电光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种电光器件。电光器件具有光波导以及配置于光波导上的上部电极，光波导在平面上折返而形成，上部电极通过光波导的折返而具有相邻的相邻部，在相邻部间的相较于上部电极更上位的上位层具有金属层。或者，电光器件具有多个马赫曾德尔光波导，马赫曾德尔光波导具有第一光波导以及第二光波导，在第一光波导上配置有第一上部电极，在第二光波导上配置有第二上部电极，在第一上部电极和第二上部电极之间的相较于上部电极更上位的上位层具有金属层。根据本发明专利技术，能够提供一种能够抑制元件间的电气串扰并且能够谋求宽频带化的电光器件。器件。器件。

【技术实现步骤摘要】
电光器件


[0001]本专利技术涉及一种在光通信和光学测量领域中使用的电光器件。

技术介绍

[0002]随着互联网的普及，通信量急剧增加，光纤通信的重要性变得非常高。光纤通信将电信号转换为光信号，并通过光纤传输光信号，并且具有宽频带、低损耗、抗噪声等的特征。
[0003]作为将电信号转换为光信号的方式，已知有利用半导体激光器的直接调制方式和使用了光调制器的外部调制方式。直接调制不需要光调制器且成本低，但是对高速调制有极限，在高速且长距离的应用中，使用外部调制方式。
[0004]作为光调制器，使用了由铌酸锂(LiNbO3，以下，称为“LN”)形成的光波导的光调制器具有高速、低损失、控制光波形的畸变少等的优点，在专利文献1中，公开了通过在铌酸锂单晶(块状LN)基板的表面扩散Li而形成有光波导的马赫曾德尔型光调制器。
[0005]然而，在专利文献1所公开的光调制器中，具有被折返的2个信号电极，信号电极间由于折返而接近，因此，在元件之间产生电气串扰，由此产生使频带变窄的不良状况。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本专利第4485218号公报

