The present invention aims to provide a frequency variable magnetoresistance effect element with stable frequency characteristics and a large reduction in working energy and a device using the element. Variable frequency magnetoresistance effect element of the invention includes: a control terminal of the electric field magnetoresistance effect element, the magnetoresistance effect element magnetic field applying means, an electric field on the magnetoresistance effect element and applying mechanism, mechanism and the applied electric field and electric connection to the supply size and applying mechanism and / or different polarity voltage. The magnetoresistance effect element contains antiferromagnetic or ferromagnetic materials with electromagnetic effects. The magnetoresistance effect element controls the spin torque oscillation frequency or the spin torque resonance frequency of the magnetoresistive effect element by changing the magnitude and / or polarity of the voltage supplied from the control terminal.
【技术实现步骤摘要】
频率可变磁电阻效应元件以及使用该元件的振荡器、检波器及滤波器
本专利技术涉及一种利用磁电阻效应的频率可变磁电阻效应元件,该频率可变磁电阻效应元件可以适用于为无线通信所需的振荡器、检波器及滤波器等。
技术介绍
近年来,随着智能手机等移动终端的小型化、高功能化,用于终端的电子部件的数量及占有可能面积呈减少趋势。另一方面,由于通信速度的高速化及应用的多样化等,所使用的频率及频带个数呈增加趋势。为了满足这些要求,需要能够用单一部件控制多个频带的对应于多频带的高频部件。利用磁电阻效应的振荡(或共振)元件,与以往使用的LCR电路等电子电路相比,能够以非常小的尺寸对应于更高的频率。另外,因为能由磁场改变其工作频率,所以期待利用磁电阻效应的振荡(或共振)元件作为新一代的高频部件(专利文献1)。以往所知的振荡(或共振)频率的控制方法大致分成磁场控制方式和电场控制方式。专利文献1及专利文献2公开了作为调节用的磁场施加机构而使用电磁铁的方式。另外,专利文献3公开了包括磁电阻效应元件、电磁铁及用来施加来自电磁铁的磁场的导磁路径的磁场控制方式的具体结构。在该磁场控制方式中,通过改变在线圈( ...
【技术保护点】
一种频率可变磁电阻效应元件,其特征在于,包括:磁电阻效应元件;磁场施加机构,对所述磁电阻效应元件施加磁场;电场施加机构,对所述磁电阻效应元件施加电场;以及控制端子,与所述电场施加机构连接并向所述电场施加机构供给大小及/或极性不同的电压,所述磁电阻效应元件包含具有电磁效应的反铁磁性物质或亚铁磁性物质,并且,所述磁电阻效应元件通过改变从所述控制端子供给的电压的大小及/或极性,控制所述磁电阻效应元件的自旋扭矩振荡频率或自旋扭矩共鸣频率。
【技术特征摘要】
2016.10.06 JP 2016-1977021.一种频率可变磁电阻效应元件,其特征在于,包括:磁电阻效应元件;磁场施加机构,对所述磁电阻效应元件施加磁场;电场施加机构,对所述磁电阻效应元件施加电场;以及控制端子,与所述电场施加机构连接并向所述电场施加机构供给大小及/或极性不同的电压,所述磁电阻效应元件包含具有电磁效应的反铁磁性物质或亚铁磁性物质,并且,所述磁电阻效应元件通过改变从所述控制端子供给的电压的大小及/或极性,控制所述磁电阻效应元件的自旋扭矩振荡频率或自旋扭矩共鸣频率。2.根据权利要求1所述的频率可变磁电阻效应元件,其特征在于,所述磁电阻效应元件包括控制层及磁化自由层,该磁化自由层与所述控制层磁连接且其磁化方向是可变的,并且所述控制层包含所述反铁磁性物质或所述亚铁磁性物质。3.根据权利要求2所述的频率可变磁电阻效应元件,其特征在于,所述控制层包含第二反铁磁性物质,该第二反铁磁性物质的奈尔温度比所述反铁磁性物质或所述亚铁磁性物质的奈尔温度高。4.根据权利要求1至3中任一项所述的频率可变磁电阻效应元件,其特征在于,还包括控制机构,该控制机构与所述控制端子连接并具有控制对所述控制端子施加的电压及其极性的功能。5.根据权利要求4所述的频率可变磁电阻效应元件,其特征在于,还包括反馈电路,该反馈电路检测所述磁电阻效应元件的输入信号或输出信号的任何一方或双方,并向所述控制机构进行反馈,以便设定为所希望的自旋扭矩振荡频率或希望的自旋扭矩共鸣频率。6.根据权利要求1至5中任一项所述的频率可变磁电阻效应元件,其特征在于,所述磁场施加机构是永磁铁。7.根据权利要求2或3所述的频率可变磁电阻效应元件,其特征在于,所述磁化自由层具有面内方向的磁各向异性,由所述磁场施加机构施加的施加磁场在与所述磁电阻效应元件的层叠方向垂直的方向上施加于所述控制层,由所述电场施加机构施加的施加电场在与所述磁电阻效应元件的层叠方向垂直的方向上施加于所述控制层,所述施加磁场和所述施加电场以大致平行或大致反向平行的关系被重叠施加于所述控制层,并且,通过改变所述施加电场的大小或施加方向,改变所述自旋扭矩振荡频率或所述自旋扭矩共鸣频率。8.根据权利要求2或3所述的频率可变磁电阻效应元件,其特征在于,所述磁化自由层具有面内方向的磁各向异性,由所述磁场施加机构施加的施加磁场以包含所述磁电阻效应元件的层叠方向的成分的方式施加于所述控制层,由所述电场施加机构施加的施加电场以包含所述磁电阻效应元件的层叠方向的成分的方式施加于所述控制层,所述施加磁场和所述施加电场以大致平行或大致反向平行的关系被重叠施...
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