绝缘栅双极型晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

【技术实现步骤摘要】
绝缘栅双极型晶体管及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极型晶体管
(Insulated Gate Bipolar Transistor
，
IGBT)
，是由双极型三极管
(BJT)
和绝缘栅型场效应管
(MOS)
组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
,
兼有
MOSFET
的高输入阻抗和
GTR
的低导通压降两方面的优点，即驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为
600V
及以上的变流系统如交流电机
、
变频器
、
开关电源
、
照明电路
、
牵引传动等领域
。
[0003]IGBT
在导通时，发射区和集电区都会向漂移区注入大量空穴，增加器件的电导率，降低导通损耗
。
但在
IGB本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：集电区，所述集电区具有相对的第一表面和第二表面；至少一个掺杂区，每个所述掺杂区与所述第一表面接触，且多个所述掺杂区间隔设置；漂移区，所述漂移区位于所述掺杂区远离所述集电区的一侧，所述漂移区具有远离所述掺杂区的第三表面，所述掺杂区的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度；至少一个超级结，所述超级结沿第三表面贯穿至所述漂移区中，所述漂移区的部分位于所述掺杂区与所述超级结之间，其中，所述漂移区和所述掺杂区为第一掺杂类型，所述超级结和所述集电区为第二掺杂类型
。2.
根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述掺杂区的掺杂浓度沿第一方向递增，所述第一方向为所述第三表面指向所述第一表面的方向
。3.
根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述掺杂区至少部分位于所述超级结与所述集电区之间
。4.
根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述掺杂区在所述第一表面上的投影与所述第一表面重合
。5.
根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述超级结沿第一方向延伸
。6.
根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，还包括：第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述集电区与所述掺杂区之间，所述第二掺杂区为第二掺杂类型
。7.

【专利技术属性】
技术研发人员：祁金伟，张耀辉，卢烁今，
申请(专利权)人：深圳市千屹芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：