TDK株式会社专利技术

TDK株式会社共有5121项专利

  • 本发明涉及活性物质的制造方法以及锂离子二次电池的制造方法。本发明提供可提高锂离子二次电池的放电容量的活性物质的制造方法。本发明所涉及的活性物质的制造方法具备加热磷酸源、钒源以及水而形成含有磷和钒并且比表面积为0.1m2/g以上且不到25...
  • 提供一种适合使用HDDR法制造磁性材料用粉末的反应炉以及磁性材料用粉末的制造方法。反应炉(1)通过HDDR反应制造磁性材料用粉末。反应炉(1)包括:外容器(10);作为外容器冷却机构的主体一侧冷却介质通道(10Bc)以及盖子一侧冷却介质...
  • 一种无线馈电装置和无线电力传输系统。通过磁共振从馈送线圈(L2)向接收线圈(L3)供电。VCO(202)交替地导通/关断开关晶体管(Q1)和(Q2),以向馈送线圈(L2)馈送交流电,从而从馈送线圈(L2)向接收线圈(L3)馈送交流电。由...
  • 本发明提供色素增感型太阳能电池及其制法、用于其的作用电极的制法,即使在使用高导电性的电解质的情况下,也能够防止作用电极的透明导电膜和电解质之间的短路,由此,提高光电转换特性和耐久性,从而提高可靠性。在未形成有色素担载金属氧化物层的导电性...
  • 一种无线馈电装置和无线电力传输系统。通过磁共振从馈送线圈(L2)向接收线圈(L3)供电。振荡器(202)交替地导通/关断开关晶体管(Q1)和(Q2),以使得驱动频率为(fo)的交流电流(IS)流入变压器(T2)的初级线圈(Lb)。交流电...
  • 一种以具有六方结构的铁素体相为主相的铁素体烧结磁铁,构成主相的金属元素的组成用通式(1)来表示,R↓[x]Ca↓[m]A↓[1-x-m](Fe↓[12-y]M↓[y])↓[z]…(1),式(1)中,x、m、y及z全部满足下述式(2)~(...
  • 本发明的目的在于提供具有优异的Br和HcJ的稀土磁铁。本发明的优选的实施方式的稀土磁铁的特征在于主要由R(其中,R是选自包含Y的稀土元素中的1种以上的元素)、B、Al、Cu、Zr、Co、O、C和Fe构成,各元素的含有比例为:R:25~3...
  • 本发明的目的在于提供一种磁铁的制造方法,该制造方法可以得到不仅得到充分的Br和HcJ而且矩形比充分大的磁铁。本发明的磁铁的制造方法的特征在于:包括:使含有重稀土元素的重稀土化合物附着于稀土磁铁烧结体的第1工序,和对附着有重稀土化合物的烧...
  • R↑[3]-*H-COO-R↑[4] 一种润滑组合物,含有(A)通式为R↑[1]-COO-R↑[2]的化合物,其中R↑[1]是高级脂族烃的残基,R↑[2]是可含有氟原子和/或氧原子的脂族烃的残基,和(B)具有如右通式的化合物,其中...
  • 本发明的多层陶瓷部件包含共同烧制形成的内导体层和陶瓷层。内层体层由以银为主要成分的导电材料形成,而陶瓷层由钇-铁-石榴石为基的氧化物磁性材料添加银而形成。由此,能以高的合格率制造尺寸更小的多层陶瓷部件。
  • 本发明的磁体粉末和烧结磁体,包括含有A、Co和R的六角型铁氧体主相(其中A代表Sr、Ba或Ca,R代表选自稀土元素(包括Y)和Bi组成的集合中的至少一种元素),具有至少两个不同的居里温度,所述两个不同的居里温度存在于400-480℃的范...
  • 本发明提供一种公共电极和发热电阻体的紧密附着性出色、且Pb含量充分降低的热敏头。所述热敏头(5)具备:基板(7)、设置于基板(7)上的釉层(3)、设置于釉层(3)上的公共电极(4)、设置于公共电极(4)和釉层(3)上的发热电阻体(1)、...
  • 本发明提供锂离子二次电池用正极、锂离子二次电池及其制造方法。锂离子二次电池用正极的制造方法包括:涂料调制工序,混合正极活性物质、粘结剂、导电助剂、有机溶剂以及水来调制正极活性物质层形成用涂料;活性物质层形成工序,使用正极活性物质层形成用...
  • 提供一种提高散热性且充分地确保安装区域的线圈基板结构以及转换电源装置。线圈基板结构(100)具备:具有一次侧变压器线圈部(41)的第1线圈基板(110)、与该第1线圈基板(110)重叠且具有二次侧变压器线圈部(42)的第2线圈基板(12...
  • 本发明提供一种层叠电容器,其特征在于:第1端子电极(40)的第2端子部(42)具有:宽度比第1内部电极(20)中的引出部(22)的第1引出宽度宽的宽幅部(42a)、宽度在第1和第2侧面(13,14)侧从宽幅部(42a)向第2端子电极(5...
  • 一种电子元件的制造方法,该方法包括如下步骤:在衬底上形成第一绝缘层;在所述第一绝缘层上形成多个无源元件;在所述无源元件上形成第二绝缘层;在所述第二绝缘层的外侧上形成电连接至相应的无源元件的多个导体层,以被暴露至每个电子元件的顶面;以及在...
  • 本发明的压电元件的制造方法包括:生长工序,使PZT膜外延生长于第1电极膜上;和加工工序,在生长工序之后,使用蚀刻液将PZT膜加工成所期望的形状,蚀刻液含有盐酸和硝酸中的至少一种酸,其中,在将相对于蚀刻液的重量的盐酸以及硝酸各自的重量浓度...
  • 本发明涉及薄膜压电体元件及其制造方法、采用该元件的磁头悬架组件以及使用磁头悬架组件的硬盘驱动器。该元件制造方法具有在第一基板上层叠第一电极膜、压电体膜和第二电极膜形成层叠体(L)的工序、在第二基板上层叠支撑膜形成层叠体(M)的工序、使第...
  • 本发明提供磁阻效应元件,薄膜磁头,滑触头,晶片,磁头万向节组件和硬盘驱动器。磁阻效应元件包含:一对磁性层,在所述磁性层的磁化方向之间形成根据外磁场变化的相对角;以及结晶隔体层,所述结晶隔体层夹在所述一对磁性层之间;其中感应电流可以在垂直...
  • 本发明提供一种具有更高响应性的磁耦合器,其中设有:在第一层(L1)上卷绕的薄膜线圈(20);配置在第二层L2上,检测由流过薄膜线圈(20)的信号电流Im产生的感应磁场Hm的第一MR元件(31);以及配置在该第一MR元件(31)近旁的由软...