磁耦合器制造技术

本发明专利技术提供一种具有更高响应性的磁耦合器，其中设有：在第一层（Ｌ１）上卷绕的薄膜线圈（２０）；配置在第二层Ｌ２上，检测由流过薄膜线圈（２０）的信号电流Ｉｍ产生的感应磁场Ｈｍ的第一ＭＲ元件（３１）；以及配置在该第一ＭＲ元件（３１）近旁的由软磁性材料构成的磁轭（４１、４２）。第一ＭＲ元件（３１）配置在第二层（Ｌ２）中与薄膜线圈（２０）的直线区域（Ｒ２１）在层叠方向上对应的位置。磁轭（４１、４２）在第二层（Ｌ２）上夹着第一ＭＲ元件（３１）而配置在薄膜线圈（２０）的卷绕中心侧和卷绕外周侧这两侧。于是，可以抑制感应磁场Ｈｍ的强度下降，并使感应磁场Ｈｍ成为更平坦的强度分布。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及设有薄膜线圈和磁阻效应元件，以非接触方式进行彼此 绝缘的多个电路间的信号传输的》兹耦合器。
技术介绍
以往，在彼此绝缘的多个电路间，作为将来自一方的电路的信号 以非接触方式向另 一方传输的装置，公知有光耦合器或脉冲变压器 等。但是，光耦合器的发光二极管(LED)的功耗恶化和电流传送率的 下降等随时间变化显著，且信号的延迟大。另一方面，虽然脉冲变压 器由于使用绕组线圏而信号的延迟小，但存在着形状和重量大且可工 作的温度低的问题。另外，还有用薄膜线圈取代脉冲变压器的绕组线 團的耦合器，但其接受磁场线圈的效率变差，因此功率消耗大。因此，作为解决上述问题的装置，开发了磁耦合器(例如，参照专 利文献1~9)。该磁耦合器是用磁阻效应元件以非接触方式检出来自一 方的电路系统的流过信号线的电流变化，并向另一方的电路系统传输 电信号的装置，该装置因其结构筒单且动作可靠性优良而受到关注。特开2003-526083号公报特开2001-94174号公报特开2001-135534号公报特开2001-135535号公报特开2001-135536号公报 特开2001-135537号公报 特开200本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁耦合器，其特征在于，　设有：在第一层上卷绕的薄膜线圈；　设于与所述第一层不同的第二层上，检测由流过所述薄膜线圈的电流产生的感应磁场的磁阻效应元件；以及　在所述薄膜线圈的径向上与所述磁阻效应元件相邻而配置的磁轭。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：原谷进，山口仁，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]