本发明涉及光电器件技术领域，具体提供一种隔离膜、顶发射光电器件及其制造方法和应用。所述隔离膜，所述隔离膜包括第一氧化物膜，以及自所述第一氧化物膜一表面向外层叠叠设的金属膜、第二氧化物膜、第三氧化物膜。所述顶发射光电器件包括顶电极和叠设于...

本发明公开一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管，所述复合材料包括：纳米线和一端结合在所述纳米线表面的偶联剂；所述偶联剂的另一端与导电聚合物通过硫醚键、硫氮键或酰胺基连接；量子点，所述量子点与所述导电聚合物上带负电的基团结合。本发明...

本发明公开一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管，所述复合材料包括：纳米线；领结状金属纳米天线，所述领结状金属纳米天线结合在所述纳米线表面；双官能团偶联剂，所述双官能团偶联剂的第一官能团与所述领结状金属纳米天线结合，所述双官能团偶联...

本发明公开一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管，所述复合材料包括：量子点和结合在所述量子点表面的第一配体；纳米线和一端结合在所述纳米线表面的第二配体；所述第二配体另一端与所述第一配体通过碳氮双键、酰胺基或硫醇酯基连接；当电子传输到...

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括MoO

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括ZnS纳米颗粒以及掺杂在所述ZnS纳米颗粒中的Se元素和Ga元素。该复合材料为受主(Se)‑施主(Ga)共掺的ZnS纳米颗粒，该复合材料中S...

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括p型ZnO纳米颗粒以及掺杂在所述p型ZnO纳米颗粒中的Li元素和N元素。该复合材料中，Li‑N掺杂后形成的受主能级为1.25eV，受主能级的...

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和太阳能电池。所述复合材料包括纳米晶体颗粒和连接在所述纳米晶体颗粒表面的羧酸；其中，所述纳米晶体颗粒含有金属阳离子和阴离子，所述羧酸与所述纳米晶体颗粒表面的金属阳离子相连接。该...

本发明涉及量子点材料技术领域，具体提供一种量子点及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：利用ZnP纳米团簇和第一InP核制备第二InP核；以所述第二InP核为核，加入壳层前驱体，使壳层前驱体在所述第二InP核表面生长成壳层，获得以...

本发明公开一种颗粒及其制备方法与量子点发光二极管。通过两次配体交换一方面改善了颗粒的在水性溶剂中的溶解性；二是制备得到的量子点表面同时含有所述长链的巯基醇配体和所述二元硫酚类配体在作为量子点发光二极管材料时，量子点与量子点之间的电荷传输...

本发明涉及长余辉发光材料技术领域，具体提供一种基于量子点的长余辉复合材料及其制备方法和应用。所述基于量子点的长余辉复合材料包括长余辉发光材料、表面修饰剂和量子点，所述长余辉发光材料通过所述表面修饰剂与所述量子点连接形成复合材料。本发明的...

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间设置有用于提高所述阳极功函数的第一界面偶极层；和/或所述阴...

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阴极与所述量子点发光层之间设置有复合电子传输层，所述复合电子传输层含有电子传输材料和...

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料为N掺杂的TiO

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料为Se掺杂的NiO纳米颗粒。Se掺杂后的NiO纳米颗粒可以拥有更好的电荷传输能力，从而提高空穴传输效率。将Se掺杂的NiO纳米颗粒用于量子点发光二...

本发明适用于数据处理技术领域，提供了一种推送招聘推荐服务的方法、装置及终端，通过根据企业信息和应聘人员信息构建知识图谱，并在根据所述知识图谱包含的企业实体和应聘人员实体的属性信息计算企业之间的相似度和应聘人员之间相似度以对企业和应聘人员...

本发明涉及通信技术领域，提供了一种目标定位方法及终端设备。该方法包括：获取训练数据；根据各个第一距离值以及对应的第一信号强度值对第一信号传播模型进行训练；根据各个第二距离值以及对应的第二信号强度值对第二信号传播模型进行训练；根据所述预设...

本发明具体涉及一种量子点发光二极管，包括第一电极、第一载流子传输层、第一量子点发光层、第二载流子传输层、第二量子点发光层、第三载流子传输层和第二电极；第一载流子传输层的材料的HOMO轨道能级、LOMO轨道能级与第一电极的材料的功函能级的...

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述量子点发光二极管，包括阳极、阴极及设置在阳极与阴极之间的叠层，所述叠层由量子点发光层与电子传输层形成，且电子传输层设置在量子点发光层与阴极之间，所述电子传输层包括无机电子传输材料和分...

本发明涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阴极和所述量子点发光层之间层叠设置有含有掺杂材料的复合电子传输层，所述复合电子传输层包括N层电子传输层，第...