正入射式共面电极光电芯片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种正入射式共面电极光电芯片及其制备方法；一种正入射式共面电极光电芯片，芯片上开设主光槽，主光槽向芯片的任一表面方向开口并贯穿芯片的吸收层；芯片的正面上还设有收光区、第一电极和第二电极，第一电极位于收光区的外侧，第一电极和第二电极相互绝缘设置；以芯片的正面为入光侧，主光槽用于入射光的一部分射出，入射光的另一部分从收光区进入到吸收层内进行光电转换；故本发明专利技术提供的正入射式共面电极光电芯片既能够分光，又能够对入射光的光功率进行监控；进而使用本发明专利技术提供的芯片的光路系统，无须使用光分路器进行分光，减少了系统体积，也降低了成本。

Positive Incident Coplanar Electrode Photoelectric Chip and Its Preparation Method

The invention relates to the field of optical communication transmission technology, in particular to a positive incident coplanar electrode photoelectric chip and its preparation method; a positive incident coplanar electrode photoelectric chip is provided with a main optical groove on the chip, which opens to any surface of the chip and penetrates the absorption layer of the chip; the front of the chip is also provided with an optical absorption region, a first electrode and a second electrode, and a first electrode. The first and second electrodes are insulated from each other on the outside of the receiving area; on the front side of the chip, the main light groove is used to emit part of the incident light, and the other part of the incident light enters the absorbing layer from the receiving area for photoelectric conversion; therefore, the positive incident coplanar electrode photoelectric chip provided by the invention can not only distribute light, but also monitor the light power of the incident light. The optical system of the chip provided by the invention does not need to use an optical splitter for light splitting, thus reducing the volume of the system and the cost.

【技术实现步骤摘要】
正入射式共面电极光电芯片及其制备方法
本专利技术涉及光通信传输
，具体涉及一种正入射式共面电极光电芯片及其制备方法。
技术介绍
激光器发射的光信号经光纤传输进入无源光波导(PLC)之前，通常需要光分路器分出部分(例如5％)光信号到另外的光接收芯片上，进行光功率监控。剩余(例如95％)的光信号通过光纤耦合到光波导，进行传输。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种正入射式共面电极光电芯片及其制备方法，该芯片既能够实现分光，又能够实现光功率的监控。为了实现上述技术问题，本专利技术提供了一种正入射式共面电极光电芯片，所述芯片上开设主光槽，所述主光槽向所述芯片的任一表面方向开口并贯穿所述芯片的吸收层；所述芯片的正面上还设有收光区、第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述收光区的外侧，所述第一电极和所述第二电极相互绝缘设置；以所述芯片的正面为入光侧，所述主光槽用于入射光的一部分射出，入射光的另一部分从所述收光区进入到所述吸收层内进行光电转换。本专利技术提供的正入射式共面电极光电芯片设置了主光槽，主光槽贯穿吸收层。芯片的正面上还设有收光区、第一电极和第二电极。入射光从芯片正面的一侧射入芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种正入射式共面电极光电芯片，其特征在于：所述芯片上开设主光槽，所述主光槽向所述芯片的任一表面方向开口并贯穿所述芯片的吸收层；所述芯片的正面上还设有收光区、第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述收光区的外侧，所述第一电极和所述第二电极相互绝缘设置；以所述芯片的正面为入光侧，所述主光槽用于入射光的一部分射出，入射光的另一部分从所述收光区进入到所述吸收层内进行光电转换。

【技术特征摘要】
1.一种正入射式共面电极光电芯片，其特征在于：所述芯片上开设主光槽，所述主光槽向所述芯片的任一表面方向开口并贯穿所述芯片的吸收层；所述芯片的正面上还设有收光区、第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述收光区的外侧，所述第一电极和所述第二电极相互绝缘设置；以所述芯片的正面为入光侧，所述主光槽用于入射光的一部分射出，入射光的另一部分从所述收光区进入到所述吸收层内进行光电转换。2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：还包括顶层，所述顶层位于所述吸收层正面的一侧；所述顶层内设有光敏区；所述光敏区的内端与所述吸收层相连接，所述光敏区的外端与所述第一电极相连接；所述收光区与所述光敏区有重叠区域；所述主光槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述顶层。3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于：还包括衬底，所述衬底位于所述吸收层的背面一侧；所述衬底和所述吸收层之间还设有缓冲层，所述第二电极与所述缓冲层相连接；所述主光槽的内端位于所述缓冲层。4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于：所述芯片上还开设电极安装槽，所述电极安装槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述顶层和所述吸收层，所述第二电极设于所述电极安装槽内。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨彦伟，刘宏亮，刘格，邹颜，
申请(专利权)人：深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44