一种用于溅射的靶(10)，其具有用于溅射的靶材(11)，该靶材(11)包含层状结构和至少1％的孔隙率，并且具有低于1000ohm.cm的电阻率，例如低于100ohm.cm，例如诸如低于10ohm.cm，该靶材还包含硅以及来自元素周期表的...

提供了一种通过溅射沉积在工件上沉积层的方法、一种涂覆机和一种用于根据该方法控制涂覆机的处理器。该方法包括在预先确定的溅射条件下在工件上同时提供金属和反应性物质的溅射沉积以形成层，从而在该工件上提供包含金属化合物的沉积层。随后照射该沉积层...

提供用于溅射的靶、所述靶的用途和制造所述靶的方法。所述靶具有用于溅射沉积的单片靶材料，其具有至少1mm、例如至少2mm、例如4mm或更大的厚度的用于溅射的材料，具有层状结构并且包含金属氧化物，该金属氧化物具有至少50重量％、例如60重量...

一种制造溅射靶的方法。该方法包括以下步骤：提供背衬结构，提供靶材料，所述靶材料包含用于喷涂的陶瓷靶材料，随后在背衬结构上方热喷涂所述靶材料从而提供靶产品，其中所述靶材料的至少40质量％、例如至少50质量％包含陶瓷靶材料，和随后对靶产品进...

溅射靶包括具有至少600mm长度的至少一个单片。所述溅射靶包含背衬结构，该背衬结构设置有用于溅射的靶材料。靶材料的至少40质量％包括所谓的靶挥发性材料，所述靶挥发性材料在700hPa至1300hPa的压力下显示出升华温度，或低于其熔点的...

在第一方面，本发明涉及一种运动系统(300)，用于将非平坦基材(100)移动通过溅射流量分布(110)，而不使非平坦基材(100)周向暴露于所述溅射流量分布(110)。该运动系统(300)包括运动装置，以进行：第一运动(310)，其沿溅...

一种用于溅射磁控管系统的磁棒结构(101)包括磁棒(102)，具有附接其上的用于当安装在磁棒结构(101)上时感测管状溅射靶(200)的内在和/或外在特性的感测设备(110)。在和/或外在特性的感测设备(110)。在和/或外在特性的感测...

用于溅射的靶(100)，其包含SiZr

本文描述了一种用于溅射设备的磁控管结构。磁控管结构包括磁控管(100，200，300，401)和刚性地连接到磁控管(100，200，300，401)的控制器(106，206，301，402)。控制器(106，206，301，402)适于...

在第一方面，本发明涉及平面溅射靶(400)，其包含由急冷物叠层累积的靶材料层(410)，其中该靶材料层(410)具有层宽度(w)并具有跨该层宽度(w)变化的显微组织。在第二方面，本发明涉及制造这样的平面溅射靶(400)的方法。