技术实现思路

[0009]本专利技术是有鉴于上述的问题而悉心研究的结果，其目的在于，提供一种能够抑制元件间的电气串扰并且能够谋求宽频带化的电光器件。
[0010]为了达成上述目的，本专利技术的一个方面所涉及的电光器件，其特征在于，具有光波导以及配置于所述光波导上的上部电极，所述光波导在平面上折返而形成，所述上部电极通过所述光波导的折返而具有相邻的相邻部，在所述相邻部间的相较于所述上部电极更上位的上位层具有金属层。这样，通过在相邻部间的相较于上部电极更上位的上位层具有金属层，从而能够利用该金属层屏蔽相邻的元件间的电气串扰，由此能够抑制元件间的电气串扰并且能够谋求宽频带化。
[0011]另外，在上述的本专利技术的一个方面所涉及的电光器件中，优选，在所述相邻部间配置有接地导体，所述金属层与所述接地导体连接。
[0012]另外，在上述的本专利技术的一个方面所涉及的电光器件中，优选，所述光波导是具有第一光波导以及第二光波导的马赫曾德尔光波导，所述第一光波导和所述第二光波导相互排列并且在平面上折返。
[0013]另外，在上述的本专利技术的一个方面所涉及的电光器件中，优选，在所述相邻部间具有绝缘层。
[0014]另外，在上述的本专利技术的一个方面所涉及的电光器件中，优选，遍及所述相邻部间的、至少所述上部电极的侧面具有绝缘层。
[0015]另外，在上述的本专利技术的一个方面所涉及的电光器件中，优选，遍及所述相邻部间的、至少所述上部电极的侧面以及上表面而具有绝缘层。
[0016]另外，在上述的本专利技术的一个方面所涉及的电光器件中，优选，在所述相邻部间填充有绝缘层。
[0017]另外，在上述的本专利技术的一个方面所涉及的电光器件中，所述绝缘层优选由无机物构成，更优选由无机氧化物构成。另外，所述绝缘层可以是多晶态，也可以是非晶态。
[0018]本专利技术的另一个方面所涉及的电光器件，其特征在于，是具有多个马赫曾德尔光波导的电光器件，所述马赫曾德尔光波导具有第一光波导以及第二光波导，在所述第一光波导上配置有第一上部电极，在所述第二光波导上配置有第二上部电极，在所述第一上部电极和所述第二上部电极之间的相较于所述第一上部电极和所述第二上部电极更上位的上位层具有金属层。这样，通过在第一上部电极和第二上部电极之间的相较于第一上部电极和第二上部电极更上位的上位层具有金属层，从而能够利用该金属层屏蔽相邻的元件间的电气串扰，由此能够抑制元件间的电气串扰并且能够谋求宽频带化。
[0019]另外，在上述的本专利技术的另一个方面所涉及的电光器件中，优选，在所述多个马赫曾德尔光波导之间具有接地导体，所述金属层与所述接地导体连接。
[0020]另外，在上述的本专利技术的另一个方面所涉及的电光器件中，优选，在所述第一上部电极和所述第二上部电极之间具有绝缘层。
[0021]另外，在上述的本专利技术的另一个方面所涉及的电光器件中，优选，遍及所述第一上部电极和所述第二上部电极之间的、所述第一上部电极和所述第二上部电极中的任一方的侧面具有绝缘层。
[0022]另外，在上述的本专利技术的另一个方面所涉及的电光器件中，优选，遍及所述第一上部电极和所述第二上部电极之间的、所述第一上部电极和所述第二上部电极中的任一方的侧面和上表面而具有绝缘层。
[0023]另外，在上述的本专利技术的另一个方面所涉及的电光器件中，优选，在所述第一上部电极和所述第二上部电极之间填充有绝缘层。
[0024]另外，在上述的本专利技术的另一个方面所涉及的电光器件中，所述绝缘层优选由无机物构成，更优选由无机氧化物构成。另外，所述绝缘层可以是多晶态，也可以是非晶态。
[0025]根据本专利技术的一个方面，提供了一种能够抑制元件间的电气串扰并且能够谋求宽频带化的电光器件。
附图说明
[0026]图1是本专利技术的第一实施方式所涉及的光调制器100的俯视图。
[0027]图2是沿图1中的A-A
’
线的光调制器的截面图。
[0028]图3是本专利技术的第二实施方式所涉及的光调制器的截面图。
[0029]图4是本专利技术的第二实施方式的第一变形例所涉及的光调制器的截面图。
[0030]图5是本专利技术的第二实施方式的第二变形例所涉及的光调制器的截面图。
[0031]图6是本专利技术的第二实施方式的第三变形例所涉及的光调制器的截面图。
[0032]图7是本专利技术的第三实施方式所涉及的光调制器200的俯视图。
[0033]图8是沿图7中的A-A
’
线的光调制器的截面图。
具体实施方式
[0034]以下，参照附图，对本专利技术的优选的实施方式进行详细的说明。在此，在附图的说明中，对相同或者相当的要素标记相同的符号，省略重复的说明。
[0035](第一实施方式)
[0036]图1是本专利技术的第一实施方式所涉及的光调制器100的俯视图。图2是沿图1中的A-A
’
线的光调制器的截面图。
[0037]如图1和图2所示，作为本实施方式所涉及的电光器件的光调制器100具备光波导10以及配置于光波导10上的上部电极7。
[0038]光波导10在平面上折返而形成。例如，在本实施方式中，光波导10在平面上折返2次而形成，从而包含互相平行地配置的第一至第三线直线部10e1、10e2、10e3、连接第一直线部10e1和第二直线部10e2的第一弯曲部10f1、以及连接第二直线部10e2和第三直线部10e3的第二弯曲部10f1。但是，并不限于此，光波导10也可以在平面上折返3次以上而形成。
[0039]另外，光波导10是具有形成于基板1上并且互相平行地设置的第一和第二光波导10a、10b的马赫曾德尔光波导。
[0040]第一光波导1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电光器件，其特征在于，具有光波导以及配置于所述光波导上的上部电极，所述光波导在平面上折返而形成，所述上部电极通过所述光波导的折返而具有相邻的相邻部，在所述相邻部间的相较于所述上部电极更上位的上位层具有金属层。2.如权利要求1所述的电光器件，其特征在于，在所述相邻部间配置有接地导体，所述金属层与所述接地导体连接。3.如权利要求1所述的电光器件，其特征在于，所述光波导是具有第一光波导以及第二光波导的马赫曾德尔光波导，所述第一光波导和所述第二光波导相互排列并且在平面上折返。4.如权利要求1所述的电光器件，其特征在于，在所述相邻部间具有绝缘层。5.如权利要求1所述的电光器件，其特征在于，遍及所述相邻部间的、至少所述上部电极的侧面具有绝缘层。6.如权利要求1所述的电光器件，其特征在于，遍及所述相邻部间的、至少所述上部电极的侧面以及上表面而具有绝缘层。7.如权利要求1所述的电光器件，其特征在于，在所述相邻部间填充有绝缘层。8.如权利要求4～7中任一项所述的电光器件，其特征在于，所述绝缘层由无机氧化物构成。9.如权利要求4～7中任一项所述的电光器件，其特征在于，所述绝缘层是多晶态。10.如权利要求4～7中任一项所述的电光器件，其特征在于，所述绝缘层是非晶态。11.一种电光器件，其特征在于，是具有多个马赫曾德尔光波导的电光器件，所述马赫曾德...

【专利技术属性】
技术研发人员：长瀬健司，A，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：