本发明提供了一种IGBT及其制造方法，包括步骤：在衬底P型阱区表面离子注入五价元素，形成N+发射极区；在N+发射极区的表面刻蚀贯穿的沟槽；在沟槽的侧壁和底面沉积形成栅极氧化层，并填充多晶硅栅；在N+发射极区的表面沉积绝缘介质层，并涂覆光...

本实用新型提供功率器件封装结构，包括：第一区域、第二区域、第三区域；所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域构成圆柱体，所述第一区域为所述圆柱体的底部，所述第二区域为所述圆柱体的侧边，所述第三区域为所述圆柱体的顶部；所述第一区域，设置有...

本发明公开了一种压接式IGBT器件结构，包括：圆形IGBT区；环形FRD区，设置于所述圆形IGBT区外侧，与所述圆形IGBT区同心设置；环形电流传感器区，设置于所述环形FRD区外侧，与所述圆形IGBT区同心设置；第一隔离区，设置于所述圆...

本发明公开了一种纵向RC

本实用新型提供IGBT器件封装结构，包括：焊接底板、IGBT芯片、FRD芯片；所述FRD芯片的阳极端通过导电胶与所述IGBT芯片的发射极端粘贴连接形成所述IGBT芯片和所述FRD芯片的纵向叠封结构，所述FRD芯片的阴极端与所述焊接底板通...

本实用新型公开了内置过流检测功能的IGBT版图结构，包括主芯片区，所述主芯片区内设置发射极金属和相互平行的若干第一沟槽；过流检测区，所述过流检测区内设置第一金属和相互平行的若干第二沟槽，相邻所述第二沟槽的间距小于相邻所述第一沟槽的间距；...

本实用新型提供了FRD器件结构，包括：N+区域；N

本实用新型公开了一种RC

本发明公开的沟槽栅型超结IGBT器件结构及制作方法中，其制备方法包括步骤：在所述N

本发明提供了一种FRD器件结构，包括：第一N区域、P+区域、N+复合区域、正面阳极金属区域、背面阴极金属区域；所述第一N区域包括第一N+区域和第一N

本实用新型公开了一种IGBT版图结构，包括沟槽、栅极跑道和发射极金属，所述沟槽中包括至少一条与所述栅极跑道连接的第一沟槽，以及至少一条与所述发射极金属连接的第二沟槽；所述栅极跑道内设置第一连接孔，所述第一连接孔用于连接所述第一沟槽与所述...

本实用新型公开了一种功率芯片测试夹具装置，包括导热板，所述导热板上设置有芯片放置区，所述芯片放置区用于放置待测芯片；绝缘板，所述导热板和所述绝缘板之间通过若干根绝缘支撑柱连接，所述绝缘板上设置有与所述芯片放置区对应的开口区域；所述开口区...

本实用新型公开了一种功率芯片快速测试基板结构，包括绝缘基板，绝缘基板上设置有焊接区和金属区；焊接区用于在芯片测试过程中安装待测芯片；金属区包括第一金属区、第二金属区和第三金属区，第一金属区、第二金属区和第三金属区彼此绝缘隔离，焊接区与第...

本发明公开了一种超结RC

本实用新型提供了内置可调栅极电阻的IGBT版图结构，包括：IGBT芯片基板；终端区域，位于所述IGBT芯片基板上；元胞沟槽，位于所述终端区域内部；栅极跑道，用于连接所述元胞沟槽；第一栅极金属，覆盖于所述栅极跑道上；连接孔，用于连接所述第...

本实用新型提供了内置温度检测模块的IGBT，包括：IGBT正面区域、IGBT背面区域。IGBT正面区域包括：IGBT基底结构，位于IGBT基底结构上的终端区域，终端区域内部设置有元胞区域和温度检测正面金属电极区域，位于元胞区域上的IGB...

本发明提供了一种超结FRD结构及其制作方法，超结FRD结构包括正面金属区和背面金属区，还包括：N

本发明提供了一种功率芯片快速测试方法及系统，其方法包括步骤：设计陶瓷覆铜板，所述陶瓷覆铜板具有若干个彼此绝缘的覆铜面；将待测芯片焊接在一个所述覆铜面上，并通过其余的所述覆铜面引出所述待测芯片的各个电极；根据测试需求对所述待测芯片进行静态...

本发明提供了一种功率芯片快速测试基板，其测试基板包括：绝缘基板，所述绝缘基板的表面设置有若干个金属区域，且各个所述金属区域彼此隔离；一个所述金属区域上设置有焊接区，用于焊接待测芯片，且所述待测芯片通过打线的方式与其余的所述金属区域电性连...

本发明提供了一种功率器件的终端结构及其制造方法，其中，终端结构包括：N