本实用新型公开了一种干簧管继电器触点用多层膜结构，该多层膜结构由基体上依次沉积的钼底层、渐变涂层、硬质涂层以及纳米涂层构成，由于其以表层的纳米层作为疲劳磨损层，可实现与低硬度膜层具有相同的表面接触面积，减小接触疲劳磨损，而纳米涂层以下的...

本发明公开了一种干簧管继电器触点用多层膜结构及其制备方法，该多层膜结构由基体上依次沉积的钼底层、渐变涂层、硬质涂层以及纳米涂层构成，由于其以表层的纳米层作为疲劳磨损层，可实现与低硬度膜层具有相同的表面接触面积，减小接触疲劳磨损，而纳米涂...

本发明提供一种极高靶材利用率的镀膜设备，涉及一种真空溅射镀膜技术领域。该发明包括真空室，其中，还包括管状靶材、偏压电源、直流线圈电源和镀膜电源，管状靶材设置在真空室内，偏压电源、直流线圈电源和镀膜电源均设置在真空室外，管状靶材上缠绕有水...

本发明提供一种PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备，涉及一种真空溅射镀膜技术领域。该发明包括真空室、上盖升降机构和电源，真空室内设置有阴极钨丝、磁极板、磁控靶和工件台，阴极钨丝通过灯丝固定柱固定在真空室的顶端中心处，阴极钨丝围绕真空室的...

本实用新型提供一种等离子体化学气相沉积镀膜装置，涉及技术领域。该实用新型包括真空室，真空室内设置有阴极屏、工件架和偏压电源，阴极屏设置在真空室的下部，工件架设置在阴极屏上，偏压电源设置在真空室外部，偏压电源包括第一偏压电源和第二偏压电源...

本实用新型提供一种等离子体辅助感应加热法制备石墨烯的装置，涉及一种石墨烯的制备装置技术领域。该实用新型包括机架、微波源、耦合腔、真空室、感应线圈和工件架，微波源位于机架的上方，耦合腔设置在微波源的左侧，耦合腔的底端设置有真空室，真空室设...

本实用新型提供一种碳纳米材料制备电弧炉，涉及一种碳纳米材料技术领域。该实用新型包括机架、真空室、水冷阴极、水冷消耗阳极、阳极转盘和自动进给机构，真空室和自动进给机构均设置在机架上，真空室位于自动进给机构的左侧，水冷阴极、水冷消耗阳极和阳...

本发明涉及离子镀铝(IVD)技术领域，公开一种磁控增强离子镀铝工艺及装置，用于解决沉积速率小，镀膜效率低，膜材原子或分子仅部分离化，离化率低的问题。具体方案为：将基片安装固定真空室内上部分，将蒸发源安装固定在基片正对下方，将真空室接地，...

本发明公开一种富勒烯连续制备真空设备，制粉室、收集室、热交换器和循环室依次通过管道串接成循环系统，收集室内有水冷屏集粉机构，在制粉室和收集室下方装有收集罐Ａ、Ｂ，制粉室上装接螺旋供料机构和两组可升降水冷阳极机构Ａ、Ｂ，下方为可旋转水冷铜...

本实用新型涉及离子镀铝（ＩＶＤ）技术领域，公开一种磁控增强离子镀铝装置，用于解决沉积速率小，镀膜效率低，膜材原子或分子仅部分离化，离化率低的问题。具体方案为：本装置设置在真空室中，安装在基片和蒸发源之间，由左右两部分对称安装组成；每一部...

本实用新型公开一种带有补偿斜靶的真空磁控溅射镀膜机，为了消除成膜时复杂外形产品的阴影区，改善产品表面成膜均匀性，一方面，采用行星齿轮结构悬挂杆完成工件的公转和自转，另一方面，在样品悬挂架（８）的上下两侧，柱状磁控靶之间安装有对称的补偿斜...

本发明公开一种真空磁控溅射彩镀设备，为了消除成膜时复杂外形产品的阴影区，改善产品表面成膜均匀性，一方面，采用行星齿轮结构悬挂杆完成工件的公转和自转，另一方面，在样品悬挂架（８）的上下两侧，柱状磁控靶之间安装有对称的补偿斜靶，由于样品架加...

本实用新型公开一种富勒烯连续制备真空设备，制粉室、收集室、热交换器和循环室依次通过管道串接成循环系统，收集室内有水冷屏集粉机构，在制粉室和收集室下方装有收集罐Ａ、Ｂ，制粉室上装接螺旋供料机构和两组可升降水冷阳极机构Ａ、Ｂ，下方为可旋转水...