一种传感器系统，包括传感器器件（１０）和用于驱动器件（１０）的集成电路（２０）。该器件（１０）包括硅基材料的传感器主体（１）、硅基材料的上密封构件（２）和硅基材料的下密封构件（３）。上密封构件（２）和下密封构件（３）以密封方式接合在一起...

在静电电容式半导体物理量传感器中，玻璃衬底和硅衬底相互面对的周边区域（连接区域）接触以用于阳极连接，而同时该玻璃衬底和该硅衬底具有在其间施加的阳极连接电压以结合为一体。在硅衬底的连接面侧的表面上形成固定电极，而在半导体衬底的连接面侧的表...

一种发光元件，其特征在于包括：　半导体层，包含发光层；　由凹凸构成的凹凸部，该凹凸以比从所述发光层射出的光在半导体层中的波长大的间距被形成于所述半导体层的光取出一侧的面的整个区域或部分区域上；以及　反射层，被形成于与所述光取出一侧的面相...

本发明提供了具有新型光电转换层的有机薄膜太阳能电池，该光电转换层具有优异的光电转换效率和优异的载流子向电极的传输能力。该光电转换层位于一对电极之间，其中至少一个电极具有光学透明性，且该光电转换层包含通过交替堆叠供电子有机半导体薄膜和受电...

为提高热绝缘性，将热红外感测元件（３０）承载在多孔材料制成的传感器支座（４０）上，并通过在基板上凸出的锚固柱（５２）使该热红外感测元件向上离开基板（１０）。传感器支座形成有一对共面的梁（４２），所述梁上承载有从感测元件（３０）延伸出的引...

一种操作显示半导体开关，包括操作显示灯，其具有发光元件，例如发光二极管，并被安装在由透光的合成树脂制成的内模制体和不透光的合成树脂制成的外模制体构成的壳体中，外模制体在外面包围着内模制体，以及发光侧和光接收侧图形导体，其内端部分嵌在内模...

一种ＳＯＩ（绝缘体上硅）型薄膜晶体管，包括掩埋氧化层、第一导电类型的硅层，以及上氧化层。硅层具有第二导电类型的体区、第一导电类型的源区、漏区以及漂移区。硅层形成有在其中形成掺杂区且厚度为Ｔ１的第一部分，以及在其中形成到达掩埋氧化层的体区...

热电型ＩＲ接收元件包括在支撑端固定于支撑体的热电基片及形成其上的至少一个矩形贴片。该贴片相对表面形成相互重叠的第一和第二电极。该基片具有一对侧槽和连接其之底槽所组成的Ｕ形槽。该Ｕ形槽连续围绕贴片三边使之在与基片支撑端之一相对的悬臂端以悬...

一种珀尔帖效应组件，其包括由位于在一对衬底之间的多个珀尔帖效应元件组成的并联装置，所述的珀尔帖效应元件和位于在衬底上的连接电极相连，一个包围珀尔帖效应元件阵列的中空密封框架通过密封框架两端边缘和衬底相连区形成密封。

一种热电组件制造方法，组件中在第一和第二介电基片间矩阵排列多个热电芯片并且串联电连接，以便根据在各个芯片获得的珀尔帖效应加热一基片并冷却其它基片。将被切成芯片的拉长的Ｐ型和Ｎ型热电棒与具有多个以矩阵图形排列的第一接触一起被采用。沿行间隔...

一种树脂模塑装置生产模压制品而不必先将粉末状树脂原料预制成片状同时又避免出现空隙。这种模塑装置包含有：一上模具，一下模具，一加热器，一柱塞，一模具空腔，一流道向一可移动于流道的闭合位置与开启位置之间的出入口构件。在闭合位置，树脂原料受到...

一种热电器件在Ｂｉ－Ｓｂ－Ｔｅ或Ｂｉ－Ｔｅ－Ｓｅ的半导体基体与沉积其上的扩散阻挡层之间具有增强的附着强度，用于阻止焊接材料扩散进半导体基体。在半导体基体与Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ及Ｎｉ的扩散阻挡层之间形成一Ｓｎ合金层用于增强附着强度。通过锡与半导...

由可劈裂热电材料制成的铸板（１０）呈现一种具有多个劈裂面的层状结构，基本上所有的劈裂面都被设置在相对于上、下表面呈一小劈裂角的方位上。该铸板能沿基本垂直于劈裂面的破裂面被成功地切割成板条（２０）而不会引起实质性内层破裂。电极（２５）在由...

本发明公开了一种热电组件及其制作方法。该热电组件含有在第一和第二接触器之间的设置成矩阵的多个Ｐ型和Ｎ型热芯片，这些芯片组成一个串联电路，芯片给出至少三个芯片阵列。在芯片的一侧提供一个第一载体来承载第一接触器并包括第一桥，第一桥把两个相邻...

一种使用掩模和光学系统，在可熔蚀的工件表面激光熔蚀形成由不规则凹陷构成的复杂轮廓面的方法。这种方法包括根据预期的工件表面的特性来确定复杂轮廓面，把这种复杂轮廓面分解成一种以上简单的、具有不同特性的规则波的图形，然后将能量束照射到工件表面...

用于封装半导体芯片的环氧树脂包封料，包含： 所说的环氧树脂包封料具有的一些成分：一种环氧树脂，一种固化剂，一种无机填料和一种脱模剂，以及由９９重量％或更多的直径０．１ｍｍ至５．０ｍｍ的颗粒和１重量％或更少的直径０．１ｍｍ以下的微粒...

本发明的场致发射型电子源１０，设有ｎ型硅衬底１、直接或通过非掺杂多晶硅层３在ｎ型硅衬底１上形成的强电场漂移层６、以及强电场漂移层６上形成的为金薄膜的导电性薄膜７。ｎ型硅衬底１背面设有欧姆电极２。其中，从ｎ型硅衬底１注入强电场漂移层６的电...

一种热电组件１包括ｐ型热电元件３ａ和ｎ型热电元件３ｂ，交替地排列并通过提供在每个热电元件３的上表面和下表面上的电极电连接，以及固定在每侧电极上的热交换板５，其中除了结合到电极４的表面之外，每个热电元件３在它的侧面上有绝缘材料的覆盖膜２，...

一种半导体装置是由半导体基板３、可挠区域２、连接半导体基板３和可挠区域２的热绝缘区域７构成。所述热绝缘区域由热绝缘材料聚酰亚胺或氟系树脂构成。所述可挠区域连设的可动元件５，由具有不同热膨胀系数的薄壁部２Ｓ和薄膜部２Ｍ构成。在所述可挠区域...

通过下面的方法可生产一种用于具有优良热电性能和机械性能的热电元件的材料烧结体。提供一种用于热电元件的块体材料。将块体材料封闭在细长的封壳中，在对封壳抽空后，进行成型操作以减少与封壳的轴向垂直的截面，并通过成型操作获得成型的封壳。然后进行...