时至准钟表股份有限公司专利技术

时至准钟表股份有限公司共有95项专利

  • 把各向异性导电粘接剂(13)配置到电路基板(17)上边,使设置在半导体装置(16)上的突起电极(14)与电路基板(17)上边的布线图形(15)进行位置对准后,把半导体装置(16)载置到电路基板(17)上边,用加压加热夹具(18),用比各...
  • 一种手表型通信机及其天线,备有:在其内部带有支撑于支撑框(12)的显示面板(13),和与电池(22)层叠并取与该电池(22)电气上连接用的电路基板(15)的通信机壳体(2);以及收容在此一通信机壳体(2)内,带有形成环形的第1导体(23...
  • 考虑到珀耳帖效应对热电发电器的发电电压的影响,为了适当地控制向负载单元的供电、有效地利用热电发电器的发电能量,将利用热电发电器(10)的发电电力的负载单元(20)和测量热电发电器(10)的发电电压(V1)并根据该发电电压(V1)控制向负...
  • 定子(2)包括第1定子零件(1a)和第2定子零件(1b),它们由高导磁率材料制成并由位于其间的低导磁率或非磁性连接部(1c、1d)焊接连接。该定子包括一个设有一对缺口(5a、5b)的孔(2),这些缺口决定初始相位角(θ1)并用作设定用磁...
  • 在具备有靠外部能量发电的发电装置(1),和用其发出的电力充电的充电装置(3)的电子表中,计时装置(4)在由发电装置(1)或者充电装置(3)的电力进行时间显示动作的同时,产生用于计数充电装置(3)的保有电能的计数脉冲(S10),根据该计数...
  • 一种太阳电池装置,其特征在于:备有设在太阳电池的正面侧用于使从太阳电池反射的光漫射以减少向正面侧射出光量的遮掩层、设在该遮掩层的正面侧用于控制从正面侧入射的任意波长的光使其达到规定透射率的光学构件、及设在上述光学构件的正面侧用于使从该光...
  • 一种太阳电池装置,其特征在于:在太阳电池的正面侧设置使从正面侧入射的光漫射的漫透射层,同时在上述漫透射层内含有吸收从正面侧入射的光的规定波长区域并发光的发光体。
  • 本发明用感光性树脂12在基板10上形成带状图形,在基板背面形成高分子膜,用电镀法在感光性树脂的开口部内的电极膜11上形成第1热电体15和第2热电体17,用热固型树脂16覆盖第1热电体15和第2热电体17,然后,将通过溶解基板10和电极膜...
  • 本发明是制造热电元件的方法,该方法如下,分别留下厚度方向的一部分,按照相同的间隔制作平行地形成了多个槽(16、26)的n型热电半导体的开槽块(11)以及p型热电半导体的开槽块(21),使该n型和p型热电半导体的开槽块(11、21)相互嵌...
  • 经过下述工序形成半导体封装:粘贴工序,用于把经过基板电路形成工序、IC芯片装配工序、树脂密封工序和电极形成工序形成的封装集合体100a粘贴到基准构件8上;切断工序,用于在粘贴工序之后,对封装集合体进行切片,切分成一个一个的电路基板1。
  • 通过倒装芯片连接把比IC芯片小的电路基片1安装在形成了IC芯片5的晶片上。然后,使用密封树脂密封IC芯片5和电路基片1之间的间隔。再切割晶片11,切割成半导体封装20。
  • 通过绝缘层(50)有规则地配置或者固定由n型热电半导体构成的多个n型棒状元件(51)和由p型热电半导体构成的多个p型棒状元件(52)制成热电元件块(53)。在成为热电元件块(53)的配线端面的上面(53a)、下面(53b)上用配线用导电...
  • 有规则地配置n型以及p型热电半导体(8,9)使得各端面形成大致同面的配线端面(3a,3b),同时通过绝缘体接合各热电半导体(8,9)使其一体化,在两配线端面(3a,3b)上设置相互电气连接n型以及p型热电半导体(8,9)的配线电极(7)...
  • 在太阳电池(13)的正面侧配置用于使从该太阳电池(13)反射的光漫射以减少向正面侧射出的光量的遮掩层(14)。该遮掩层(14)担负着防止上述反射光返回到外部观察者的作用,通过引入该层能够使位于内侧的太阳电池凭目视不能辩认。然后在该遮掩层...
  • 太阳能电池装置(2)的制造方法,包括下列工序:在绝缘基极(10)的表面上形成透明氧化物电极(12)的工序;利用比设置该透明氧化物电极(12)时的刻蚀气体的饱和蒸汽压高的卤素气体,清洗绝缘基极(10)和透明氧化物电极(12)的表面的工序;...
  • 在半导体芯片(1a)上边,在其多个输入输出端子用电极焊盘(2)上,形成具有开口部分(3a)的绝缘膜(3),在该绝缘膜(3)上边,分别设置多个连接电极(4),使得通过开口部分(3a)与各个电极焊盘(2)接触。在该各个连接电极(4)上边设置...
  • 一种太阳能电池(2),具有依次叠合绝缘透明玻璃基片(10)、透明氧化物电极(12)、通过对透明氧化物电极(12)进行氧化性等离子体处理而形成的表面处理层(14)、氮化硅膜(16)、p型半导体层(18)、缓冲层(20)、本征半导体层(22...
  • 一种把有机系层间绝缘膜(19)作为绝缘膜,在上下多层地形成要在半导体装置上边形成的布线的半导体装置的制造方法,其特征是:对其绝缘电阻因受到由等离子体引起的损伤而降低的有机系层间绝缘膜(19),用溅射刻蚀法,进行目的为减小下层布线(13a...
  • 向分别形成了电极(83、84)的第1基极(81)和第2基极(82)之间封入液晶(85)构成的液晶显示装置(80)内,安装用来驱动它的半导体装置(1)。在该半导体装置(1)中,在已形成了集成电路的半导体芯片(12)的表面上设置的电极焊盘上...
  • 一种用这样的方法制造的半导体装置:在设置有多个电极焊盘(14)的半导体芯片(12)上边,在各个电极焊盘(14)上边设置开口(16a)地形成绝缘膜(16),并在绝缘膜(16)上边设置通过该开口(16a)与相应的电极焊盘(14)导通的多个下...