本公开涉及与禁用区相邻的边界单元。一种集成电路，包括第一型有源区结构的阵列和第二型有源区结构的阵列，这些阵列在第一禁用区的第一竖直区边界和第二禁用区的第二竖直区边界之间在第一方向上延伸。该集成电路还包括与第一竖直区边界对齐的第一侧边界单...

本公开涉及电平移位器电路及其操作方法。一种电路包括输入电路、电平移位器电路和输出电路。输入电路耦合到第一电压源，并且被配置为接收第一输入信号并生成至少第二输入信号或第三输入信号。电平移位器电路耦合到输入电路和第二电压源，并且被配置为接收...

本公开涉及集成电路及其制造方法。一种施密特触发器电路包括第一组和第二组晶体管、第一和第二反馈晶体管，以及第一和第二电路。第一组晶体管连接在第一电压源和输出节点之间。第一电压源具有第一电压。第二组晶体管连接在输出节点和第二电压源之间。第二...

本公开涉及存储器器件的控制电路。一种器件包括存储器阵列、位线对、字线、调制电路和控制信号发生器。存储器阵列具有布置在行和列中的多个位单元。每个位线对连接到相应列的位单元。每个字线连接到相应行的位单元。调制电路与至少一个位线对耦合。控制信...

本申请公开了半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括衬底、有源区域、隔离结构、第一金属线、栅极结构、源极/漏极区域、源极/漏极接触件和第二金属线。有源区域从衬底的顶表面突出。隔离结构在衬底之上并且横向围绕有源区域。第一金属线在隔离结构...