一种芯片重构方法及重构芯片技术

本申请提供了一种芯片重构方法，本申请提供了“通过增材制造方式将所述芯片电极区域增高至第二预设高度”的解决方案，具体为：将晶圆的芯片电极朝上，并将所述晶圆的非芯片电极区域制作金属层至第一预设高度；其中，所述第二预设高度为芯片电极需要增高的高度；通过增材制造方式将所述芯片电极区域增高至第二预设高度，得到重构电极晶圆；将所述重构电极晶圆的所述金属层去除，并进行分割得到重构电极芯片。本申请提高了芯片电极的强度，同时芯片电极高度的增加也起到了一定的缓冲作用，有效地化解了芯片电极与封装基板之间的热应力，避免出现芯片电极脱落或分层的失效故障的问题。出现芯片电极脱落或分层的失效故障的问题。出现芯片电极脱落或分层的失效故障的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片重构方法及重构芯片


[0001]本申请涉及电子芯片电极
，特别是一种芯片重构方法及重构芯片。

技术介绍

[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅、锗、砷化镓、氮化镓等。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。IC芯片电极(Integrated Circuit Chip)是将大量的微电子元器件形成的集成电路放在一块塑基上，做成一块芯片电极。芯片电极制作完整过程包括芯片电极设计、晶片制作、封装制作、测试等几个环节，其中晶片制作过程尤为的复杂。首先是芯片电极设计，根据设计的需求，生成的“图样”，芯片电极的原料是晶圆。
[0003]目前电子芯片电极制作过程中，芯片电极一般都在1微米到3微米之间。
[0004]但现有技术非常容易出现芯片电极脱落或分层等严重的失效故障。

