一种调制带宽大的光波导相位调制器芯片制造技术

一种调制带宽大的光波导相位调制器芯片，包括基片，所述基片上设有Y波导；所述Y波导包括入射光波导及与所述入射光波导相连接的两个分支光波导；所述基片上还设置有：位于两个所述分支光波导之间的第一高速相位调制电极；位于两个所述分支光波导外一侧，且通过第一电阻与所述第一高速相位调制电极电连接的第二高速相位调制电极；位于两个所述分支光波导外另一侧，通过至少一根焊线与第二高速相位调制电极电连接，且通过第二电阻与所述第一高速相位调制电极电连接的第三高速相位调制电极；本实用新型专利技术提供的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，调制带宽大。

【技术实现步骤摘要】
一种调制带宽大的光波导相位调制器芯片
本技术涉及电光调制器
，具体涉及一种调制带宽大的光波导相位调制器芯片。
技术介绍
现有的光波导相位调制器芯片包括基片，基片上设有Y波导及对Y波导内的光信号进行相位调制的调制电极。入射光信号经过光纤耦合后进入到Y波导内，通过对调制电极加电来对Y波导内的光信号进行相位调制。但是现有的光波导相位调制器芯片调制带宽小，一般为1GHz，无法满足需求。
技术实现思路
(一)本技术的目的是提供一种调制带宽大的光波导相位调制器芯片。(二)技术方案为了实现上述技术问题，本技术提供了一种调制带宽大的光波导相位调制器芯片，包括基片，所述基片上设有Y波导；所述Y波导包括入射光波导及与所述入射光波导相连接的两个分支光波导；所述基片上还设置有：位于两个所述分支光波导之间的第一高速相位调制电极；位于两个所述分支光波导外一侧，且通过第一电阻与所述第一高速相位调制电极电连接的第二高速相位调制电极；位于两个所述分支光波导外另一侧，通过至少一根焊线与第二高速相位调制电极电连接，且通过第二电阻与所述第一高速相位调制电极电连接的第三高速相位调制电极。本技术提供的调制带宽大的光波导相位调制器芯片通过设置所述第一电阻和所述第二电阻将所述第二高速相位调制电极、所述第一高速相位调制电极和所述第三高速相位调制电极在电极层面连为一体，形成能够进行高速相位调制的行波电极结构，调制带宽大；所述第二高速相位调制电极与所述第三高速相位调制电极通过所述焊线连接，使之能够进行共同加电调制，实现速度匹配，以进行高速相位调制，调制带宽大。进一步地，所述第一高速相位调制电极在所述分支光波导上的投影长度大于所述第三高速相位调制电极在所述分支光波导上的投影长度。进一步地，所述第三高速相位调制电极在所述分支光波导上的投影长度大于5mm且小于10mm，相位调制效果好且光传输损耗小。进一步地，所述第二高速相位调制电极的电极区的面积大于800mm2且小于1500mm2，实现行波阻抗的匹配。进一步地，所述第一电阻和所述第二电阻的阻值均为50Ω～100Ω，实现行波阻抗的匹配。进一步地，所述第一电阻和所述第二电阻为贴片电阻，耐潮湿和高温，温度系数小，可大大节约空间成本，使设计更精细化。进一步地，所述基片上还设置有：与所述第一高速相位调制电极电连接，且相互间隔的第一焊盘和第二焊盘；与所述第二高速相位调制电极电连接，且相互间隔的第三焊盘和第四焊盘；与所述第三高速相位调制电极电连接的第五焊盘，所述第三焊盘通过所述第一电阻与所述第二焊盘电连接，所述第二焊盘通过所述第二电阻与所述第五焊盘电连接。进一步地，所述基片上还设置有位于两个所述分支光波导之间的补偿相位调制电极，所述补偿相位调制电极位于所述第一高速相位调制电极远离所述入射光波导的一侧，所述补偿相位调制电极对经过高速相位调制的光信号进行补充相位调制，进行更精确的相位调制，相位调制精度更好。进一步地，所述补偿相位调制电极在所述分支光波导上的投影长度大于2mm且小于5mm，相位调制效果好且光传输损耗小。进一步地，所述第一高速相位调制电极、所述第二高速相位调制电极、所述第三高速相位调制电极和所述补偿相位调制电极均包括Ti层、Pt层和Au层，且所述Ti层的厚度为10～50nm，所述Pt层的厚度为10～100nm，所述Au层的厚度大于3um，实现速度匹配，以进行高速相位调制。进一步地，所述基片为铌酸锂基片。进一步地，所述焊线为金丝焊线，电阻小，可靠性高，所述焊线的直径为15um～30um，传导效果好。进一步地，所述焊线的数量为两根。附图说明本技术上述和/或附加方面的优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1是本技术提供的调制带宽大的光波导相位调制器芯片的结构图；其中图1中附图标记与部件名称之间的对应关系为：1、基片，11、Y波导，111、入射光波导，112、分支光波导，12、第一高速相位调制电极，121、第一焊盘，122、第二焊盘，13、第二高速相位调制电极，130、电极区，131、第三焊盘，132、第四焊盘，14、第三高速相位调制电极，141、第五焊盘，15、第一电阻，16、第二电阻，17、焊线，18、补偿相位调制电极，181、第六焊盘。具体实施方式为了能够更清楚地理解本技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本技术进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。请参考图1，本技术提供一种调制带宽大的光波导相位调制器芯片，包括基片1，所述基片1为铌酸锂(LiNbO3)基片。所述基片1上设有Y波导11，所述Y波导11包括入射光波导111及与所述入射光波导111相连接的两个分支光波导112。所述基片1上还设置有：位于两个所述分支光波导112之间的第一高速相位调制电极12；位于两个所述分支光波导112外一侧(如图1中A所示的方向)，且通过第一电阻15与所述第一高速相位调制电极12电连接的第二高速相位调制电极13；位于两个所述分支光波导112外另一侧(如图1中B所示的方向)，通过至少一根焊线17与第二高速相位调制电极13电连接，且通过第二电阻16与所述第一高速相位调制电极12电连接的第三高速相位调制电极14。所述第二高速相位调制电极13与所述第三高速相位调制电极14通过所述焊线17连接，能够使对所述第二高速相位调制电极13和所述第三高速相位调制电极14进行共同加电调制，实现速度匹配，以进行高速相位调制，调制带宽大，同时也能够避免与所述第一高速相位调制电极12形成交叉电连接，且通过所述焊线17电连接能够有效降低连接电阻，满足高频调制电极的需求。具体地，所述焊线17为金丝焊线，电阻小，可靠性高，进而传导效果好。所述焊线17的直径为15um～30um，传导效果好。可选地，所述焊线17的数量为两根。所述第一高速相位调制电极12在所述分支光波导112上的投影长度大于所述第三高速相位调制电极14在所述分支光波导112上的投影长度。可选地，所述第三高速相位调制电极14在所述分支光波导112上的投影长度大于5mm且小于10mm，相位调制效果好且光传输损耗小。所述第二高速相位调制电极13的电极区130的面积大于800mm2且小于1500mm2。所述第一电阻15和所述第二电阻16的阻值均为50Ω～100Ω，实现行波阻抗的匹配。所述第一电阻15和所述第二电阻16为贴片电阻，耐潮湿和高温，温度系数小，可大大节约空间成本，使设计更精细化。具体地，所述第一电阻15和所述第二电阻16的外形尺寸的长均小于2mm且宽均小于2mm，避免因外形尺寸过大而放置不下。所述基片1上还设置有：与所述第一高速相位调制电极12电连接，且相互间隔的第一焊盘121和第二焊盘122；与所述第二高速相位调制电极13电连接，且相互间隔的第三焊盘131和第四焊盘132；与所述第三高速相位调制电极14电连接的第五焊盘141，所述第三焊盘131通过所述第一电阻15与所述第二焊盘122电连接，所述第二焊盘122通过所述第二电阻16与所述第五焊盘141电连接。所述基片1上还设置有位于两个所述分支光波导112之间的补偿相位调制电极18，所述补偿相位调制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：包括基片，所述基片上设有Y波导；所述Y波导包括入射光波导及与所述入射光波导相连接的两个分支光波导；所述基片上还设置有：位于两个所述分支光波导之间的第一高速相位调制电极；位于两个所述分支光波导外一侧，且通过第一电阻与所述第一高速相位调制电极电连接的第二高速相位调制电极；位于两个所述分支光波导外另一侧，通过至少一根焊线与所述第二高速相位调制电极电连接，且通过第二电阻与所述第一高速相位调制电极电连接的第三高速相位调制电极。

