本发明公开了一种单壁碳纳米管碳气体预热解装置及其制备方法，涉及单壁碳纳米管的制备方法技术领域。该单壁碳纳米管碳气体预热解装置及其制备方法，所述真空腔体的进气端安装有含碳气体进气口，真空腔体的排气端固定安装有产品出口，产品出口远离真空腔体...

本发明公开了一种模拟战时工况的人防防护设备密闭性现场检测设备与方法，包括安装于门框墙的内壁四周的密闭框，密闭框的两侧粘接有罩面材料，密闭框靠近待检测件的一侧通过密闭框预留孔洞安装有电磁通气阀，另一侧安装有测压管和抽气管，测压管安装有数字...

本技术涉及真空镀膜机技术领域，特别公开了一种具有旋转挂架机构的真空镀膜机，包括镀膜腔一和镀膜腔二，所述镀膜腔一的侧端部铰接安装有镀膜腔二，所述镀膜腔一的内侧转动安装有底盘，所述底盘的上端部固定安装有支撑柱，所述支撑柱的上端部固定安装有顶...

本技术公开了一种快速冷却的真空镀膜机，涉及真空镀膜机技术领域，该一种快速冷却的真空镀膜机,包括装置主体，该一种快速冷却的真空镀膜机还设置降温机构，包括连接板、风扇、移动板、同步链条和两个螺纹杆，所述装置主体的后表面固定连接有连接板，启动...

本技术公开了一种可提高镀膜均匀度的真空镀膜机，涉及镀膜技术领域，该一种可提高镀膜均匀度的真空镀膜机，包括装置主体，该一种可提高镀膜均匀度的真空镀膜机还设置有旋转机构，包括旋转底板和旋转顶板，所述旋转底板位于装置主体的内部，且旋转顶板同样...

本技术涉及一种用于真空镀膜机的固定装置领域，公开了一种用于真空镀膜机的固定装置，包括真空镀膜机本体，所述真空镀膜机本体，所述真空镀膜机本体的底部设置有调节机构，所述调节机构的底部设置有底座，所述真空镀膜机本体的两侧均设置有固定机构，本技...

本技术公开了一种具有散热设备的真空镀膜机，涉及真空镀膜机技术领域，该一种具有散热设备的真空镀膜机，包括镀膜机本体，镀膜机本体内设置有水箱，镀膜机本体右表面固定安装有水泵，水泵出水口固定连接有连接管，水泵入水口固定连接有输送管，本技术通过...

本技术公开了一种具有烘干功能的镀膜装置，属于镀膜设备技术领域。一种具有烘干功能的镀膜装置，包括安装箱，还包括：固定连接在所述安装箱内的电镀液槽体，转动连接在所述安装箱上的安装轴，所述安装轴上固定连接有安装辊，所述安装辊上转动连接有传输带...

本实用新型公开了一种干簧管继电器触点用多层膜结构，该多层膜结构由基体上依次沉积的钼底层、渐变涂层、硬质涂层以及纳米涂层构成，由于其以表层的纳米层作为疲劳磨损层，可实现与低硬度膜层具有相同的表面接触面积，减小接触疲劳磨损，而纳米涂层以下的...

本发明公开了一种干簧管继电器触点用多层膜结构及其制备方法，该多层膜结构由基体上依次沉积的钼底层、渐变涂层、硬质涂层以及纳米涂层构成，由于其以表层的纳米层作为疲劳磨损层，可实现与低硬度膜层具有相同的表面接触面积，减小接触疲劳磨损，而纳米涂...

本发明提供一种极高靶材利用率的镀膜设备，涉及一种真空溅射镀膜技术领域。该发明包括真空室，其中，还包括管状靶材、偏压电源、直流线圈电源和镀膜电源，管状靶材设置在真空室内，偏压电源、直流线圈电源和镀膜电源均设置在真空室外，管状靶材上缠绕有水...

本发明提供一种PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备，涉及一种真空溅射镀膜技术领域。该发明包括真空室、上盖升降机构和电源，真空室内设置有阴极钨丝、磁极板、磁控靶和工件台，阴极钨丝通过灯丝固定柱固定在真空室的顶端中心处，阴极钨丝围绕真空室的...

本实用新型提供一种等离子体化学气相沉积镀膜装置，涉及技术领域。该实用新型包括真空室，真空室内设置有阴极屏、工件架和偏压电源，阴极屏设置在真空室的下部，工件架设置在阴极屏上，偏压电源设置在真空室外部，偏压电源包括第一偏压电源和第二偏压电源...

本实用新型提供一种等离子体辅助感应加热法制备石墨烯的装置，涉及一种石墨烯的制备装置技术领域。该实用新型包括机架、微波源、耦合腔、真空室、感应线圈和工件架，微波源位于机架的上方，耦合腔设置在微波源的左侧，耦合腔的底端设置有真空室，真空室设...

本实用新型提供一种碳纳米材料制备电弧炉，涉及一种碳纳米材料技术领域。该实用新型包括机架、真空室、水冷阴极、水冷消耗阳极、阳极转盘和自动进给机构，真空室和自动进给机构均设置在机架上，真空室位于自动进给机构的左侧，水冷阴极、水冷消耗阳极和阳...

本发明涉及离子镀铝(IVD)技术领域，公开一种磁控增强离子镀铝工艺及装置，用于解决沉积速率小，镀膜效率低，膜材原子或分子仅部分离化，离化率低的问题。具体方案为：将基片安装固定真空室内上部分，将蒸发源安装固定在基片正对下方，将真空室接地，...

本发明公开一种富勒烯连续制备真空设备，制粉室、收集室、热交换器和循环室依次通过管道串接成循环系统，收集室内有水冷屏集粉机构，在制粉室和收集室下方装有收集罐Ａ、Ｂ，制粉室上装接螺旋供料机构和两组可升降水冷阳极机构Ａ、Ｂ，下方为可旋转水冷铜...

本实用新型涉及离子镀铝（ＩＶＤ）技术领域，公开一种磁控增强离子镀铝装置，用于解决沉积速率小，镀膜效率低，膜材原子或分子仅部分离化，离化率低的问题。具体方案为：本装置设置在真空室中，安装在基片和蒸发源之间，由左右两部分对称安装组成；每一部...

本实用新型公开一种带有补偿斜靶的真空磁控溅射镀膜机，为了消除成膜时复杂外形产品的阴影区，改善产品表面成膜均匀性，一方面，采用行星齿轮结构悬挂杆完成工件的公转和自转，另一方面，在样品悬挂架（８）的上下两侧，柱状磁控靶之间安装有对称的补偿斜...

本发明公开一种真空磁控溅射彩镀设备，为了消除成膜时复杂外形产品的阴影区，改善产品表面成膜均匀性，一方面，采用行星齿轮结构悬挂杆完成工件的公转和自转，另一方面，在样品悬挂架（８）的上下两侧，柱状磁控靶之间安装有对称的补偿斜靶，由于样品架加...