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本发明涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种正入射式共面电极光电芯片及其制备方法；一种正入射式共面电极光电芯片，芯片上开设主光槽，主光槽向芯片的任一表面方向开口并贯穿芯片的吸收层；芯片的正面上还设有收光区、第一电极和第二电极，第一电极位于收光...
该专利属于深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司授权不得商用。

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