超级结功率器件制造技术

本发明专利技术公开了一种超级结功率器件，包括叠层设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层包括有源区和终端区，所述终端区环绕设置在所述有源区外侧，且所述终端区包括沿有源区的周向间隔设置的侧边终端区和拐角终端区；所述第二半导体层包括超级结区，所述超级结区包括多个超级结柱，所述超级结区在所述第一半导体层上的第一正投影区域的轮廓包括第一轮廓段，所述第一轮廓段与所述拐角终端区相对应且所述第一轮廓段为弧形轮廓。本发明专利技术实施例提供的一种超级结功率器件，将超级结区对应拐角终端区的轮廓设置为非平面结构，降低了器件的电场聚集效应，从而提升了器件的BV能力。力。力。

【技术实现步骤摘要】
超级结功率器件


[0001]本专利技术特别涉及一种超级结功率器件，属于半导体


技术介绍

[0002]超级结(SJ，Super Junction)技术为高压大功率器件设计提供新的解决方案，使得功率器件在不牺牲反向耐压能力的前提下，有效改善器件的导通特性。目前，该技术已经在Si基功率器件得到验证和推广，如超级结MOSFET、超级结IGBT等。
[0003]超级结功率器件的结构如图1和图2所示，其主要包括有源区1、超级结3、截止环4、侧边终端区2和拐角终端区5；在该结构中，超级结的外侧轮廓、截止环在拐角位置均呈直角，而由于直角拐角位置的电场聚集效应，致使器件在拐角位置最容易发生方向击穿，从而限制了器件的方向承压能力。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种超级结功率器件，从而克服现有技术中的不足。
[0005]为实现前述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案包括：
[0006]本专利技术实施例提供了一种超级结功率器件，包括叠层设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层包括有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超级结功率器件，包括叠层设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层包括有源区和终端区，所述终端区环绕设置在所述有源区外侧，且所述终端区包括沿有源区的周向间隔设置的侧边终端区和拐角终端区；所述第二半导体层包括超级结区，所述超级结区包括多个超级结柱，其特征在于：所述超级结区在所述第一半导体层上的第一正投影区域的轮廓包括第一轮廓段，所述第一轮廓段与所述拐角终端区相对应且所述第一轮廓段为弧形轮廓。2.根据权利要求1所述的超级结功率器件，其特征在于：所述第一轮廓段为向外凸出的弧形轮廓。3.根据权利要求1或2所述的超级结功率器件，其特征在于：所述第一轮廓段为圆弧形轮廓。4.根据权利要求3所述的超级结功率器件，其特征在于：所述第一轮廓段对应的圆心角为90
°
。5.根据权利要求3所述的超级结功率器件，其特征在于：所述第一轮廓段的曲率半径为所述超级结柱高度的0.2
‑
5倍。6.根据权利要求3所述的超级结功率器件，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁金伟，张耀辉，卢烁今，
申请(专利权)人：深圳市千屹芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：