本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

本申请实施例提供了一种半导体器件，包括第一半导体层；形成在第一半导体层之上的电场终止层；形成在电场终止层之上的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的漂移区，形成在漂移区内的柱区；形成在漂移区上方的第二半导体层；电场过渡层的掺杂浓度&...

本申请实施例提供了一种半导体器件，包括第一半导体层；形成在第一半导体层之上的电场终止层；形成在电场终止层之上的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的漂移区，形成在漂移区内的柱区；形成在漂移区上方的第二半导体层；电场过渡层的掺杂浓度&...

本申请实施例提供了一种IGBT器件及开关电路。IGBT器件包括集电极；形成在所述集电极之上的电场终止层；形成在电场终止层之上的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的漂移区，以及形成在漂移区的柱区；形成在漂移区上方的阱区；其中，电场过渡层的掺...

本发明提供了一种超级结LDMOS器件。该超级结LDMOS器件包括：外延层，具有第一表面，外延层的第一表面两端设置有源区和漏区；漂移区，位于外延层中并靠近或接触第一表面设置，漂移区沿第一方向延伸，且漂移区具有沿第一方向相对的第一端和第二端...

本发明提供了提供一种超级结LDMOS器件。上述超级结LDMOS器件设置在半导体衬底上，该超级结LDMOS器件包括：外延层，外延层设置在半导体衬底上，外延层中具有间隔设置的源区和漏区，外延层具有远离半导体衬底的第一侧；漂移区，漂移区位于第...

本发明公开了一种超级结功率器件，包括叠层设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层包括有源区和终端区，所述终端区环绕设置在所述有源区外侧，且所述终端区包括沿有源区的周向间隔设置的侧边终端区和拐角终端区；所述第二半导体层包括超级结...

本发明提供了一种超级结LDMOS器件。该器件包括外延层以及位于外延层一侧并顺序设置的体区、漂移区以及漏区，该超级结LDMOS器件还包括：第一掺杂区域，第一掺杂区域位于漂移区中并靠近体区设置，且第一掺杂区域与漂移区的掺杂类型相反；第二掺杂...

本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管。该晶体管包括：外延层；漂移区，形成于外延层中，漂移区具有第一掺杂类型；多个超级结，形成于漂移区中并沿第一方向间隔设置，各超级结均沿第二方向和第三方向延伸，第一方向平行于第一表面，第二方向为漂移区的第一...

本发明提供了一种快恢复二极管及其制作方法。该快恢复二极管结构包括：衬底，衬底中具有漂移区，漂移区具有相对的第一侧和第二侧；第一类型掺杂区，第一类型掺杂区位于漂移区中，且第一类型掺杂区沿第一侧指向第二侧的方向延伸，第一类型掺杂区与漂移区的...

本发明公开了一种本发明实施例提供了一种超级结绝缘栅双极型晶体管，包括沿第一方向依次设置的集电极、集电区、漂移区、外延层、阱区和发射极，以及，栅极和超级结区，所述栅极设置在所述阱区和外延层内，所述漂移区具有沿第一方向依次设置的第一区域和第...

本申请提供了一种芯片封装结构与电子器件。该芯片封装结构包括依次叠置的基板、DBC基板和开关器件，其中，基板包括基岛和绝缘部，基岛用于支撑DBC基板，开关器件包括本体结构、源极、漏极和栅极，源极和栅极位于本体结构的远离DBC基板的表面上，...

本申请提供了一种用于射频领域的SiC JFET器件以及射频器件，该SiC JFET器件包括衬底、栅极线以及源极线，栅极线以及源极线均位于衬底的表面上，栅极线与源极线不连接，其中，源极线与衬底中的源区对应接触；栅极线包括第一总线以及多个间...

本发明公开了一种具有渐变掺杂沟道的SiC MOSFET器件及其制备工艺，所述SiC MOSFET器件包括SiC漂移区、P型体区、源极N型掺杂区、栅极氧化层、源极金属和栅极，P型体区形成于SiC漂移区表面的两侧，源极N型掺杂区形成于P型体...

本发明公开了一种低关断电流拖尾的超级结IGBT及其制作方法。所述超级结IGBT包括集电区、漂移区、外延层和阱区；漂移区内分布有超级结结构，超级结结构包含柱状结构；阱区上部形成有发射极，外延层和阱区内分布有栅极，每一发射极环绕相应的一个栅...

本发明公开了一种低关断损耗的超级结绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。所述超级结绝缘栅双极型晶体管包括第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第二导电类型的外延层和第一导电类型的阱区；集电区与集电极配合设置；漂移区形成在集电区上，并且漂...