本发明涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种正入射共面电极阵列光电芯片及其制备方法；一种正入射共面电极阵列光电芯片，包括多个分光单元，每个分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极；分光槽贯穿芯片的吸收层；芯片的正面上还设有第二电极；以芯片的正...

本发明涉及光通信传输技术领域，本发明提供了一种正入射式光电芯片及其制备方法，一种正入射式光电芯片，所述芯片上开设分光孔，所述分光孔贯穿所述芯片的吸收层；所述芯片的正面上还设有吸光区和第一电极，所述第一电极位于所述吸光区的外侧；以所述芯片...

本发明涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种背入射式光电芯片、制备方法和安装方法；一种背入射式光电芯片，芯片上开设有分光槽，分光槽贯穿芯片的吸收层；芯片的背面为入光侧；分光槽用于将入射光的一部分透射分出，入射光的另一部分光进入到吸收层内进...

本发明提供了一种背入射式共面电极光电芯片，包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层；芯片上开设分光孔，分光孔贯穿吸收层；顶层内设有光敏区，光敏区的内端与吸收层相连接；芯片的正面上设有相互绝缘设置的第一电极和第二电极，第一电极与光敏区的外端相连接，...

一种光电二极管芯片，包括基片，基片上设有光敏面和电极层；电极层包括电极环和电极焊盘，电极环围绕光敏面设置，电极焊盘与电极环电连接；基片包括与电极焊盘位置相对的第一外边缘，光敏面包括与电极焊盘位置相对的第一光敏边缘，第一光敏边缘与第一外边...

本实用新型涉及一种紧凑型高速光电二极管，包括衬底，以及形成于所述衬底上的正电极环、负电极环、正电极和负电极，所述负电极环上设置有开口，所述负电极与所述负电极环的一端连接；所述正电极环设于负电极环内；所述正电极通过所述开口与所述正电极环连...

一种具有改进结构的光波导相位调制器芯片，包括基片，所述基片上设有Y波导，所述Y波导包括入射光波导及与所述入射光波导相连接的两个分支光波导；所述基片上还设有位于所述入射光波导两侧的预相位调制电极组、位于两个所述分支光波导两侧的高速相位调制...

一种调制带宽大的光波导相位调制器芯片，包括基片，所述基片上设有Y波导；所述Y波导包括入射光波导及与所述入射光波导相连接的两个分支光波导；所述基片上还设置有：位于两个所述分支光波导之间的第一高速相位调制电极；位于两个所述分支光波导外一侧，...

一种设有定向耦合器的光波导相位调制器芯片，包括基片，基片上设有Y波导；Y波导包括入射光波导及与入射光波导相连接的两个分支光波导；基片上还设有定向耦合器，定向耦合器包括两个耦合光波导及两个耦合电极；每个耦合光波导与对应一个分支光波导远离入...

一种具有预相位调制功能的光波导相位调制器芯片，包括基片，所述基片上设有Y波导；所述Y波导包括入射光波导及与所述入射光波导相连接的两个分支光波导；所述基片上还设有对所述入射光波导内的光信号进行相位调制的预相位调制电极组及对两个所述分支光波...

本发明提供了一种背入射式阵列光电芯片及其制备方法，一种背入射式阵列光电芯片，包括多个分光监控单元，每个分光监控单元包括透光槽和光敏区；透光槽向芯片任一表面的方向开口并贯穿芯片的吸收层，光敏区形成于芯片的顶层并一端连接至芯片的吸收层；吸收...

本发明涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种正入射式多单元光电芯片及其制备方法；一种正入射式多单元光电芯片，包括多个分光单元，每个分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极；分光槽贯穿芯片的吸收层；第一电极位于吸光区的外侧；以芯片的正面为入光侧...

本发明涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种正入射式共面电极光电芯片及其制备方法；一种正入射式共面电极光电芯片，芯片上开设主光槽，主光槽向芯片的任一表面方向开口并贯穿芯片的吸收层；芯片的正面上还设有收光区、第一电极和第二电极，第一电极位于...

本发明提供了一种芯片封蜡装置，涉及生产制造领域。包括：加热板，所述加热板上设有相对且间隔设置的顶柱和第一定位组件，所述第一定位组件包括依次层叠设置的第一顶板、第二顶板以及第三顶板，所述第一顶板与所述加热板接触，所述第一顶板、所述第二顶板...

本发明涉及工装治具技术领域，具体涉及一种TO帽转料装置。本申请提供的TO帽转料装置用于将TO帽从来料盘导入设备盘内，所述TO帽转料装置包括筛料盘和倒料盘；与现有技术相比，本申请提供的TO帽转料装置能够一次性转移多个TO帽，不必人工采用镊...

本实用新型公开了一种双负极光电二极管芯片，光电二极管芯片包括：芯片衬底；设置在芯片衬底一侧表面的外延功能层；外延功能层具有位于芯片衬底表面的负极凸台以及位于负极凸台背离芯片衬底一侧表面的正极凸台；负极凸台背离芯片衬底一侧的表面具有第一区...

本实用新型公开了一种短距离通信高速光电二极管芯片，本实用新型技术方案采用非掺杂GaAs衬底，在非掺杂GaAs衬底上形成与非掺杂GaAs衬底晶格匹配的外延功能层，可以使得接收速率为10Gbps的光电二极管芯片在小于1公里的范围内接收850...

本发明公开了一种短距离通信高速光电二极管芯片及其制作方法，本发明技术方案采用非掺杂GaAs衬底，在非掺杂GaAs衬底上形成与非掺杂GaAs衬底晶格匹配的外延功能层，可以使得接收速率为10Gbps的光电二极管芯片在小于1公里的范围内接收8...

本发明公开了一种雪崩光电探测器、制作方法以及激光雷达系统中，设置雪崩光电探测器的感光区域为直径范围在100μm～300μm的圆形区域，相对于感光区域为50μm的传统雪崩光电探测器，可以使得探测距离到达200m以上，响应度可以达到20A/...

本发明公开了一种双负极光电二极管芯片及其制作方法，光电二极管芯片包括：芯片衬底；设置在芯片衬底一侧表面的外延功能层；外延功能层具有位于芯片衬底表面的负极凸台以及位于负极凸台背离芯片衬底一侧表面的正极凸台；负极凸台背离芯片衬底一侧的表面具...