用于执行测试的电子器件制造技术

一种电子器件，包括：掩蔽信号生成电路，其通过在执行测试掩蔽模式的时段期间接收熔丝数据来生成测试掩蔽信号；以及测试模式信号生成电路，当输入用于在内部电路中执行测试的测试命令时，其基于所述测试掩蔽信号来执行所述测试。测试。测试。

【技术实现步骤摘要】
用于执行测试的电子器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年5月21日向韩国知识产权局提交的申请号为10
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2021
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0065625的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。


[0003]本公开涉及一种用于执行测试的电子器件。

技术介绍

[0004]在半导体器件装运出厂之前，应该执行验证半导体器件是否具有故障的测试。就此而言，为了减少测试所需的时间，可以使用同时测试多个半导体器件的方案。

技术实现思路

[0005]在一个示例中，一种电子器件可以包括：掩蔽信号生成电路，其通过在执行测试掩蔽模式的时段期间接收熔丝数据来生成测试掩蔽信号；以及测试模式信号生成电路，当输入用于在内部电路中执行测试的测试命令时，其基于所述测试掩蔽信号来执行所述测试。
[0006]在一个示例中，一种电子器件可以包括：测试码生成电路，当输入用于在内部电路中执行测试的测试命令时，其生成用于设置测试模式的测试码；以及测试控制电路，当在执行测试掩蔽模式的时段期间输入所述测试命令时，其基于熔丝数据对每种测试模式控制所述测试的执行。
附图说明
[0007]图1是图示根据本公开的示例的电子器件的结构的框图。
[0008]图2是图示图1中所示的掩蔽信号生成电路的示例的电路图。
[0009]图3是图示图1中所示的测试模式信号生成电路的示例的图。
[0010]图4是帮助解释图1中所示的电子器件的操作的时序图。<br/>[0011]图5是图示应用了图1所示的电子器件的系统的示例的结构的框图。
具体实施方式
[0012]在以下示例的描述中，术语“预设”指示当参数在过程或算法中使用时，参数的数值是预先确定的。根据示例，可以在过程或算法开始时或在过程或算法执行期间设置参数的数值。
[0013]诸如“第一”和“第二”的术语用于区分各种组件，因此不受组件的限制。例如，第一组件可以称为第二组件，反之亦然。
[0014]当一个组件称为“耦接”或“连接”到另一个组件时，应该理解的是，这些组件彼此可以直接耦接或连接，或者通过介于它们之间的另一个组件彼此耦接或连接。另一方面，当一个组件称为“直接耦接”或“直接连接”到另一组件时，应当理解的是，这些组件彼此直接
耦接或连接，而无需另一个组件介于它们之间。
[0015]“逻辑高电平”和“逻辑低电平”用于描述信号的逻辑电平。具有“逻辑高电平”的信号与具有“逻辑低电平”的信号相区别。例如，当具有第一电压的信号对应于具有“逻辑高电平”的信号时，具有第二电压的信号可以对应于具有“逻辑低电平”的信号。根据示例，“逻辑高电平”可以设置为高于“逻辑低电平”的电压。根据示例，信号的逻辑电平可以设置为不同的逻辑电平或相反的逻辑电平。例如，根据示例可以将具有逻辑高电平的信号设置为具有逻辑低电平，并且根据示例可以将具有逻辑低电平的信号设置为具有逻辑高电平。
[0016]在下文中，将通过示例更详细地描述本公开的教导。这些示例仅用于例示本公开的教导，本公开的范围不限于这些示例。
[0017]本公开的一些示例涉及用于执行测试的电子器件。
[0018]根据本公开，当在执行测试掩蔽模式的时段期间输入用于执行测试的测试命令时，可以基于熔丝数据来控制是否执行测试。因此，当同时测试多个器件时，可以对各个器件不同地控制是否执行测试，从而提高每个测试的灵活性并减少每次测试所需的时间。
[0019]图1是图示根据本公开的示例的电子器件100的结构的框图。如图1中所示，电子器件100可以包括：测试命令生成电路(TCMD GEN)101、测试码生成电路(TCD GEN)103、掩蔽模式信号生成电路(TMM GEN)105、区域选择信号生成电路(FZ_SEL GEN)107、熔丝数据存储电路(FZD存储电路)109、测试控制电路111和内部电路117。
[0020]电子器件100可以利用存储器件来实现，该存储器件基于设置码CA来存储并输出数据DQ。电子器件100可以基于设置码CA来执行各种内部操作，例如写入操作和读取操作。设置码CA可以包括关于命令和地址的信息。可以从电子器件100外部的外部设备来应用设置码CA和数据DQ的每一个。作为示例，可以从测试设备(图5的1100)应用设置码CA和数据DQ的每一个。作为另一示例，可以从存储器控制器(未示出)应用设置码CA和数据DQ的每一个。可以基于实施例不同地设置设置码CA和数据DQ的每一个的比特位数。
