专利查询
首页
专利评估
登录
注册
TDK株式会社专利技术
TDK株式会社共有5143项专利
磁场检测装置制造方法及图纸
本发明的磁场检测装置具备第一软磁体、第二软磁体和磁场检测元件。第一软磁体和第二软磁体,沿着包括第一方向和与该第一方向正交的第二方向的双方的第一面扩展,并且在与第一方向和第二方向的双方正交的第三方向上对向配置。磁场检测元件在第三方向上设置...
压电元件单元制造技术
本发明提供了一种具有适当的抗折强度且适合作为驱动装置的一部分使用的压电元件单元,其特征在于,具有:层叠型压电元件,具有夹着压电体层而层叠的内部电极、以及形成在沿着层叠方向延伸的侧面而并所述内部电极电连接的一对外部电极;配线部,经由焊料被...
磁传感器用电感元件以及具备其的电流传感器制造技术
本发明提供一种在设计时的特性调整容易的磁通门(fluxgate)型磁传感器。本发明的磁传感器用电感元件具备:第1芯(21),由第1软磁性材料构成并且具有连接面(S1,S2);第2芯(22),由第2软磁性材料构成并且具有与连接面(S1)相...
定向耦合器及使用其的无线通信装置制造方法及图纸
本实用新型涉及定向耦合器及使用其的无线通信装置,防止由包含于定向耦合器的副线路与接地图案的重叠产生的芯片尺寸的大型化或特性的劣化,具备被传送高频信号的主线路(130)、与主线路电磁耦合的副线路(140)、俯视时至少一部分位于主线路与副线...
前进音式的麦克风以及用于制造的方法技术
麦克风具有一包括底部件和顶部件的壳体以及一转换器元件,所述转换器元件布置在所述壳体内并且与所述底部件电连接和机械连接。为了无应力地安装转换器元件而建议了一种柔性的连接元件,该连接元件是柔软有弹性的并且/或者是可压缩的,所述连接元件布置在...
非接触供电装置和非接触电力传送装置制造方法及图纸
本发明提供一种适当地配置供电对象设备的操作容易的非接触供电装置、以及具备该非接触供电装置的非接触电力传送装置。在非接触电力传送装置(1)中,非接触供电装置(10)具有供电线圈(11)、收纳供电线圈(11)的框体(12)、和卷绕供电线圈(...
检测系统、检测装置及检测方法制造方法及图纸
本发明的目的在于使用磁珠对生物分子标记进行高精度的检测。本发明的检测系统(300)包括:检测器件(200),该检测器件(200)包括:空间,该空间由壁面形成,包含生物分子标记的液体和包含磁珠的液体被导入该空间;以及磁传感器,该磁传感器表...
无线电力传送装置制造方法及图纸
本发明的无线电力传送装置(1)能够减小电力传送和信号传送的相互影响而兼得稳定的该两者,其具备对输入直流电压进行交流变换的供电电路(110)、通过交流电压产生交流磁通的供电线圈(6)、接收交流磁通而产生交流电压的受电线圈(7)、将受电线圈...
旋转型磁耦合装置制造方法及图纸
本发明涉及旋转型磁耦合装置。在用于旋转体的旋转型磁耦合装置中,即使线圈彼此的位置关系根据旋转体的旋转量变化,也能获得稳定的输出特性。旋转型磁耦合装置(1)具备第一线圈(8)、以与第一线圈(8)磁耦合的方式配置的第二线圈(9)。第一及第二...
旋转型磁耦合装置制造方法及图纸
本发明涉及旋转型磁耦合装置。在用于旋转体的旋转型磁耦合装置中,减小电力传送和信号传送的相互影响。旋转型磁耦合装置(1)具备第一线圈(6)、以与第一线圈(6)磁耦合的方式配置的第二线圈(7)、第三线圈(8)、以与第三线圈(8)磁耦合的方式...
频率可变磁电阻效应元件以及使用该元件的振荡器、检波器及滤波器制造技术
本发明旨在提供一种频率特性稳定且工作能量被大幅度降低了的频率可变磁电阻效应元件及利用该元件的器件。本发明的频率可变磁电阻效应元件包括:磁电阻效应元件、对所述磁电阻效应元件施加磁场的磁场施加机构、对所述磁电阻效应元件施加电场的电场施加机构...