技术实现思路

[0005]鉴于所述问题，提出了本申请以便提供克服所述问题或者至少部分地解决所述问题的一种芯片重构方法，包括：
[0006]一种芯片重构方法，用于将晶圆制造成重构电极芯片；其中，所述晶圆包括芯片电极区域和非芯片电极区域；所述芯片重构方法包括：
[0007]将晶圆的芯片电极朝上，并将晶圆的芯片电极之间制作金属连接线；其中，所述晶圆包括至少两个芯片电极；
[0008]将晶圆的芯片电极朝上，并将所述晶圆的非芯片电极区域制作金属层至第一预设高度；通过增材制造方式将所述芯片电极区域增高至第二预设高度，得到重构电极晶圆；其中，所述第二预设高度为芯片电极需要增高的高度；
[0009]将所述重构电极晶圆的所述金属层去除，并进行分割得到重构电极芯片。
[0010]优选地，所述将晶圆的芯片电极之间制作金属连接线的步骤，包括：将所述晶原的外围线路与芯片电极以及芯片电极之间制作金属连接线；其中，所述金属连接线的直径为5
‑
7微米。
[0011]优选地，所述将所述晶圆的非芯片电极区域涂覆金属层至第一预设高度的步骤，包括：
[0012]将所述晶圆的芯片电极区域通过遮挡层遮挡，并露出所述芯片电极的侧面；
[0013]将所述晶圆的非芯片电极区域制作所述金属层至第一预设高度；其中，所述金属层与所述芯片电极的侧面连接；
[0014]将所述芯片电极区域的遮挡层去除。
[0015]优选地，所述将所述晶圆的芯片电极区域通过遮挡层遮挡的步骤，包括：
[0016]在所述晶圆的表面涂覆感光材料，并将所述非芯片电极区域进行去除形成所述遮
挡层；
[0017]或；
[0018]将预设掩膜贴在所述晶圆表面形成所述遮挡层，使所述非芯片电极区域露出。
[0019]优选地，所述在所述晶圆的表面涂覆感光材料，并将所述非芯片电极区域进行去除形成所述遮挡层的步骤，包括：
[0020]在所述晶圆的表面涂覆感光材料，并在所述非芯片电极区域进行曝光和显影形成所述遮挡层，使所述非芯片电极区域露出。
[0021]优选地，所述将预设掩膜贴在所述晶圆表面形成所述遮挡层，使所述非芯片电极区域露出的步骤，包括：
[0022]按照所述晶圆的所述芯片电极区域的形状制作所述预设掩膜。
[0023]优选地，所述将所述芯片电极区域的遮挡层去除的步骤，包括：
[0024]在所述金属层的表面涂覆绝缘材料，形成绝缘层；
[0025]将所述芯片电极区域的遮挡层进行去除。
[0026]优选地，所述通过增材制造方式将所述芯片电极区域增高至第二预设高度，得到重构电极晶圆的步骤，包括：
[0027]通过增材制造方式将所述芯片电极区域的芯片增高至所述预设高度，得到重构电极晶圆。
[0028]优选地，所述对所述重构电极晶圆去除所述金属层得到重构电极芯片的步骤，包括：
[0029]当所述晶圆为未切割的芯片时，将所述重构电极晶圆的所述金属层进行刻蚀去除，并进行分割，得到所述重构电极芯片。
[0030]优选地，所述增材制造方式包括化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积、溅射、蒸发、电镀和化学镀中的一种或几种。
[0031]为实现本申请还包括一种所述的芯片重构方法制备得到的重构芯片，所述重构芯片的高度为预设高度。
[0032]本申请具有以下优点：
[0033]在本申请的实施例中，相对于现有技术中的“芯片电极脱落或分层等严重的失效故障”，本申请提供了通过增材制造方式将所述芯片电极区域增高至第二预设高度的解决方案，具体为：将晶圆的芯片电极朝上，并将所述晶圆的非芯片电极区域制作金属层至第一预设高度；通过增材制造方式将所述芯片电极区域增高至第二预设高度，得到重构电极晶圆；其中，所述第二预设高度为芯片电极需要增高的高度；将所述重构电极晶圆的所述金属层去除，并进行分割得到重构电极芯片。通过增材制造方式将所述芯片电极区域增高至第二预设高度解决了“芯片电极脱落或分层等严重的失效故障”的技术问题，提高了芯片电极的强度，同时芯片电极高度的增加也起到了一定的缓冲作用，有效地化解了芯片与封装基板之间的热应力，避免出现芯片电极脱落或分层的失效故障的问题。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对本申请的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域
普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1是本申请一实施例提供的一种芯片重构方法的步骤流程图；
[0036]图2是本申请一实施例提供的一种芯片重构方法的晶圆的示意图；
[0037]图3是本申请一实施例提供的一种芯片重构方法的示意图；
[0038]图4是本申请一实施例提供的一种芯片重构方法的示意图；
[0039]图5是本申请一实施例提供的一种芯片重构方法金属连接线的示意图；
[0040]图6是本申请一实施例提供的一种芯片重构方法的产品图；
[0041]说明书附图中的附图标记如下：
[0042]1、晶圆；2、芯片电极；21、遮挡层；3、金属层；4、绝缘层；5、重构电极晶圆；6、重构电极芯片。
具体实施方式
[0043]为使本申请的所述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0044]专利技术人通过分析现有技术发现：目前电子芯片电极制作过程中，芯片电极一般都在1微米到3微米之间，在后续的芯片电极2封装过程中一般情况都可以适用，但是在倒装芯片电极的封装过程中，尤其是CSP(Chip Scale Package)封装器件将直接焊本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片重构方法，用于将晶圆制造成重构电极芯片；其中，所述晶圆包括芯片电极区域和非芯片电极区域；其特征在于，所述芯片重构方法包括：将晶圆的芯片电极朝上，并将晶圆的芯片电极之间制作金属连接线；其中，所述晶圆包括至少两个芯片电极；将所述晶圆的非芯片电极区域制作金属层至第一预设高度；通过增材制造方式将所述芯片电极区域增高至第二预设高度，得到重构电极晶圆；其中，所述第二预设高度为芯片电极需要增高的高度；将所述重构电极晶圆的所述金属层去除得到重构电极芯片。2.根据权利要求1所述的芯片重构方法，其特征在于，所述将晶圆的芯片电极之间制作金属连接线的步骤，包括：将所述晶原的外围线路与芯片电极以及芯片电极之间制作金属连接线；其中，所述金属连接线的直径为5
‑
7微米。3.根据权利要求1所述的芯片重构方法，其特征在于，所述将所述晶圆的非芯片电极区域涂覆金属层至第一预设高度的步骤，包括：将所述晶圆的芯片电极区域通过遮挡层遮挡，并露出所述芯片电极的侧面；将所述晶圆的非芯片电极区域制作所述金属层至第一预设高度；其中，所述金属层与所述芯片电极的侧面连接；将所述芯片电极区域的遮挡层去除。4.根据权利要求3所述的芯片重构方法，其特征在于，所述将所述晶圆的芯片电极区域通过遮挡层遮挡的步骤，包括：在所述晶圆的表面涂覆感光材料，并将所述非芯片电极区域进行去除形成所述遮挡层；或；将预设掩膜贴在所述晶圆表面形成所述遮挡层，使所述非芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：申广，祁山，何懿德，
申请(专利权)人：深圳瑞沃微半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：