一种清洁处理基片表面的方法，其中，清洁处理基片工艺的包括利用酸溶液、氧化溶液、或碱溶液清洁处理基片表面的步骤的第１步骤，包括清除在基片表面上形成的自然氧化膜的步骤。

在基片上，形成由Ⅱ族元素中之至少一种元素与Ⅵ族元素中之至少一种元素构成的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体膜之际，借助于带电粒子排除装置除去等离子中的带电粒子之同时，将激发态氮等离子照射到上述基片上，完成掺氮的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体的成膜，提高了激活率...

一种下流型化学处理设备１，其中从处理槽２（主槽３）外供应液态处理试剂２１，同时从处理槽２（主槽３）的底部排放液态处理试剂２１，该设备包括设置于主槽３的试剂排放侧的泵５，该泵由旋转泵构成，用于将液态处理试剂２１排放到主槽３外，以保持主槽３...

提供一种其电特性比多晶半导体材料更好并可方便地在各种不同种类的衬底上形成的半导体材料。该半导体材料由基本上为单晶态的半导体晶粒３ａ构成。这些半导体晶粒３ａ在一个共同的表面取向上择优取向，例如｛１００｝、｛１１１｝或｛１１０｝取向，邻近的...

在通过存取口提供控制信号从而可以从存储器（１０７）读出数据的集成电路中，该集成电路包括探测利用存取口（１０１）的存取的存取探测装置（１１１）、在存取探测装置（１１１）探测到存取时禁止从存储器（１０７）输出预定数据的输出禁止装置（１２０）...

一种安装小型紧凑的光链路用发送或接收模块的方法，其中，至少一对光纤被安装在光纤安装部分上，光发送元件和光接收元件各自设置在安装于光纤安装部分的发送光纤和接收光纤的光轴方向中，连接至光发送元件和光接收元件的引线端子根部的第一板与第二板和第...

提供一种半导体器件，该半导体器件的制造方法可以简化，并能实现集成度高而且薄的半导体芯片。半导体器件包括基片和其中有集成电路的半导体芯片。半导体芯片以其第一表面粘结在基片上，并在其另一个表面上具有连接到外界的电极部分。在半导体芯片的侧壁和...

＊＊＊ 包括有机层５，５ａ和５ｂ的有机电致发光装置，所述有机层带有发光区，含有至少一种下述通式（１）的二苯乙烯基化合物：其中Ｒ↑［１］－Ｒ↑［４］至少一个表示取代或未取代的苯基，而另一个表示至少一个取代或未取代的萘基，而Ｘ表示氰基...

本发明的一种半导体器件，包括：一个基体；形成于在半导体片固定部位上的半导体片，是由一个夹在它们之间的粘合剂层固定；一根金属导线，把半导体片上的一个电极和内连的帧面相连；一层形成于围绕着金属导线连接导线帧面的周围部分上的保护膜；以及一层位...

用于压缩或编码扫描路径电路的输出数据的半导体电路，实现电路测试和故障分析，防止组合电路的配置从输入和输出而被猜出。将预定模式密钥数据混到输入数据中，将预定码型的密钥数据输入到扫描路径电路中，使其被扫描路径电路中的模式密钥电路提取。该密钥...

一种能够在密封树脂上装载焊球以便减小封装面积的半导体封装，以及这种半导体封装的制备方法。实施该方法的装置包括第一绝缘衬底５，承载用于安装半导体器件２的安装部位３和与半导体器件２电连接的第一导电图形４；围绕第一绝缘衬底的安装部位向上形成的...

提供如下的装置、使用此装置的设备和设计为执行诸如驱动器软件的自动安装的操作的方法：微处理单元、随机存取存储器、操作部分、只读存储器等等通过系统总线相互连接并安装在主设备中，此主设备由个人计算机构成，并且连接到主设备的此系统总线的是连接到...

一种半导体非易失性存储器件及其制造方法，它提高了氧化硅膜的绝缘破坏的再现性和可靠性并且能降低生产成本，其中，排列成矩阵形式的多个存储单元的每个存储单元具有绝缘膜破坏型保险丝，绝缘膜破坏型保险丝包括在半导体衬底上形成的第一导电类型的杂质区...

提供一种客观地、准确地、自动地以非接触方式评定多晶硅膜的状态的方法。该方法包括步骤：拾取通过受激准分子激光退火形成的多晶硅膜的表面；将拾取的图象分成每个具有特定的尺寸的网格（ｍｅｓｈ）；计算每个网格的对比度；提取拾取的图像中的最高对比度...

一种氮化物半导体的制造方法，包括以下步骤：形成掺有ｐ型杂质的氮化物半导体；氧化氮化物半导体的表面，在其上形成氧化膜；以及激活ｐ型杂质，将氮化物半导体的导电类型转变为ｐ型。由于除去了留在氮化物半导体表面上的碳和其上形成的氧化膜，因此可以防...

在基体上的银或银合金薄层通过蚀刻液而均匀地被蚀刻，而不产生蚀刻残留，同时可避免由于过度腐蚀导致的侧面腐蚀。该蚀刻液含有０．００５～１重量％的银离子。蚀刻液供入罐或蚀刻液供料设备中，而后使之与基体上的银或银合金薄层接触。

本发明提供了一种ＤＲＡＭ，其中的接点泄漏受到抑止而不会增加电容器的电容；并且，扩散层和露头电极之间的接触面积增大，以减小二者之间的接触电阻，因而可以减小ＤＲＡＭ单元的尺寸，和保证栅极电极和该露头电极两端的绝缘耐电压。在存储器元件和逻辑元...

在优异的控制之下，可以形成一较低浓度杂质扩散区，即使是采用低耐热材料的基底。在掺杂半导体层时，由能量束穿透的例如侧壁（２４）的掩模形成在半导体层（２１）的表面的一部分，掺杂离子（２５）吸附在半导体层表面上除了形成掩模的区域之外的区域，并...

在一个溅射薄膜形成腔室内，在一个基底上形成用作自旋开关薄膜的非磁性层的铜薄膜，薄膜在该腔室内在减压条件下借助溅射工艺形成；在一个导入有活化铜薄膜表面的气体的气体暴露腔室内将基底暴露于一种气体气氛中；以及，再次将该基底移动到该溅射薄膜形成...

本发明涉及在振动方向上无方向性的超声波振动方法与超声波振动装置。端部分别设有超声波振动器（１３）、（１４）的一对超声波传输臂（１１）、（１２）相互垂直交叉地设置，使该对超声波传输臂（１１）、（１２）发生纵向振动时导致另一传输臂（１２）、...