The invention provides a coating equipment with high utilization ratio of target material, relating to the technical field of vacuum sputtering coating. The invention comprises a vacuum chamber, which also includes a tubular target, bias power, DC coil power supply and power coating, tubular target is disposed in a vacuum chamber, power supply, power supply and DC bias coil coating power supply are arranged in the vacuum chamber, tubular target wound on the cooling coil, above the tubular target is provided with a first stage. The second stage is arranged below the tubular target, bias power supply is connected with the first stage, the DC power supply is connected with the cooling coil coil coating, the power supply is connected with a tubular target. The invention greatly improves the utilization rate of the target material, higher deposition rate, at the same time generated by the magnetic field of the solenoid coil bound electron trajectory, extend the movement path to make the electronic and ionic membrane material, membrane materials and further increase the electron atom or molecule collision probability, so as to improve the ionization rate.
【技术实现步骤摘要】
一种极高靶材利用率的镀膜设备
本专利技术涉及一种真空溅射镀膜
,特别是涉及一种极高靶材利用率的镀膜设备。
技术介绍
真空溅镀设备在半导体相关产业中已获得广泛的应用,举例来说,触控显示面板中的透明导电薄膜可利用真空溅镀设备来制作。详细而言,真空溅镀是属于物理气相沉积(PVD)技术的一种,普遍应用在半导体加工的成膜程序中,其在真空腔体内的溅镀靶源的阴、阳电极之间施加高电压以将惰性气体(如氩气)高温离子化成等离子体(plasma),而等离子体中的离子会轰击溅镀靶材,使得溅镀靶材的原子或分子溅飞出并沉积、附着在工件表面上以形成薄膜。
技术实现思路
针对上述问题中存在的不足之处,本专利技术提供一种极高靶材利用率的镀膜设备,使其极大提高靶材利用率,提高镀膜速率,同时通过电磁线圈产生的磁场束缚电子运动轨迹,使电子与膜材离子的运动路径延长,进一步增加电子与膜材原子或分子碰撞几率,从而提高离化率。为了解决上述问题,本专利技术提供一种极高靶材利用率的镀膜设备,包括真空室,其中,还包括管状靶材、偏压电源、直流线圈电源和镀膜电源,所述管状靶材设置在所述真空室内,所述偏压电源、所述直流线圈电源和所述镀膜电源均设置在所述真空室外,所述管状靶材上缠绕有水冷线圈,所述管状靶材的上方设置有第一工件台,所述管状靶材的下方设置有第二工件台,所述偏压电源与所述第一工件台连接,所述偏压电源通过所述第一工件台向样品加载负偏压,所述管状靶材内部的电子受电场的作用加速向样品运动,所述直流线圈电源与所述水冷线圈连接,所述直流线圈电源与所述线圈水冷系统开启后施加与电场方向正交的磁场,电子在电场力与洛伦兹力 ...
【技术保护点】
一种极高靶材利用率的镀膜设备,包括真空室,其特征在于,还包括管状靶材、偏压电源、直流线圈电源和镀膜电源,所述管状靶材设置在所述真空室内,所述偏压电源、所述直流线圈电源和所述镀膜电源均设置在所述真空室外,所述管状靶材上缠绕有水冷线圈,所述管状靶材的上方设置有第一工件台,所述管状靶材的下方设置有第二工件台,所述偏压电源与所述第一工件台连接,所述偏压电源通过所述第一工件台向样品加载负偏压,所述管状靶材内部的电子受电场的作用加速向样品运动,所述直流线圈电源与所述水冷线圈连接,所述直流线圈电源与所述线圈水冷系统开启后施加与电场方向正交的磁场,电子在电场力与洛伦兹力的共同作用下在管内做螺旋运动,所述镀膜电源与所述管状靶材连接,开启所述镀膜电源,向所述管状靶材施加一个大于样品的负偏压,使Ar
【技术特征摘要】
1.一种极高靶材利用率的镀膜设备,包括真空室,其特征在于,还包括管状靶材、偏压电源、直流线圈电源和镀膜电源,所述管状靶材设置在所述真空室内,所述偏压电源、所述直流线圈电源和所述镀膜电源均设置在所述真空室外,所述管状靶材上缠绕有水冷线圈,所述管状靶材的上方设置有第一工件台,所述管状靶材的下方设置有第二工件台,所述偏压电源与所述第一工件台连接,所述偏压电源通过所述第一工件台向样品加载负偏压,所述管状靶材内部的电子受电场的作用加速向样品运动,所述直流线圈电源与所述水冷线圈连接,所述直流线圈电源与所述线圈水冷系统开启后施加与电场方向正交的磁场,电子在电场力与洛伦兹力的共同作用下在管内做螺旋运动,所述镀膜电源与所述管状靶材连接,开启所述镀膜电源,向所述管状靶材施加一个大于样品的负偏压,使Ar+加速向管壁轰击,将靶材原子溅射出来。2.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:渠洪波,
申请(专利权)人:沈阳科友真空技术有限公司,
类型:发明
国别省市:辽宁,21
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