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TCL集团股份有限公司专利技术
TCL集团股份有限公司共有3757项专利
嵌段共聚物、复合颗粒、油墨及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种复合颗粒,包括无机纳米颗粒和结合在所述无机纳米颗粒表面的嵌段共聚物,所述嵌段共聚物为包括嵌段链A和嵌段链B的嵌段共聚物,所述嵌段链A为具有空穴传输特性的嵌段链,所述嵌段链B为聚苯乙烯,所述嵌段共聚物至少含有一个末端巯基,...
嵌段共聚物、复合颗粒、油墨及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种复合颗粒,包括无机纳米颗粒和结合在所述无机纳米颗粒表面的嵌段共聚物,所述嵌段共聚物为包括嵌段链A和嵌段链B的嵌段共聚物,所述嵌段链A为具有空穴传输特性的嵌段链,所述嵌段链B为聚苯乙烯,所述嵌段共聚物至少含有一个末端巯基,...
复合发光层、QLED器件及其制备方法技术
复合发光层、QLED器件及其制备方法。本发明提供了一种复合发光层,所述复合发光层为三维石墨烯固定的量子点发光层,包括多孔三维网状材料和固定在所述多孔三维网状材料上的量子点,其中,所述多孔三维网状材料中含有三维石墨烯和/或三维氧化石墨烯。
新型透明导电薄膜及其制备方法和应用技术
本发明涉及发光二极管电极材料技术领域,具体提供一种新型透明导电薄膜及其制备方法和应用。所述新型透明导电薄膜的材料为二氧化锡和碳形成的复合材料,且在所述二氧化锡和碳相邻的界面上具有过渡缓冲材料。本发明的新型透明导电薄膜具有优异的导电性性能...
管状双异质结纳米材料及其制备方法和应用技术
本发明涉及量子点发光材料技术领域,具体提供管状双异质结纳米材料及其制备方法和应用。所述管状双异质结纳米材料包括氧化物纳米管以及生长于所述氧化物纳米管内壁和外壁的电子传输材料。本发明的管状双异质结纳米材料具有优异的电子迁移率,适合用作量子...
一种情绪引导方法、装置和终端设备制造方法及图纸
本发明适用于通信技术领域,提供了一种情绪引导方法、装置和终端设备。该方法包括:采集用户的语音信息,将所述语音信息转换为文字信息,根据所述文字信息确定用户当前所属的情绪类别,根据所述情绪类别执行对应的引导指令,对用户进行情绪疏导。本发明实...
一种照片选择的方法、装置及终端制造方法及图纸
本发明适用于数据处理技术领域,提供了一种照片选择的方法、装置及终端,通过照片选择的装置在终端设备的拍照功能处于开启状态且美感识别功能启动时,获取用户所拍摄的第一照片和/或终端设备所采集的第二照片,以当美感识别功能关闭时,根据所述第一照片...
量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明属于量子点技术领域,具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。一种量子点发光二极管,包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,所述阴极与所述量子点发光层之间还设置有具有高低结结构的空穴阻挡层。该空穴阻挡层可以利...
一种量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,所述量子点发光二极管包括:阳极、阴极及设置在所述阳极和阴极之间的叠层,所述叠层包括依次层叠设置的空穴传输层、界面层和量子点发光层,所述空穴传输层靠近所述阳极一侧设置,所述量子点发光层靠近所述阴...
一种量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,所述量子点发光二极管包括层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极,其中,还包括设置于阳极和量子点发光层之间的空穴注入层,所述空穴注入层的材料包括氮化的金属掺杂氧化镍。本发明通过金属掺杂改善氧化镍薄膜...
空穴传输材料及其制备方法和量子点发光二极管技术
本发明属于量子点技术领域,具体涉及一种空穴传输材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述空穴传输材料包括硫化锌纳米颗粒和掺杂在所述硫化锌纳米颗粒之间的纳米级氮化碳。将纳米级氮化碳掺杂在硫化锌纳米颗粒中,可得到禁带宽度合适且空穴传输能力强的...
一种油墨制造技术
本发明公开了一种油墨,其中,量子点油墨包括有机溶剂以及分散于所述有机溶剂中的量子点材料,所述有机溶剂中包括环氧基醇类有机溶剂,所述环氧基醇类有机溶剂的结构式为:
透析膜及其制备方法和应用技术
本发明属于量子点技术领域,具体涉及一种透析膜及其制备方法和应用。所述透析膜具有孔洞,且所述孔洞的内表面和/或所述孔洞的周围结合有阴离子。所述透析膜的制备方法,包括如下步骤:提供前驱体溶液;所述前驱体溶液含有透析膜原材料和发泡剂;采用浇铸...
一种量子点薄膜及量子点发光二极管制造技术
本发明公开一种量子点薄膜及量子点发光二极管,所述量子点薄膜包括无镉量子点和分散在所述无镉量子点之间的间隔量子点,还包括二元硫醇,所述二元硫醇中的一个巯基连接所述无镉量子点和另一个巯基连接所述间隔量子点;所述无镉量子点为核壳结构的无镉量子...
一种量子点薄膜及量子点发光二极管制造技术
本发明公开一种量子点薄膜及量子点发光二极管,所述量子点薄膜包括无镉量子点和分散在所述无镉量子点之间的间隔纳米线;所述无镉量子点为核壳结构的无镉量子点,组成所述间隔纳米线材料的金属元素与组成所述无镉量子点的壳层材料的金属元素位于同一族;组...
粒子及其制备方法技术
本发明属于纳米发光材料技术领域,具体涉及一种粒子及其制备方法。所述粒子包括量子点和包覆在所述量子点表面的金属复合氧化物层,所述金属复合氧化物层中的金属复合氧化物的禁带宽度≥3.6eV。该粒子中的金属复合氧化物层不仅可以更好地将激子束缚在...
电致发光器件及其制备方法技术
本发明提供了一种电致发光器件,包括基板,以及设置在所述基板上的至少一种量子点电致发光单元和至少一种有机电致发光单元,量子点电致发光单元包括相对设置的第一阳极和第一阴极,设置在第一阳极和所述第一阴极之间的量子点发光层,以及设置在量子点发光...
量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管,包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层,其特征在于,所述底电极、所述量子点发光层和所述顶电极的表面均为褶皱表面。本发明的...
电子传输材料及其制备方法和量子点发光二极管技术
本发明属于量子点技术领域,具体涉及一种电子传输材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述电子传输材料为Al掺杂的ZnS纳米颗粒材料。所述电子传输材料的制备方法,包括如下步骤:提供锌盐、铝盐和硫源;将所述锌盐、铝盐和硫源溶于溶剂中,得到前驱...
量子点薄膜的制备方法技术
本发明属于量子点技术领域,具体涉及一种量子点薄膜的制备方法。该量子点薄膜的制备方法,包括如下步骤:提供基底;在所述基底上制备图案化磁性材料层;提供含有磁性量子点的量子点溶液,将所述量子点溶液与所述图案化磁性材料层混合处理,得到图案化的量...
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