磁性层、夹在所述第一强磁性层和所述第二强磁性层之间的间隔层,所述第一信号线...
磁场检测装置和电流检测装置制造方法及图纸
本发明的一种实施方式的磁场检测装置具备:磁阻效应元件和线圈。线圈包含第一阶层部分和第二阶层部分,并且通过供给电流可以对磁阻效应元件形成沿着第二轴向施加的感应磁场,该第一阶层部分和第二阶层部分在第一轴向上以夹着磁阻效应元件的方式相对。第一...
磁传感器装置及其制造方法、以及旋转动作机构制造方法及图纸
本发明涉及磁传感器装置及其制造方法、以及旋转动作机构。磁传感器装置具备:第一面和位于其相反侧的第二面、以及相对于第一面倾斜的第一倾斜面和第二倾斜面;用于检测第一~第三轴方向的磁的第一~第三磁传感器部;以及信号处理部,其基于从第一~第三磁...
电流传感器及其制造方法、电控制装置、以及电流传感器的设计方法制造方法及图纸
本发明的电流传感器具备能够检测磁的磁检测部、第一磁屏蔽和第二磁屏蔽,第一磁屏蔽具有在第一屏蔽部及其两端部附近的各个连续的两个第二屏蔽部,第二磁屏蔽具有在第三屏蔽部及其两端部附近的各个连续的两个第四屏蔽部,在第一和第三屏蔽部之间,存在导体...
全固体二次电池制造技术
一种全固体二次电池(100),其包括正极层(1)与负极层(2)隔着固体电解质层(3)叠层而成的叠层体(20)、第一外部端子(6)和第二外部端子(7),叠层体(20)具有与叠层方向平行的第一侧面(21、23)和与叠层方向平行且与上述第一侧...
全固体电池制造技术
本发明涉及一种全固体电池。该全固体电池的特征在于,具备:正极集电体层、正极活性物质层、固体电解质层、负极活性物质层以及负极集电体层,所述正极活性物质层包含正极活性物质,所述负极活性物质层包含负极活性物质,所述负极活性物质包含下述通式(I...
磁传感器及其制造方法技术
本发明一边抑制磁传感器的制造成本的增大,一边尽量减小传感器芯片的元件形成面与聚磁体的间隙,并且控制间隙的大小,以使产品间的偏差收敛于一定的范围内。本发明提供一种磁传感器,具备:以元件形成面(20a)相对于基板(2)垂直的方式搭载的传感器...
合金薄带、层叠芯制造技术
本发明的合金薄带(100)是包含以金属作为主成分的合金薄带,在至少一个主面(100a)具有凹部(101),凹部的深度D1是平均厚度D的5%以上且75%以下。上且75%以下。上且75%以下。
电极和锂离子二次电池制造技术
本发明提供一种高温环境下的循环特性优异的电极和锂离子二次电池,该电极具有包含活性物质、导电助剂和粘合剂的活性物质层,上述活性物质包含以锂过渡金属氧化物为主成分的活性物质颗粒,上述活性物质颗粒具有芯部和包覆上述芯部的外周部的至少一部分的包...
软磁性合金、磁芯、磁性部件及电子设备制造技术
本发明提供一种软磁性合金,其具有良好的软磁特性。该软磁性合金包含Heywood径的平均值为5.0nm以上且25.0nm以下的纳米晶体,纳米晶体的平均圆形度为0.50以上且0.90以下。晶体的平均圆形度为0.50以上且0.90以下。
铁氧体烧结磁铁及旋转电机制造技术
本发明得到一种铁氧体烧结磁铁,其具有高的剩余磁通密度(Br)及高的矫顽力(HcJ),能够以更低成本进行制作。所述铁氧体烧结磁铁包含A、R、Fe及Co,并且具有能够表示成A
铁氧体烧结磁铁及旋转电机制造技术
本发明得到一种铁氧体烧结磁铁,其具有高的剩余磁通密度(Br)及高的矫顽力(HcJ),制造稳定性良好,能够以更低成本进行制作。所述铁氧体烧结磁铁包含A、R、Fe及Co,并且具有能够表示为A
磁信号检测芯片、检测卡及核酸检测装置制造方法及图纸
本发明提供了一种磁信号检测芯片、检测卡及核酸检测装置。在该磁信号检测芯片中,多个感测单元布置在磁信号检测芯片的感测区域内,多个输出焊盘布置于感测区域外且分别位于感测区域的两侧。进一步地,以感测区域的沿着化学流体的流动方向延伸的中心线为界...
磁信号检测芯片、检测卡及核酸检测装置制造方法及图纸
本发明提供了一种磁信号检测芯片、检测卡及核酸检测装置。在该磁信号检测芯片中,流感测组件延伸通过流路。流感测组件包括引线部和位于相邻的引线部之间的缺口部,缺口部位于流路中且引线部的至少与缺口部邻接的部分暴露于化学流体,使得当化学流体遍及缺...
电光器件制造技术
本发明涉及一种电光器件。电光器件具有光波导以及配置于光波导上的上部电极,光波导在平面上折返而形成,上部电极通过光波导的折返而具有相邻的相邻部,在相邻部间的相较于上部电极更上位的上位层具有金属层。或者,电光器件具有多个马赫曾德尔光波导,马...
光调制器制造技术
本发明涉及一种光调制器。光调制器具备基板、形成于基板上的光波导、经由第一缓冲层而形成于光波导上且对光波导施加调制信号的信号电极、以及经由第二缓冲层而形成于光波导上且对光波导施加DC偏压的偏压电极,第一缓冲层和第二缓冲层以在第一缓冲层和第...
温度检测电路、气体检测装置与温度检测方法制造方法及图纸
本发明公开了一种温度检测电路、气体检测装置与温度检测方法,其中温度检测电路包括:热敏电阻,定时器IC,固定电阻,电连接器,第一电容器,自激振荡电路,低通滤波器,差分放大器,A/D转换器。气体检测装置还包括加热装置和微控制器。通过上述各模...
光电器件制造技术
本发明提供一种光电器件,其具备:基板;光波导,由在所述基板上以脊状形成的光电材料膜构成;缓冲层,覆盖所述光波导而设置;以及上部电极,经由所述缓冲层设置于所述光波导上,所述缓冲层在所述光波导上的所述上部电极侧具有凹陷。根据本发明的光电器件...
光电器件制造技术
本发明提供一种光电器件,其具备:基板;设置于所述基板上的规定区域并由铌酸锂或铌酸钽形成的光波导膜;缓冲层,与所述光波导膜邻接而形成;以及电极,对所述光波导膜施加电场,在所述规定区域外具备未透光的光波导膜。根据本发明的光电器件,能够抑制光...
压电元件、压电致动器及压电变压器制造技术
本发明涉及一种压电元件、压电致动器以及电压变压器。本发明的压电元件具有层叠有压电体层和内部电极层的层叠体。而且,内部电极层包含选自钯、镍、铂、金、银中的至少一种元素和铜,内部电极层中所含的铜的含有率以铜元素换算为1at%以上50at%以...
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