本实用新型专利技术公开了一种射频发生器的MOS晶体管实时检测电路及其调节装置包括：采样电阻R1、R2，所述采样电阻R1、R2依次连接到晶体管的漏极D，所述晶体管的栅极G连接到射频驱动电路，所述晶体管的源极S接地，所述晶体管的漏极D上连接工作电压Vc且连接高频输出匹配电路。对MOS晶体管的电压、电流进行实时监控，通过控制器确保实时电压、实时电流小于参考电压、参考电流；另外，通过参考电压、参考电流小于MOS晶体管的击穿电压、击穿电流，从而使得实时电压、实时电流留有一定的裕量，使MOS晶体管由于过压、过流损坏的几率降低至最小。过流损坏的几率降低至最小。过流损坏的几率降低至最小。
【技术实现步骤摘要】
射频发生器的MOS晶体管实时检测电路及其调节装置
[0001]本申请涉及射频
，特别是一种射频发生器的MOS晶体管实时检测电路及其调节装置。
技术介绍
[0002]射频发生器是用于产生射频功率信号的装置，属于半导体工艺设备的核心部件，所有产生等离子体进行材料处理的设备都需要射频发生器提供能量。在集成电路、太阳能电池和LED(LightEmittingDiode，发光二极管)的工艺制造设备，例如刻蚀机、PVD(PhysicalVaporDeposition，物理气相沉积)、PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)、ALD(Atomiclayerdeposition，原子层沉积)等设备，均装备有不同功率规格的射频发生器。射频发生器一般由射频信号发生器、射频功率放大电路、供电线路和射频功率检测器组成。当前，集成电路制造产业向着更细线宽的目标发展，制造工艺的线宽从90纳米、65纳米、45纳米到最新的7纳米，这对射频发生器的输出功率提出了更高的要求，即输出功率的波动范围应当足够小。对于射频发生器的输出功率控制，射频功率检测是否精确至关重要。
[0003]射频发生器按照放大电路的核心元器件划分，可分为电子管式射频发生器和固态射频发生器，其中电子管式射频发生器采用电子管作为功率放大元件，而固态射频发生器则采用晶体管作为功率放大元件。固态射频发生器基本上都利用低电压大电流的双极性晶体管作为功率放大元件，构建B类或C类的功率放大电路，然后采用功率合成的方式得到大功率的固态射频发生器。晶体管作为功率放大元件，在射频发生器能往往处于连续工作状态，容易因为过压、过流损坏，从而使得射频发生器发生故障。
技术实现思路
[0004]本技术的主要目的在于提出一种射频发生器的MOS晶体管实时检测电路及其调节装置，对晶体管的电压、电流做实时监控，使得射频管由于过压、过流损坏的几率降低至最小。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术提供了一种射频发生器的MOS晶体管实时检测电路，包括：采样电阻R1、R2，所述采样电阻R1、R2依次连接到晶体管的漏极D，所述晶体管的栅极G连接到射频驱动电路，所述晶体管的源极S接地，所述晶体管的漏极D上连接工作电压Vc且连接高频输出匹配电路。
[0006]进一步的，所述采样电阻R1、R2一端串联到所述晶体管的漏极D与所述工作电压Vc之间，所述采样电阻R1、R2串联另一端接地；在所述采样电阻R1、R2之间检测实时电压Vi、实时电流Ii。
[0007]进一步的，所述晶体管的漏极D与所述工作电压Vc之间还串联有电阻R3、电感L2；所述采样电阻R1连接到所述电阻R3与所述工作电压Vc之间。
[0008]可选的，所述晶体管的漏极D与所述高频输出匹配电路之间还设置有电感L1。
[0009]可选的，所述晶体管的源极S通过一保护电阻RO后接地。
[0010]基于同一专利技术构思，本技术还提供了一种射频发生器的MOS晶体管实时检测调节装置，包括上述MOS晶体管实时检测电路、射频驱动电路、高频输出匹配电路、控制器，所述控制器与所述MOS晶体管实时检测电路、射频驱动电路连接，所述MOS晶体管实时检测电路将实时电压Vi、实时电流Ii传输到所述控制器，控制所述射频驱动i单路使得所述实时电压Vi、实时电流Ii小于参考电压Vo、参考电路Io。
[0011]可选的，所述射频发生器的MOS晶体管实时检测调节装置还包括射频功率检测电路，所述射频功率检测电路连接到所述高频输出匹配电路后端，所述射频功率检测电路将正向功率和反向功率输送到所述控制器。
[0012]可选的，所述参考电压Vo、参考电路分别小于所述MOS晶体管的击穿电压、击穿电流。
