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索尼公司专利技术
索尼公司共有20784项专利
电池组制造技术
一种里面装有电池的电池组,它包括:在里面容纳所述电池的壳体,所述壳体具有上壳体和下壳体;至少一个用来从所述电池输出电力的输出端,所述输出端在所述下壳体的前表面有开孔,且在所述下壳体的纵向上延伸;至少一个在所述输出端的表面上形成的槽,所述...
非水电解液二次电池制造技术
一种非水电解液二次电池,该电池包括能够用电化学方法掺杂锂并去杂的阴极(2);能够用电化学方法掺杂锂并去杂的阳极(3);置于阴极(2)与阳极(3)之间的固定的非水电解液或凝胶电解液(4),其是通过将低粘度化合物混合或溶解于高分子化合物中而...
正极活性材料和非水电解质二次电池制造技术
本发明公开了一种正极活性材料,包括表示为通式Li↓[m]M↓[x]M′↓[y]M″↓[z]O↓[2]的化合物,其中,M是指至少一种选自Co,Ni和Mn的元素,M′是指至少一种选自Al,Cr,V,Fe,Cu,Zn,Sn,Ti,Mg,Sr,...
电池识别方法技术
一种用简单结构在智能电池组件和干电池组件之间进行识别的电池识别方法。干电池组件包括用于容纳多个串联连接的干电池的壳体,设置在壳体内并连接到串联干电池的极端的正负电极,以及一端连接到串联干电池的预定连接点而另一端连接到壳体内设置的端子的电...
正极活性材料和非水电解质二次电池制造技术
本发明公开了一种正极活性材料,包括表示为通式Li↓[m]M↓[x]M′↓[y]M″↓[z]O↓[2]的化合物,其中,M是指至少一种选自Co,Ni和Mn的元素,M′是指至少一种选自Al,Cr,V,Fe,Cu,Zn,Sn,Ti,Mg,Sr,...
电子装置和电子装置电池制造方法及图纸
一种便携式电子装置,包括主机和相对于主机可打开和可关闭安装的显示部分,以及电子装置电池。该便携式电子装置还包括用于相对于主机可打开和可关闭地安装显示部分的一对铰链(打开和关闭部分),并带有机械和电气安装在一对铰链之间以便于拆卸的电池。该...
电池组充电装置制造方法及图纸
一种用于电池组的充电装置,其中,没有由电池组的充电端子单元所造成的限制,实现通用性,减小尺寸的需求得到满足,并且制造成本降低,安全性和可靠性的需求也被满足。为此,电池组充电装置包括推出部件(14)和锁定部件(13),所述推出部件(14)...
电池制造技术
本发明提供一种电池,其能够减少由于在高温下贮存时的气体释放所引起的电池膨胀。一种如此构建的二次电池(1),其使作为发电元件的平板盘绕电极(20)夹在外部构件(30a,30b)之间,其间具有粘接层(40a,40b)。例如,粘接层(40a,...
阴极和包括该阴极的电池制造技术
本发明提供一种高强度阴极以及具有极好的负载特性,充放电特性和电池容量的二次电池。该二次电池包括一个电池元件,其中一个条形的阴极和一个阳极与一个隔离物被缠绕,该隔离物位于阴极和阳极之间。该阴极包括一个含有阴极活性材料和粘合剂的阴极混合层。...
具有显示功能的二级电池及其方法技术
本发明提供一种与二级电池的状态相应的二级电池的显示。为此,二级电池提供包括LED和开关的显示部分。当二级电池呈列在商店中时如果操作开关,则在显示部分中显示出购买二级电池后所发生的图像。这样的显示与二级电池在充电模式和放电模式中的显示都彼...
电池组件、电池装载器及具有电池装载机构的电子设备制造技术
本发明公开了电池组件、电池装载器及具有电池装载机构的电子设备。电池组件包括:电池;容纳所述电池的壳体,所述壳体具有相互成直角设置的第一表面和第二表面从而在所述第一表面和第二表面的交界处限定一条边缘,以及与第一和第二表面垂直的彼此相对的第...
电池识别方法技术
一种用简单结构在智能电池组件和干电池组件之间进行识别的电池识别方法。干电池组件包括用于容纳多个串联连接的干电池的壳体,设置在壳体内并连接到串联干电池的极端的正负电极,以及一端连接到串联干电池的预定连接点而另一端连接到壳体内设置的端子的电...
液晶显示装置及其制造方法制造方法及图纸
液晶显示装置包括由密封于一对对立电极间的液晶材料构成的显示单元和用来控制对立电极间电压的薄膜驱动晶体管组成.其中,薄膜驱动晶体管的漏极区和对立电极之一通常用多晶硅膜构成.本发明的液晶显示装置具有构造简单的特点,从而免去了从前的制造工艺所...
制造半导体器件的方法技术
该发明涉及用高阻值的电阻器制造半导体器件的方法.在本发明中,首先形成第一层多晶硅层,它与在半导体衬底中形成的电接触部分接触.其次,在第一层多晶硅层上面形成第二层含氧多晶硅层.然后退火,以消除在两层多晶硅层之间形成的氧化物.
半导体器件制造技术
具有npn和pnp晶体管的一半导体器件,其特征在于一半导体衬底上所形成的一n型外延层上形成npn晶体管,以及在n型外延层上所形成的一n型半导体区域内形成pnp晶体管,n型半导体区域具有一高于n型外延层的杂质浓度,即使n型外延层的厚度被减...
薄膜晶体管的制作方法技术
薄膜晶体管制作方法:在防定的基板上形成一层多晶半导体薄膜;将预定的离子注入多晶半导体薄膜中,以形成一层非晶半导体薄膜;在非晶半导体薄膜上,形成一层栅绝缘薄膜和一栅电极;利用栅电极和栅绝缘膜作掩膜进行掺杂,以便在非晶半导体薄膜中形成源区和...
杂质的扩散方法技术
用于将诸如锌一类的杂质选择扩散进到诸如砷化镓(GaAs)一类的化合物半导体基片的方法。该方法是这样使用扩散掩模的:即,使在扩散掩模和半导体基片之间的界面处的含氧层的厚度小于20∴,从而可以抑制往往发生在半导体表面上扩散掩模开口附近界面异...
用在数字式电子仪器方面的集成电路制造技术
对有内部总线的电子仪器,它包括:a)数模转换器,为了转换数据串控制信号到相应的模拟信号.b)许多电路,根据上述模拟信号进形控制完成指定功能.c)开关电路,为了选择上述许多电路的任何一个.d)开关控制电路,根据收到的选择信号,控制开关电路...
用于数字化电子设备的集成电路器件制造技术
该器件包括:a)多元输入端.b)与所说的多元输入端相连的、用于通过所说的多元输入端选择任一个输入信号的开关电路.c)用于控制所说的开关电路的开关控制电路.根据所接收到的选择信号来选择任一个输入信号.d)用于将选定的输入信号从所说的开关电...
掺杂剂均匀分布的固体摄像器及其制造方法技术
一种固体摄像器的制造方法,通过中子辐射P型硅Si圆片的原子嬗变法,将部分的组成元素Si改变成n型杂质磷P,从而将衬底改变为n型,并产生一个电阻率ρ-[S]为10至100欧姆-厘米,或最好是40至60欧姆-厘米的Si衬底。然后用生成的硅衬...
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