[0021]测试命令生成电路101可以基于设置码CA来生成测试命令TCMD。测试命令生成电路101可以通过将具有用于执行测试的组合的设置码CA进行解码来激活测试命令TCMD。测试命令TCMD可以被激活以在内部电路117中执行测试。
[0022]测试码生成电路103可以基于测试命令TCMD从设置码CA生成测试码TCD。当测试命令TCMD被激活时，测试码生成电路103可以提取具有用于设置测试模式的组合的设置码CA，并输出提取的设置码CA作为测试码TCD。可以基于实施例不同地设置测试码TCD的位数。测试码TCD可以具有用于设置在内部电路117中执行的测试模式的组合。例如，测试码TCD的第一组合可以设置为用于在内部电路117中执行第一测试模式的组合，而测试码TCD的第二组合可以设置为用于在内部电路117执行第二测试模式的组合。每种测试模式可以独立地设置施加到内部电路117的应力类型。例如，第一测试模式可以设置为通过调整施加到内部电路117的内部电压的电平来施加应力的测试，而第二测试模式可以设置为通过调整施加到内部电路117信号的脉冲宽度来施加应力的测试。此外，每种测试模式可以不同地设置应力的程度。例如，第一测试模式可以设置为通过将施加到内部电路117的内部电压的电平设置为大于在第二测试模式中的电平来施加应力的测试。在另一示例中，第一测试模式可以设置为通过将施加到内部电路117的信号的脉冲宽度减小得比在第二测试模式中的更多来施加应力的测试。
[0023]掩蔽模式信号生成电路105可以基于设置码CA来生成测试掩蔽模式信号TMM。掩蔽模式信号生成电路105可以通过将具有用于执行测试掩蔽模式的组合的设置码CA进行解码来激活测试掩蔽模式信号TMM。掩蔽模式信号生成电路105可以通过对具有用于结束测试掩蔽模式的组合的设置码CA进行解码来去激活测试掩蔽模式信号TMM。测试掩蔽模式信号TMM可以在执行测试掩蔽模式的时段期间被激活。
[0024]区域选择信号生成电路107可以基于设置码CA来生成熔丝区域选择信号FZ_SEL。区域选择信号生成电路107可以基于用于控制熔丝数据存储电路109的操作的设置码CA来生成熔丝区域选择信号FZ_SEL。熔丝区域选择信号FZ_SEL可以具有与熔丝区域109_1至109_N的每一个相对应的组合。例如，熔丝区域选择信号FZ_SEL可以具有与第一熔丝区域109_1相对应的第一组合和与第二熔丝区域109_2相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子器件，包括：掩蔽信号生成电路，其通过在执行测试掩蔽模式的时段期间接收熔丝数据来生成测试掩蔽信号；以及测试模式信号生成电路，当输入用于在内部电路中执行测试的测试命令时，其基于所述测试掩蔽信号来执行所述测试。2.根据权利要求1所述的电子器件，还包括：熔丝数据存储电路，其基于晶圆测试的结果来存储关于是否执行所述测试的信息作为所述熔丝数据。3.根据权利要求2所述的电子器件，其中，所述熔丝数据存储电路包括多个熔丝区域，所述熔丝数据存储电路输出存储在与熔丝区域选择信号相对应的熔丝区域中的所述熔丝数据。4.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述掩蔽信号生成电路通过检测在执行所述测试掩蔽模式的时段期间所述熔丝数据的模式是否为预设模式来生成所述测试掩蔽信号。5.根据权利要求4所述的电子器件，其中，所述掩蔽信号生成电路包括：检测信号生成电路，其接收所述熔丝数据，并且当所述熔丝数据的模式为所述预设模式时激活检测信号；以及掩蔽信号输出电路，当在执行所述测试掩蔽模式的时段期间激活所述检测信号时，其激活所述测试掩蔽信号。6.根据权利要求5所述的电子器件，其中，所述检测信号生成电路通过在从接收到所述熔丝数据的时间点起的预设时段之后执行初始化操作来去激活所述检测信号。7.根据权利要求1所述的电子器件，其中，当用于执行所述测试掩蔽模式的测试掩蔽模式信号被去激活时，所述掩蔽信号生成电路对所述测试掩蔽信号去激活。8.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述测试模式信号生成电路生成用于当输入所述测试命令时在所述内部电路中执行所述测试的测试模式信号，并且当所述测试掩蔽信号被激活时，对所述测试模式信号去激活。9.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述测试模式信号生成电路包括：测试使能信号生成电路，当输入所述测试命令时，其基于所述测试掩蔽信号来生成测试使能信号；以及测试模式信号输出电路，其基于所述测试使能信号，根据测试码的组合来生成所述测试模式信号。10.根据权利要求9所述的电子器件，还包括：测试码生成电路，当输入所述测试命令时其生成用于设置测试模式的所述测试码。11.根据权利要求10所述的电子器件，还包括：熔丝数据存储电路，其存储所述熔丝数据，所述熔丝数据...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜珉秀，郭鲁侠，金显承，徐踊颢，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：