一种封装，具有基础基板和覆盖基板，该基础基板是电连接到ＵＶ－射线发光二极管的一个电极的金属板，该覆盖基板是电连接到另一电极的金属板并且被层叠在基础基板上。多个封装被安装在头部上，以便在它们的横向上延伸的基板的中心线被互相对准。覆盖基板相...

一种无电极放电灯，其密封在灯管中的放电气体中含有稀有金属卤化物，在初始放电装置中装有辅助电极，辅助电极在灯管的外周边壁上或毗邻该周边壁能与灯管的内部空间静电耦合的位置配置，且由第二高频电源而不是由给绕在灯管上的主感应线圈提供高频电的第一...

一种金属蒸汽放电灯，它包括一个电弧管，它的里表层有一多层结构的涂层，其中面向电弧管内放射空间的一层是由强共价结合的材料形成的，至少还另有一层，它具有屏蔽水的功能，由此可防止电弧管内物质的反应，避免电弧管水的泄漏，以及能有效地阻止涂层的开...

一种荧光灯用电极，包括用填充至绕组端部匝的电子发射材料进行填充的多线圈灯丝，所述电子发射材料由一用高熔点的还原金属粉末与碱土金属的碳酸盐组合物相混合来进行配制，由此延长了电极的寿命从而最终有效地延长了荧光灯的寿命。

具有高显色性的高压钠蒸气灯，它包括：呈圆柱形的透光材料做的在轴的两端密封的放电管；一对位于管内部轴两端的电极和与钠蒸气一起封入管内处在至少２．５×１０↑［４］（Ｐａ）下的氙气，从而灯点燃时，用Ｖ（以Ｖ为单位）代表的灯电压、用Ｗ（以瓦为单...

一种无电极金属蒸气放电灯，具有由透光金属氧化物材料形成的密封电弧管，并包含封装入其中包含至少一种或多种稀土金属卤化物的发光物质，还包括更容易促进电弧管内壁表面附近产生的卤素循环的促进物质，从而防止灯的起动电压上升。

本发明为一种场致发射型电子源，具有导电性基板（１）、在导电性基板一表面侧形成的具有纳米构造的氧化或氮化的多孔多晶硅层（６）、以及在该多孔多晶硅层上形成的金属薄膜（７），相对于导电性基板将金属薄膜作为正极加上电压，通过金属薄膜发射电子束。

一种无电极放电灯，其密封在灯管中的放电气体中含有稀有金属卤化物，在初始放电装置中装有辅助电极，辅助电极在灯管的外周边壁上或毗邻该周边壁能与灯管的内部空间静电耦合的位置配置，且由第二高频电源而不是由给绕在灯管上的主感应线圈提供高频电的第一...

一种场致发射型电子源及其制造方法，在ｎ型硅基板主表面侧形成强电场漂移单元，在该单元上形成金薄膜构成的表面电极。在ｎ型硅基板背面形成欧姆电极。表面电极配置在真空中，且相对欧姆电极作为正极，通过施加直流电压，从ｎ型硅基板注入的电子在强电场漂...

本发明揭示一种场致发射型电子源及其制造方法。场致发射型电子源１０具有导电性基板１、在导电性基板１的一个表面上形成的至少一部分进行多孔化处理的半导体层６、以及在半导体层上形成的导电性薄膜７。通过加上导电性薄膜７相对于导电性基板１为正的电压...

本发明提供能够使表面电极的所希望的区域发射出电子的场发射型电子源及其制造方法，场发射型电子源１０具备作为导电性基板的ｐ型硅基板１、形成于ｐ型硅基板１内的主表面侧的带状的作为扩散层的ｎ型区域８、形成于ｎ型区域８上，从ｎ型区域注入的电子发生...

在由玻璃基板组成的绝缘性基板１１的一个表面上形成导电性层８。在导电性层８上形成由氧化的多孔质多晶硅层组成的强电场漂移层６。在强电场漂移层６上形成表面电极７。导电性层８由形成在绝缘性基板１１上的由铜组成的下侧的导电性膜８ａ和形成在该导电性...

电子源设有作为导电衬底的ｎ型硅衬底、由氧化的多孔多晶硅构成的偏移层及作为导电薄膜的表面电极。表面电极的形成工艺包括在偏移层上形成Ｃｒ构成的第一层，在第一层上形成Ａｕ构成的第二层，并使这两层形成合金。表面电极具有对偏移层的较高粘附性和长期...

一真空蒸镀设备包括具有多个蒸发源和一加热器的一真空室，加热器加热诸蒸发源以实现在真空室内的至少一基片的一表面上的真空蒸镀。至少一蒸发源利用一有机材料，将包围诸蒸发源和诸蒸发源和基片在内相互面对的一空间的一热壁加热至该有机材料既不附着又不...

一种无铊的高压陶瓷金属卤素灯具有优良变暗特性，并具有包含ＭｇＩ↓［２］和／或ＭｇＢｒ↓［２］的填充成分。

一种电场放射型电子源（１０），在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底（１１）的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极（８）；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部（６ａ）的强电场漂移层（６）；由金薄膜构成的表面电极（７）。而且，外加电压使表面电...

一种电场放射型电子源１０，具有ｎ型硅基板１、在ｎ型硅基板１的１个表面上形成的漂移层６（强电场漂移层）、在漂移层６上形成的表面电极７。通过外加电压，使表面电极７相对于ｎ型硅基板１为正极，从而由ｎ型硅基板１注入漂移层６中的电子在该漂移层６中...

一种场致发射型电子源。在由玻璃基板、陶瓷基板等的绝缘性基板构成的基板（１）一方的主表面上形成由层状导电性碳化物层构成的下部电极（２）。在下部电极（２）上形成无掺杂多晶硅层（３）。在多晶硅层（３）的上面形成由氧化多孔质多晶硅层构成的电子通...

一种电子源（１０），具有由下部电极（１２）、漂移层（６）、表面电极（７）构成的电子源元件１０ａ。漂移层（６）存在于下部电极（１２）和表面电极（７）之间。靠在表面电极（７）和下部电极（１２）之间外加使表面电极（７）变为高电位的电压时作用的...

在场致发射型电子源（１０）中，在ｎ－型硅衬底（１）上设置强场漂移层（６）和由金薄膜构成的表面电极（７）。在ｎ－型硅衬底（１）的背面上设置欧姆电极（２）。加给直流电压，使表面电极（７）相对于欧姆电极（２）成为正极性。按照这种方式，自欧姆电...