层叠线圈部件的制造方法技术
本发明所涉及的层叠线圈部件的制造方法是一种具备构成螺旋状线圈的线圈导体和绝缘体层被层叠而成的层叠体的层叠线圈部件的制造方法。层叠线圈部件的制造方法包括:将成为线圈导体的导体图形设置于成为绝缘体层的坯片上的工序,和层叠导体图形被设置了的多...
磁阻效应元件及其制造方法、以及位置检测装置制造方法及图纸
本发明提供一种磁阻效应元件,该磁阻效应元件具备排列成阵列状的多个磁阻效应层叠体和将多个磁阻效应层叠体串联电连接的多个引线电极,电连接于多个磁阻效应层叠体中的第一磁阻效应层叠体的层叠方向上的第一面的第一引线电极和电连接于在串联方向邻接的第...
磁阻效应元件制造技术
本发明提供一种磁阻效应元件,在作为现有的隧道势垒层的材料或比使用了MgAl2O4的TMR元件更低的RA中,产生较高的MR比。磁阻效应元件的特征在于,具有层叠体,该层叠体按顺序层叠有:基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层...
磁阻效应元件制造技术
本发明提供一种能够实现较高的MR比的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具有层叠体,该层叠体中按顺序层叠有:基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层,所述基底层由氮化物构成,所述隧道势垒层由选自MgAl2O4、ZnAl2O4、Mg...
磁阻效应元件制造技术
本发明提供一种在高的偏压下产生比使用了现有的隧道势垒的TMR元件更高的MR比的磁阻效应元件。本发明的磁阻效应元件,其特征在于,具备层叠体,该层叠体按顺序层叠有:基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、以及第二铁磁性金属层,所述基底层由Nb...
磁阻效应器件制造技术
本发明提供一种安装有耐电压性优异的磁阻效应元件的磁阻效应器件。该磁阻效应器件具备贯通层间绝缘层和上述层间绝缘层且至少在一面露出的贯通电极、层叠于上述贯通电极上的磁阻效应元件,层叠上述磁阻效应元件的层叠面上的上述层间绝缘层和上述贯通电极的...
磁阻效应元件制造技术
本发明提供一种即使在偏压的符号不同的情况下,MR比的对称性也良好,且能够通过电流有效地进行磁化反转且MR比较高的磁阻效应元件。磁阻效应元件的特征在于,具有层叠体,该层叠体按顺序层叠有:基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属...
压电元件制造技术
本发明涉及一种压电元件,其具备压电体层、第一电极、第二电极、第三电极和第一通孔导体。压电体层呈矩形形状并且具有互相相对的第一主面和第二主面,并且由压电材料构成。第一电极被设置于第一主面。第二电极从第一电极分离且被设置于第一主面。第三电极...
压电元件制造技术
本发明涉及一种压电元件,其具备第一电极和第二电极、第一压电体层、以及多个第一通孔导体。第一电极和第二电极互相相对。第一压电体层被配置于第一电极与第二电极之间。多个第一通孔导体贯通第一压电体层,并且连接于第一电极和第二电极。从第一电极和第...
首页
<<
125
126
127
128
129
130
131
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
134485
珠海格力电器股份有限公司
99367
中国石油化工股份有限公司
87773
浙江大学
81467
三星电子株式会社
68335
中兴通讯股份有限公司
67403
国家电网公司
59735
清华大学
56623
腾讯科技深圳有限公司
54362
华南理工大学
51829
最新更新发明人
日铁化学材料株式会社
428
南京逐陆医药科技有限公司
40
青庭智能科技苏州有限公司
14
索尼互动娱乐股份有限公司
758
思齐乐私人有限公司
12
北京卡尤迪生物科技股份有限公司
14
格莱科新诺威逊私人有限公司
2
联想北京有限公司
28609
京东方科技集团股份有限公司
51232
微软技术许可有限责任公司
8923