【技术特征摘要】
1.一种调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：包括基片，所述基片上设有Y波导；所述Y波导包括入射光波导及与所述入射光波导相连接的两个分支光波导；所述基片上还设置有：位于两个所述分支光波导之间的第一高速相位调制电极；位于两个所述分支光波导外一侧，且通过第一电阻与所述第一高速相位调制电极电连接的第二高速相位调制电极；位于两个所述分支光波导外另一侧，通过至少一根焊线与所述第二高速相位调制电极电连接，且通过第二电阻与所述第一高速相位调制电极电连接的第三高速相位调制电极。2.根据权利要求1所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述第一高速相位调制电极在所述分支光波导上的投影长度大于所述第三高速相位调制电极在所述分支光波导上的投影长度。3.根据权利要求2所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述第三高速相位调制电极在所述分支光波导上的投影长度大于5mm且小于10mm。4.根据权利要求1所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述第二高速相位调制电极的电极区的面积大于800mm2且小于1500mm2。5.根据权利要求1所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述第一电阻和所述第二电阻的阻值均为50Ω～100Ω。6.根据权利要求1所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述第一电阻和所述第二电阻为贴片电阻。7.根据权利要求1所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨彦伟，刘宏亮，曾建武，邹颜，
申请(专利权)人：深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44