场致发射型电子源及其驱动方法技术

一种电子源（１０），具有由下部电极（１２）、漂移层（６）、表面电极（７）构成的电子源元件１０ａ。漂移层（６）存在于下部电极（１２）和表面电极（７）之间。靠在表面电极（７）和下部电极（１２）之间外加使表面电极（７）变为高电位的电压时作用的电场，电子通过漂移层（６），经表面电极（７）而被发射。在表面电极（７）和下部电极（１２）之间外加了顺偏压（正电压）时，加压结束后外加反偏压（负电压），漂移层（６）内的收集器（９）捕获的电子向漂移层（６）外发射。由此，电子源（１０）的寿命变长。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有通过场致发射来发射电子束的电子源元件的场致发射型电子源(Field Emission-Type Electron Source)及其驱动方法。附图说明图15表示了具有漂移层的以往的电子源的一个例子。如图15所示，在电子源10中，在作为导电性衬底的n型硅衬底1的表面(front surface)上，介于非掺杂的多晶硅层3，形成了由氧化的多孔多晶硅层(多孔化的多晶硅层)构成的漂移层6。在漂移层6上，形成了由金属薄膜(例如，金属膜)构成的表面电极7。在n型硅衬底1的背面(back surface)上形成了欧姆电极2。由n型硅衬底1和欧姆电极2构成了下部电极12。须指出的是，也提出了在n型硅衬底1和漂移层6之间不存在多晶硅层3，在n型硅衬底1的表面(front surface)上形成了漂移层6的电子源。在图15所示的电子源10中，由n型硅衬底1和欧姆电极2构成了下部电极12。可是，如图16所示，也提出了在例如由玻璃衬底构成的绝缘性衬底11的表面(front surface)上形成了由金属材料构成的下部电极12的电子源10。在图15或图16所示的电子源10中，在如下的过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场致发射型电子源的驱动方法，该场致发射型电子源包含电子源元件，该电子源元件具有下部电极、表面电极、以及强电场漂移层；所述强电场漂移层存在于下部电极和表面电极之间，通过在表面电极和下部电极之间外加使表面电极变为高电位的顺方向电压时作用的电场，有电子通过；通过强电场漂移层的电子经表面电极而被发射；其中，当在电子源元件上外加了顺方向电压时，加压后在电子源元件上外加反向电压，而当不外加顺方向电压时，不外加反向电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2001-10-29 2001-3314701.一种场致发射型电子源的驱动方法，该场致发射型电子源包含电子源元件，该电子源元件具有下部电极、表面电极、以及强电场漂移层；所述强电场漂移层存在于下部电极和表面电极之间，通过在表面电极和下部电极之间外加使表面电极变为高电位的顺方向电压时作用的电场，有电子通过；通过强电场漂移层的电子经表面电极而被发射；其中，当在电子源元件上外加了顺方向电压时，加压后在电子源元件上外加反向电压，而当不外加顺方向电压时，不外加反向电压。2.根据权利要求1所述的场致发射型电子源的驱动方法，其中，在电子源元件上外加顺方向电压和反向电压的间隔为一定时间以内。3.根据权利要求1所述的场致发射型电子源的驱动方法，其中，当在电子源元件上外加了数据信号时，加压后在电子源元件上外加反向电压，而当外加了线信号时，也外加反向电压。4.根据权利要求1所述的场致发射型电子源的驱动方法，其中，反向电压的绝对值设定为顺方向电压的绝对值以下。5.根据权利要求4所述的场致发射型电子源的驱动方法，其中，把反向电压的绝对值设定为顺方向电压的绝对值的50～100％。6.根据权利要求1所述的场致发射型电子源的驱动方法，其中，按照顺方向电压的脉冲宽度控制反向电压。7.根据权利要求4所述的场致发射型电子源的驱动方法，其中，把关于加压时间的反向电压的绝对值的累计值设定为关于加压时间的顺方向电压的绝对值的累计值的50～100％。8.根据权利要求1所述的场致发射型电子源的驱动方法，其中，顺方向电压以及反向电压是上升波形为倾斜状或台阶状的脉冲电压。9.根据权利要求1所述的场致发射型电子源的驱动方法，其中，在顺方向电压的加压和反向电压的加压之间，设置外加电压为0V的断开电压期间。10.根据权利要求9所述的场致发射型电子源的驱动方法，其中，隔着断开电压期间重复外加顺方向电压和反向电压。11.根据权利要求1所述的场致发射型电子源的驱动方法，其中，当在电子源元件上外加顺方向电压时，检测流过电子源元件的顺方向电流，根据该顺方向电流，反馈控制反向电压。12.根据权利要求1所述的场致发射型电子源的驱动方法，其中，当在电子源元件上外加反向电压时，检测流过电子源元件的反向电流，根据该反向电流，反馈控制反向电压。13.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：菰田卓哉，栎原勉，相泽浩一，本多由明，渡部祥文，幡井崇，竹川宜志，马场徹，
申请(专利权)人：松下电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]