在基体上的银或银合金薄层通过蚀刻液而均匀地被蚀刻，而不产生蚀刻残留，同时可避免由于过度腐蚀导致的侧面腐蚀。该蚀刻液含有０．００５～１重量％的银离子。蚀刻液供入罐或蚀刻液供料设备中，而后使之与基体上的银或银合金薄层接触。

本发明提供了一种ＤＲＡＭ，其中的接点泄漏受到抑止而不会增加电容器的电容；并且，扩散层和露头电极之间的接触面积增大，以减小二者之间的接触电阻，因而可以减小ＤＲＡＭ单元的尺寸，和保证栅极电极和该露头电极两端的绝缘耐电压。在存储器元件和逻辑元...

在优异的控制之下，可以形成一较低浓度杂质扩散区，即使是采用低耐热材料的基底。在掺杂半导体层时，由能量束穿透的例如侧壁（２４）的掩模形成在半导体层（２１）的表面的一部分，掺杂离子（２５）吸附在半导体层表面上除了形成掩模的区域之外的区域，并...

在一个溅射薄膜形成腔室内，在一个基底上形成用作自旋开关薄膜的非磁性层的铜薄膜，薄膜在该腔室内在减压条件下借助溅射工艺形成；在一个导入有活化铜薄膜表面的气体的气体暴露腔室内将基底暴露于一种气体气氛中；以及，再次将该基底移动到该溅射薄膜形成...

本发明涉及在振动方向上无方向性的超声波振动方法与超声波振动装置。端部分别设有超声波振动器（１３）、（１４）的一对超声波传输臂（１１）、（１２）相互垂直交叉地设置，使该对超声波传输臂（１１）、（１２）发生纵向振动时导致另一传输臂（１２）、...

在由对置的软磁性构件构成的第一和第二磁屏蔽（２１）和（２２）之间配置磁阻效应元件本体（１１）、在本体（１１）上配置形成施加偏移磁场的硬磁性层（１２）。该磁阻效应元件本体（１１）至少由响应外部磁场磁化回转的自由层、固定层、固定该固定层的磁...

一种存储器装置，包括： 外围电路部分，用第一最小工艺尺寸形成； 存储器部分，叠置在所述的外围电路部分上，具有用小于所述第一最小工艺尺寸的第二最小工艺尺寸形成的多个存储单元；和 接点部分，连接所述的外围电路部分和所述的存...

一种制造非晶金属氧化膜的方法，包括： 用于淀积非晶金属氧化膜的步骤；和 用于改善所述非晶金属氧化膜的膜性能的膜处理步骤，其中使所述非晶金属氧化物膜维持在非晶状态，其是通过基于离子和自由基反应的高密度等离子体辐射处理保持所述非...

一种制作顶发射形发光装置的方法，能保持稳定发光效率且无漏电流。该发光装置（１０）包括置于衬底（１）上的下电极（４）、置于下电极（４）上的至少有一个发光层（６ｃ）的有机层（６）、和置于有机层（６）上的透光上电极（７）。在该发光装置（１０）...

在一构造成经过其衬底引出光的半导体发光器件中，电极层形成在有源层上形成的ｐ型半导体层（例如ｐ型ＧａＮ层）上，且镍层形成为电极层和ｐ型半导体层之间的且在厚度上被调整为不超出有源层中产生的光的干涉长度的接触金属层。由于镍层充分薄，所以反射效...

可以实现容易地形成过孔，并且实现了满意的过孔形状以消除连接故障。绝缘层形成在第一配线层上，并且在绝缘层形成有开口之后，形成第二配线层。在形成开口过程中，激光束以其焦点偏移的方式照射绝缘层，偏移激光束的焦点导致开口的锥角加宽，并且横向侧壁...

一种显示装置以及制造这种装置的方法，其中微小半导体发光装置被固定于该显示装置的基片的表面并与之有一定间隙，该显示装置成本低并具有足够的亮度。一用环氧树脂第一绝缘层（２１）在除其具有引出电极（１８）、（１９）的上端区域和下端面以外的区域充...

一种制造半导体器件的方法，即使采用超声波键合法也可以通过下填树脂容易和适当地密封封装，由此提供高度可靠的倒装片式封装。该方法包括形成下填树脂层（１６）以便覆盖电路板（１０）上的布线图形（１２）的第一步骤；将具有突起电极（２４）的半导体芯...

本发明是将半导体芯片（３）安装在基板（２）上的半导体器件，具备：具有在表里两面上形成的用通孔（９）连接的基板间连接用电极（７）（８）的基板；具有与在基板上形成的布线图形连接的电极、与电极形成面相反一侧的面被切削成平面的半导体芯片；与设置...

本发明涉及一种高频模件板装置，它具有高频传输和接收电路，用于调制和解调高频信号。该高频模件板装置包括一个主要表面作成叠加表面（２ａ）的一个基础板（２）；和在该基础板（２）的叠加表面上形成，并作出无源元件的高频电路部分（３）。基础板（２）...

本发明公开了一种具有出色特性的氮化物半导体器件以及该氮化物半导体器件的制造方法，该器件具有通过选择性生长生长成三维形状的器件结构。根据本发明的氮化物半导体器件包括一生长为三维形状的晶体层，该晶体层具有一侧面部分（１６ｓ）和一上层部分（１...

本发明的复合光学元件中设有：装于基片（１）的一面的至少一个光学元件（２），装于基片（１）的另一面的半导体激光器（３）与光接收元件（４），以及介于基片（１）和光接收元件（４）之间的中间构件（中继基片）（５）。中间构件（５）上设有用以使入射...

一种掺杂半导体的方法，其特征在于，其包括在衬底上形成半导体层，允许衬底表面以受控的量吸收掺杂剂离子，并且活化半导体层中所吸收的掺杂剂离子，其中，通过利用一种比如在等离子体照射过程中引入氢气这样的措施，来对掺杂剂的吸收量进行控制，并且比如...

本发明提供一种可提高阳极反射率从而提高发光效率的有机电致发光元件及其制造方法。在基板１１上依次层压阳极１２、空穴喷射用薄膜层１３、绝缘层１４、包括发光层１５Ｃ的有机层１５、以及包括半透明电极１６Ａ的阴极１６。阳极１２包含高反射率金属银或...

一种自发光型有机电致发光器件，其通过在电极层中尽可能多地抑制光吸收，以在经由电极层发射的情形下令人满意地引出光，来提供良好的发光效率。有机电致发光器件通过将有机材料制成的发光层（３）夹在第一电极（２）和第二电极（４）之间，以将光从发光层...