深圳瑞沃微半导体科技有限公司专利技术

深圳瑞沃微半导体科技有限公司共有32项专利

  • 本申请提供了一种芯片封装基板制作方法及封装方法,制备方法包括在第一基板表面依次制备紫外解胶层和种子层;通过增材制造方式在所述种子层表面制备电路层;在所述电路层的第一表面制备带有第一目标区域的感光绝缘层,并通过增材制造方式在所述第一目标区...
  • 本申请提供了一种多层芯片封装基板制作方法及封装方法,S1、在基板表面依次制备紫外解胶层和第一种子层;S2、在第一种子层表面制备第一电路层;S3、在第一电路层的第一表面制备带有第一目标区域的感光绝缘层,并在第一目标区域内制备电极;S4、在...
  • 本申请提供了一种电子芯片键合方法及芯片键合件,所述方法用于将芯片粘贴于封装基板表面,所述封装基板表面设有电路,相邻电路之间设有电路河道,所述芯片设有电极;所述方法包括:在所述电路河道处涂覆绝缘胶,并将所述芯片放置于所述绝缘胶;其中,所述...
  • 本申请提供了一种微型发光芯片键合的方法及芯片键合件,所述方法包括:在所述透明基板表面涂覆感光材料,并将所述芯片放置于所述感光材料的表面;其中,所述芯片的电极朝向所述封装基板,且所述芯片放置于所述电路河道,所述芯片的两个电极与所述电路河道...
  • 本申请提供了一种大功率芯片封装键合的方法及芯片封装件,相对于现有芯片封装技术存在焊接面空洞、虚焊、假焊和散热性能低等问题,本申请提供了使芯片电极与基板金属层在常温下结合生长在一起的解决方案,具体为:将芯片与封装基板固定;其中,芯片的电极...
  • 本申请提供了一种LED芯片巨量转移的方法及发光模组,相对于现有技术中的难以将大量不同发光颜色的LED芯片又快又准地转移到目标基板上,本申请提供了将LED芯片批量转移的解决方案,具体为:将所述LED芯片的第一目标阵列转移至第一目标载板的第...
  • 本申请提供了一种芯片重构方法,本申请提供了“通过增材制造方式将所述芯片电极区域增高至第二预设高度”的解决方案,具体为:将晶圆的芯片电极朝上,并将所述晶圆的非芯片电极区域制作金属层至第一预设高度;其中,所述第二预设高度为芯片电极需要增高的...
  • 本申请提供了一种基于芯片电极重构的扇出型封装方法及芯片封装件,通过增材制造方式使所述电极沿竖直方向生长至预设高度,得到电极延长柱;通过增材制造方式使所述电极延长柱远离所述电极的一端往所述电极的方向向外延伸,得到两个相对设置的电极延长面;...
  • 本申请提供了一种芯片重构方法,本申请提供了“通过增材制造方式将所述芯片电极区域增高至第二预设高度”的解决方案,具体为:将晶圆的芯片电极朝上,并将所述晶圆的非芯片电极区域制作金属层至第一预设高度;其中,所述第二预设高度为芯片电极需要增高的...
  • 本申请提供了一种芯片堆叠封装的方法及芯片封装件,通过在芯片的周侧铺设封装胶层;其中,封装胶层的内部设有纵向延伸的通孔;通过增材制造方式将芯片的目标电极沿封装胶层的表面从通孔的内壁延伸至芯片的底部;通过增材制造方式沿通孔内壁的方向延长得到...
  • 本申请提供了一种芯片的扇出型封装方法及芯片封装件。所述扇出型封装方法用于对包括由内至外依次设置的至少两圈电极的芯片进行封装,包括:将所述芯片放置在第一载板的表面;其中,所述电极朝上;按照由外圈至内圈的顺序,依次通过增材制造方式分别使对应...
  • 本申请提供了一种光电耦合器制造方法及光电耦合器,本申请提供了通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极进行生长,得到第一底部延长面,并在所述第一底部延长面的同一平面设置第一顶部延长面、第二底部延长面和第二顶部延长面;通过增材制造方式将所述...
  • 本申请提供了一种被动式LED模组的层叠封装方法及层叠封装模组。层叠封装方法包括分别对各光色的LED单体进行封装,得到对应光色的LED封装模组;LED封装模组包括按照预设阵列排列的LED芯片,相同行的LED芯片互相连接,相同列的LED芯片...
  • 本申请提供了一种LED模组的面板级封装方法及LED封装模组。面板级封装方法用于对一种或几种光色的LED芯片进行封装,包括通过增材制造方式使各芯片电极向上延伸至预设平面;将电路基板放置在预设平面;其中,电路基板包括绝缘层、导电层和驱动电路...
  • 本申请提供了一种芯片的互连封装方法及芯片封装件。互连封装方法用于对至少两个上下电极芯片进行封装,包括:通过增材制造方式使各个第一电极互相连接形成第一互连通路,并使第一互连通路向上延伸至第一预设平面;通过增材制造方式在第一预设平面制备第二...
  • 本申请提供了一种三基色LED阵列制作方法及三基色LED阵列,所述发光芯片包括第一电极和第二电极;所述三基色LED阵列制作方法包括:在每列的所述发光芯片的一侧分别设置相对应的驱动芯片,并通过增材制造方式将所述发光芯片的第一电极分别与相对应...
  • 本申请提供了一种芯片CSP封装方法及芯片封装件,通过增材制造方式在封装基板的表面制备金属种子层;通过增材制造方式在金属种子层的表面制备第一导电通路;将芯片放置在封装基板的表面,并对芯片和第一导电通路进行灌胶封装;通过增材制造方式在预制封...
  • 本申请提供了一种大功率器件封装方法及大功率器件,通过增材制造方式将所述底面电极的引脚沿第一预设轨迹进行生长,并灌胶封装至露出所述底面电极的引脚,得到至少两个第一延长柱通过增材制造方式在预设平面将所述第一延长柱进行连接生成底面电极延长面,...
  • 本申请提供了一种芯片封装方法及芯片封装件,芯片封装方法用于将芯片封装至封装基板的表面,其中,芯片包括相对设置的第一电极和第二电极,第一电极朝向封装基板;芯片封装方法包括:将芯片放置在封装基板的表面,并在芯片的周侧铺设导电过渡层;其中,导...
  • 本申请提供了一种芯片CSP封装方法及芯片封装件。所述芯片CSP封装方法用于对上下电极芯片进行封装,包括:将芯片放置在第一载板的表面,第一电极朝向第一载板,并在芯片的周侧铺设第一封装胶层;第一封装胶层的内部设有纵向延伸的通孔;通过增材制造...