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上海伊恩埃半导体科技股份有限公司专利技术
上海伊恩埃半导体科技股份有限公司共有12项专利
一种射频匹配器的散热装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种射频匹配器的散热装置,包括机箱以及设置在所述机箱左端的两个插接头,两个所述插接头的型号不同,且两个插接头均与机箱内部连通,所述机箱左端设有多个贯穿的散热对流孔,所述机箱前端上下两侧均固定连接有提把,通过将电机设置在散...
一种直流电源制造技术
本实用新型涉及直流电源技术领域,公开了一种直流电源,包括直流电源本体,所述直流电源本体的前后侧分别设有按钮组和插孔组,所述直流电源本体的顶部开设有滑槽,所述滑槽的内腔滑动连接有滑块,所述滑块的顶部安装有移动板,所述移动板的一侧连接有橡胶...
一种射频匹配器的防过流装置制造方法及图纸
本实用新型涉及射频匹配器技术领域,且公开了一种射频匹配器的防过流装置,包括射频匹配器本体,所述射频匹配器本体的前端开设有安装室,所述安装室的内腔固定安装有外柱,所述外柱的内腔固定安装有内柱,所述安装室的内腔转动连接有闭合盖,所述闭合盖靠...
一种抗震效果好的射频发生器制造技术
本实用新型涉及射频发生器技术领域,公开了一种抗震效果好的射频发生器,包括射频发生器本体,所述射频发生器本体的底部设有抗震组件,所述抗震组件包括水箱,所述水箱前侧的上下侧分别设有进水阀和排水阀,所述水箱内腔的上部套接有橡胶圈,所述橡胶圈的...
一种射频匹配器的输出连接结构制造技术
本实用新型涉及射频匹配器技术领域,且公开了一种射频匹配器的输出连接结构,包括射频匹配器本体,所述射频匹配器本体的后端固定安装有连接模块,所述连接模块的中部固定安装有输出管,所述输出管的顶端滑动连接有滑动环,所述滑动环的顶面固定安装有顶环...
一种偏压电源结构制造技术
本实用新型公开了一种偏压电源结构,包括保护框;所述保护框的前端设置有散热孔,所述保护框的后端左右两侧相对设置有散热扇,所述保护框的内部左后端安装有控制单元;所述保护框与接线端子的底部螺栓连接,所述保护框的内侧前端设置有驱动器,所述保护框...
散热结构制造技术
本实用新型公开了一种散热结构,包括冷却件、第一散热管、风扇组件、散热组件以及壳体,冷却件、第一散热管、风扇组件以及散热组件均位于壳体内;工作元件安装在壳体内,冷却件与第一散热管连通,冷却件安装在壳体的内底面,风扇组件和散热组件均安装在壳...
匹配控制器的控制方法及匹配控制器技术
本发明实施例公开了一种匹配控制器的控制方法,匹配控制器包括电容、齿轮、红外线发射单元、红外线接收单元、控制单元和马达,其中,电容和齿轮接触,方法包括:控制红外线发射单元向预设方向发射红外线,红外线接触齿轮,齿轮一侧刻有凹槽,凹槽用于提供...
射频匹配器上电软启动电路结构制造技术
本实用新型公开了一种射频匹配器上电软启动电路结构包括:VC输入电压模组、主启动开关模组以及至少一软启动开关模组,所述软启动开关模组并联设置在所述主启动开关模组上,所述VC输入电压模组通过所述软启动开关模组和所述主启动开关模组向电机提供工...
射频发生器的MOS晶体管实时检测电路及其调节装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种射频发生器的MOS晶体管实时检测电路及其调节装置包括:采样电阻R1、R2,所述采样电阻R1、R2依次连接到晶体管的漏极D,所述晶体管的栅极G连接到射频驱动电路,所述晶体管的源极S接地,所述晶体管的漏极D上连接工作电压...
射频发生器的输出功率信号合成电路结构制造技术
本实用新型公开了一种射频发生器的输出功率信号合成电路结构,包括:前级信号驱动电路,用于将射频信号源提供的射频信号分成两路等大方向信号;两路一级功率放大电路,其输入端分别连接所述前级信号驱动电路的输出端,用于放大两路所述等大反相信号;输出...
射频功率检测高精度控制方法、系统及计算机可读存储介质技术方案
本发明公开了一种射频功率检测高精度控制方法、系统及计算机可读存储介质,该方法包括:对射频功率检测器进行散热和温度补偿并设置射频功率检测器的预设恒定温度区间;采集射频功率检测器的实时温度,判断实时温度是否处于预设恒定温度区间;当实时温度处...
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