一种碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路及测试设备制造技术

本实用新型专利技术涉及二极管VF测试技术，公开了一种碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路及测试设备，包括n组相互串联的测试单元，电流源；其测试单元包括碳化硅MOSFET体二极管，分别为Q1、Q2、

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路及测试设备


[0001]本技术涉及二极管VF测试技术，尤其涉及了一种碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路及测试设备。

技术介绍

[0002]二十世纪90年代以来，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料逐渐进入人们的视野。第三代半导体材料的最大特点是禁带宽度大，因此也被称为宽禁带半导体材料。宽禁带半导体材料还具有击穿场强高、热导率高、载流子饱和迁移率高、抗辐照能力强等突出优点，尤其适合现代功率电子系统涉及的高温、高压、大电流、高频、高辐照的恶劣应用环境，在轨道交通、新能源汽车、光伏发电、航空航天等领域具有广阔前景，是近年来功率电子研究的重点和热点。
[0003]如现有技术，如现有论文：碳化硅MOSFET坚固性与可靠性研究；其只是阐述了碳化硅MOSFET的性能，并没有针对SiC MOSFET可靠性测试；对于SiC MOSFET可靠性测试基本沿用硅功率器件的可靠性测试项目，比如HTGB、HTRB、H3TRB等。而针对SiC MOSFET不同特性可靠性测试并未成熟，比如SiC材料的禁带宽度比Si材料更大，因此体二极管的VF会更大。针对SiC MOSFET体二极管VF可靠性测试设备较少，缺少能够同时测试多颗SiC MOSFET体二极管VF可靠性的设备。

技术实现思路

[0004]本技术针对现有技术中对于SiC MOSFET可靠性测试基本沿用硅功率器件的可靠性测试项目，比如HTGB、HTRB、H3TRB；且不能同时测试多颗的SiC MOSFET体二极管VF的问题，提供了一种碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路及测试设备。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术通过下述技术方案得以解决：
[0006]一种碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路，包括n组相互串联的测试单元，电流源；其测试单元包括碳化硅MOSFET体二极管，分别为Q1、Q2、
…
Qn；Q1的D端与电流源的负极连接，Q1的S端与Q2的D端连接，Q2的S端与Q3的D端连接，依次，Qn
‑
1的S端与Qn的D端连接，Qn的S端与电流源的正极连接。
[0007]通过碳化硅MOSFET体二极管D端与电流源的负极连接；碳化硅MOSFET体二极管S端与电流源的正极连接；可以对多颗的碳化硅MOSFET体二极管VF进行测试。
[0008]作为优选，测试单元还包括隔离电源模块，隔离电源模块的OV端与碳化硅MOSFET体二极管的G端连接；隔离电源模块的VO端与碳化硅MOSFET体二极管的KS端连接；隔离电源模块相互之间串联，并连接有低压电源。
[0009]作为优选，隔离电源模块与碳化硅MOSFET体二极管的G端连接中串联有保护单元。通过保护单元的设计，有效防止器件栅极损坏后模块电源的电流太大。
[0010]为了解决上述技术问题，本技术还提供了一种碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试设备，其包括碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路。
[0011]通过碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路组成的测试设备，能够进行多颗的碳化硅MOSFET体二极管VF的测试。
[0012]作为优选，还包括温度采集单元、上位机、程控风扇和用于对测试电路进行散热的散热单元；温度采集单元采集测试电路的温度，并将温度信号传送至上位机，上位机发送控制信号至调控风扇，调节风扇风速，从而控制器件的芯片温度，即器件的结温。
[0013]通过设计的温度采集单元、上位机的设计从而能够自动调节结温，能够模拟不同的使用状况，进行对应的VF可靠性测试。
[0014]作为优选，散热单元为风冷散热片。
[0015]本技术由于采用了以上技术方案，具有显著的技术效果：
[0016]本技术通过碳化硅MOSFET体二极管D端与电流源的负极连接；碳化硅MOSFET体二极管S端与电流源的正极连接；可以对多颗的碳化硅MOSFET体二极管VF进行测试。本技术通过隔离电源模块可以有效的避免多颗的碳化硅MOSFET体二极管所加的VGS产生的干扰。
[0017]本技术通过设计的温度采集单元、上位机的设计从而能够自动调节结温，能够模拟不同的使用状况，进行对应的VF可靠性测试。
附图说明
[0018]图1是本技术测试电路图；
[0019]图2是本技术实施例2的测试电路图；
[0020]图3是本技术的测试设备的控制系统图；
[0021]图4是本技术的实施例3的测试电路图。
具体实施方式
[0022]下面结合附图与实施例对本技术作进一步详细描述。
[0023]实施例1
[0024]一种碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路，包括n组相互串联的测试单元，电流源；其测试单元包括碳化硅MOSFET体二极管，分别为Q1、Q2、
…
Qn；Q1的D端与电流源的负极连接，Q1的S端与Q2的D端连接，Q2的S端与Q3的D端连接，依次，Qn
‑
1的S端与Qn的D端连接，Qn的S端与电流源的正极连接。
[0025]通过碳化硅MOSFET体二极管D端与电流源的负极连接；碳化硅MOSFET体二极管S端与电流源的正极连接；可以对多颗的碳化硅MOSFET体二极管VF进行测试。
[0026]测试单元还包括隔离电源模块，隔离电源模块的OV端与碳化硅MOSFET体二极管的G端连接；隔离电源模块的VO端与碳化硅MOSFET体二极管的KS端连接；隔离电源模块相互之间串联，并连接有低压电源。
[0027]通过隔离电源模块可以有效的避免多颗的碳化硅MOSFET体二极管所加的VGS产生的干扰。
[0028]实施例2
[0029]在实施例1基础上，本实施例的隔离电源模块与碳化硅MOSFET体二极管的G端连接中串联有保护单元。通过保护单元的设计，有效防止器件栅极损坏后模块电源的电流太大。
[0030]如图2可知，保护单元设为保险丝FU；针对碳化硅MOSFET体二极管Q1，其对应的保险丝为FU1；针对碳化硅MOSFET体二极管Q2，其对应的保险丝为FU2；依次可知，针对碳化硅MOSFET体二极管Qn，其对应的保险丝为FUn。
[0031]实施例3
[0032]在上述实施例基础上，依据附图4可知本实施例的碳化硅MOSFET体二极管设有4个，分别为Q1、Q2、Q3、Q4。
[0033]实施例4
[0034]在上述实施例基础上，本实施例为一种碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试设备，其包括碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路。
[0035]通过碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路组成的测试设备，能够进行多颗的碳化硅MOSFET体二极管VF的测试。
[0036]实施例5
[0037]在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路，包括n组相互串联的测试单元，电流源；其特征在于，测试单元包括碳化硅MOSFET体二极管，分别为Q1、Q2、
…
Qn；Q1的D端与电流源的负极连接，Q1的S端与Q2的D端连接，Q2的S端与Q3的D端连接，依次，Qn
‑
1的S端与Qn的D端连接，Qn的S端与电流源的正极连接。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路，其特征在于，测试单元还包括隔离电源模块，隔离电源模块的OV端与碳化硅MOSFET体二极管的G端连接；隔离电源模块的VO端与碳化硅MOSFET体二极管的KS端连接；隔离电源模块相互之间串联，并连接有低压电源。3.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFE...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪剑华，徐洋，陈欣璐，王华，
申请(专利权)人：派恩杰半导体杭州有限公司，
类型：新型
国别省市：