[0013]本技术技术方案的有益效果：
[0014]本申请的射频发生器的MOS晶体管实时检测电路及其调节装置，对MOS晶体管的电压、电流进行实时监控，通过控制器确保实时电压、实时电流小于参考电压、参考电流；另外，通过参考电压、参考电流小于MOS晶体管的击穿电压、击穿电流，从而使得实时电压、实时电流留有一定的裕量，使MOS晶体管由于过压、过流损坏的几率降低至最小。
附图说明
[0015]图1为一种现有得射频放电等离子发生系统结构示意图；
[0016]图2是本技术实施例提供的射频发生器的MOS晶体管实时检测电路原理图；
[0017]图3是本技术实施例提供的射频发生器的MOS晶体管实时检测调节装置结构图；
[0018]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0019]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0020]在后续的描述中，使用用于表示元件的诸如“单元”、“部件”或“单元”的后缀仅为了有利于本技术的说明，其本身没有特定的意义。因此，“单元”、“部件”或“单元”可以混合地使用。
[0021]实施例1
[0022]如图2所示，本技术实施例提供了一种射频发生器的MOS晶体管实时检测电路，包括采样电阻R1、R2，所述采样电阻R1、R2依次连接到晶体管的漏极D，所述晶体管的栅极G连接到射频驱动电路，所述晶体管的源极S接地，所述晶体管的漏极D上连接工作电压Vc且连接高频输出匹配电路。
[0023]具体的，所述采样电阻R1、R2一端串联到所述晶体管的漏极D与所述工作电压Vc之间，所述采样电阻R1、R2串联另一端接地；在所述采样电阻R1、R2之间检测实时电压Vi、实时电流Ii。
[0024]具体的，所述晶体管的漏极D与所述工作电压Vc之间还串联有电阻R3、电感L2；所
述采样电阻R1连接到所述电阻R3与所述工作电压Vc之间。
[0025]可选的，所述晶体管的漏极D与所述高频输出匹配电路之间还设置有电感L1。
[0026]可选的，所述晶体管的源极S通过一保护电阻RO后接地。
[0027]如图3所示，本技术实施例还提供了一种射频发生器的MOS晶体管实时检测调节装置，包括上述MOS晶体管实时检测电路、射频驱动电路、高频输出匹配电路、控制器，所述控制器与所述MOS晶体管实时检测电路、射频驱动电路连接，所述MOS晶体管实时检测电路将实时电压Vi、实时电流Ii传输到所述控制器，控制所述射频驱动i单路使得所述实时电压Vi、实时电流Ii小于参考电压Vo、参考电路Io。
[0028]可选的，所述射频发生器的MOS晶体管实时检测调节装置还包括射频功率检测电路，所述射频功率检测电路连接到所述高频输出匹配电路后端，所述射频功率检测电路将正向功率和反向功率输送到所述控制器。
[0029]可选的，所述参考电压Vo、参考电路分别小于所述MOS晶体管的击穿电压、击穿电流。
[0030]本申请的射频发生器的MOS晶体管实时检测电路及其调节装置，对本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种射频发生器的MOS晶体管实时检测电路，其特征在于，包括：采样电阻R1、R2，所述采样电阻R1、R2依次连接到晶体管的漏极D，所述晶体管的栅极G连接到射频驱动电路，所述晶体管的源极S接地，所述晶体管的漏极D上连接工作电压Vc且连接高频输出匹配电路。2.根据权利要求1所述的射频发生器的MOS晶体管实时检测电路，其特征在于，所述采样电阻R1、R2一端串联到所述晶体管的漏极D与所述工作电压Vc之间，所述采样电阻R1、R2串联另一端接地；在所述采样电阻R1、R2之间检测实时电压Vi、实时电流Ii。3.根据权利要求1所述的射频发生器的MOS晶体管实时检测电路，其特征在于，所述晶体管的漏极D与所述工作电压Vc之间还串联有电阻R3、电感L2；所述采样电阻R1连接到所述电阻R3与所述工作电压Vc之间。4.根据权利要求1所述的射频发生器的MOS晶体管实时检测电路，其特征在于，所述晶体管的漏极D与所述高频输出匹配电路之间还设置有电感L1。5.根据权利要求1所述的射频发生器的MOS晶体管实时检测...
【专利技术属性】
技术研发人员：贺振华，陈立岗，魏欢，
申请(专利权)人：上海伊恩埃半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。