量子点发光二极管及其制备方法技术

技术编号:23163323 阅读:60 留言:0更新日期:2020-01-21 22:18
本发明专利技术具体涉及一种量子点发光二极管,包括第一电极、第一载流子传输层、第一量子点发光层、第二载流子传输层、第二量子点发光层、第三载流子传输层和第二电极;第一载流子传输层的材料的HOMO轨道能级、LOMO轨道能级与第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV;第三载流子传输层的材料的HOMO轨道能级、LOMO轨道能级与第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV;第二载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与第一量子点发光层、第二量子点发光层的材料的价带势垒均≤1.5eV,第二载流子传输层的材料的LOMO轨道能级与第一量子点发光层、第二量子点发光层的材料的导带势垒均≤1.5eV。该器件可以使用交流电压进行驱动。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术属于显示
,具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
胶体量子点因其荧光效率高、单色性好,发光波长可调控和稳定性好而在显示器件领域有着可观的应用前景。基于量子点的发光二极管(量子点发光二极管,Quantumdotlight-emittingdiode,QLED)具有更好的色彩饱和度、能效色温以及寿命长等优点,有望成为下一代固体照明和平板显示的主流技术。目前大量制备的QLED器件使用直流电压进行驱动,但是在直流电压的驱动下,器件的性能一般会有较快的衰减,例如,在较高电流驱动的情况下出现的缺陷和因局部有机聚合物材料性能衰退而出现的黑点,会导致器件无法正常工作。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的上述不足,提供一种量子点发光二极管及其制备方法,旨在解决现有QLED器件使用直流电压进行驱动时,器件容易出现缺陷和黑点的技术问题。为实现上述专利技术目的,本专利技术采用的技术方案如下:本专利技术一方面提供一种量子点发光二极管,包括层叠设置的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管,其特征在于,包括层叠设置的第一电极、第一载流子传输层、第一量子点发光层、第二载流子传输层、第二量子点发光层、第三载流子传输层和第二电极;/n所述第一载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV,且所述第一载流子传输层的材料的LOMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV;/n所述第三载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV,且所述第三载流子传输层的材料的LOMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV;/n所述第二载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第一量子点发...

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管,其特征在于,包括层叠设置的第一电极、第一载流子传输层、第一量子点发光层、第二载流子传输层、第二量子点发光层、第三载流子传输层和第二电极;
所述第一载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV,且所述第一载流子传输层的材料的LOMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV;
所述第三载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV,且所述第三载流子传输层的材料的LOMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV;
所述第二载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第一量子点发光层、所述第二量子点发光层的材料的价带势垒均≤1.5eV,且所述第二载流子传输层的材料的LOMO轨道能级与所述第一量子点发光层、所述第二量子点发光层的材料的导带势垒均≤1.5eV。


2.如权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述第一载流子传输层和所述第三载流子传输层的材料独立选自1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯,N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺,2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉,4,7-二苯基-1,10-菲罗啉4,7-二苯中的至少一种。


3.如权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述第二载流子传输层的材料选自聚(9-乙烯基咔唑),聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基),聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基,间二甲苯封端聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基),间二甲苯封端)中的至少一种。


4.如权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述第一载流子传输层与所述第三载流子传输层的材料相同;和/或
所述第一载流子传输层与所述第三载流子传输层的材料具有相同的轨道能级;和/或
所述第一量子点发光层的与所述第二量子点发光层的材料相同。


5.如权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述第一载流子传输层与所述第三载流子传输层的厚度相同;和/或
所述第一量子点发光层与所述第二量子点发光层的厚度相同。


6.如权利要求5所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述第一载流子传输层与所述第三载流子传输层的厚度均为10-30nm;和/或
所述第一量子点发光层与所述第二量子点发光层的厚度为10-30nm。


7.如权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述第二载流子传输层的厚度为10-30nm。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:张珈铭曹蔚然钱磊
申请(专利权)人:TCL集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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