IGBT版图结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT版图结构，包括沟槽、栅极跑道和发射极金属，所述沟槽中包括至少一条与所述栅极跑道连接的第一沟槽，以及至少一条与所述发射极金属连接的第二沟槽；所述栅极跑道内设置第一连接孔，所述第一连接孔用于连接所述第一沟槽与所述栅极跑道；所述第二沟槽内设置第二连接孔，所述第二连接孔用于连接所述第二沟槽与所述发射极金属。本实用新型专利技术通过在IGBT版图上设计不同连接方式的沟槽结构，实现IGBT的部分沟槽连接发射极金属形成dummy沟槽，从而实现在不增大沟槽间距的情况下降低IGBT短路电流、提高短路耐量时间的技术效果。效果。效果。

IGBT layout structure

【技术实现步骤摘要】
IGBT版图结构


[0001]本技术涉及半导体功率器件
，特别涉及IGBT版图结构。

技术介绍

[0002]目前在IGBT的应用过程中，特别是针对大电流的IGBT产品应用，应用端会对IGBT的短路耐量时间和短路电流有所要求。常规情况可以通过增大沟槽间距来实现上述技术效果，但过大的沟槽间距会影响IGBT的耐压以及饱和压降，进而影响IGBT性能参数。
[0003]因此目前需要一种IGBT结构，可以在不影响IGBT的耐压以及饱和压降的情况下，降低IGBT短路电流、提高短路耐量时间，进而优化IGBT的性能参数。

技术实现思路

[0004]为解决的通过增大沟槽间距优化IGBT短路耐量会影响IGBT的耐压以及饱和压降的技术问题，本技术提供一种IGBT版图结构，具体的技术方案如下：
[0005]本技术提供一种IGBT版图结构，包括沟槽、栅极跑道和发射极金属，包括：
[0006]所述沟槽中包括至少一条与所述栅极跑道连接的第一沟槽，以及至少一条与所述发射极金属连接的第二沟槽；
[0007]所述栅极跑道内设置第一连接孔，所述第一连接孔用于连接所述第一沟槽与所述栅极跑道；
[0008]所述第二沟槽内设置第二连接孔，所述第二连接孔用于连接所述第二沟槽与所述发射极金属。
[0009]本技术提供的IGBT版图结构分别设置第一沟槽和第二沟槽，通过第一连接孔连接第一沟槽和栅极跑道，通过第二连接孔连接第二沟槽和发射极金属，形成dummy沟槽(即第二沟槽)，实现在不增大沟槽间距的情况下降低IGBT短路电流、提高短路耐量时间的技术效果，平衡IGBT的耐压、短路耐量以及饱和压降。
[0010]在一些实施例中，所述第二连接孔设置于所述第二沟槽两端。
[0011]在一些实施例中，所述第二连接孔设置为条形孔。
[0012]本技术提供的IGBT版图结构进一步公开一种在第二沟槽内设置条形孔，通过条形的第二连接孔连接第二沟槽和发射极金属可以使发射极金属和第二沟槽有更大的接触面，从而确保连通。
[0013]在一些实施方式中，所述第一沟槽与所述第二沟槽均为条状结构，且相互平行设置。
[0014]在一些实施方式中，所述沟槽中包括至少两条所述第一沟槽，以及至少两条所述第二沟槽；
[0015]所述第一沟槽和所述第二沟槽交替设置。
[0016]在一些实施方式中，所述栅极跑道与所述发射极金属的材料相同，均为金属材料。
[0017]本实施例提供的IGBT版图结构实现一体化生产栅极跑道与发射极金属，提高产品
生产效率。
[0018]在一些实施方式中，所述第一沟槽和所述第二沟槽内均填充相同的多晶硅材料。
[0019]在一些实施方式中，所述沟槽、所述栅极跑道和所述发射极金属设置于芯片基底上，所述发射极金属上设置有发射极pad开口区；
[0020]所述芯片基底的内侧边缘设置终端耐压环。
[0021]在一些实施方式中，位于芯片两端的所述栅极跑道均与栅极金属连接，所述栅极金属上设置有栅极pad开口区。
[0022]本技术提供的IGBT版图结构，至少包括以下一项技术效果：
[0023](1)通过在第一沟槽与栅极跑道之间设置第一连接孔，实现第一沟槽与栅极跑道连接；
[0024](2)通过在第二沟槽与发射极金属之间设置第二连接孔，实现第二沟槽与发射极金属连接；
[0025](3)通过设置第二沟槽与发射极金属连接，形成dummy沟槽，实现在不增大沟槽间距的情况下降低IGBT短路电流、提高短路耐量时间的技术效果，平衡IGBT的耐压、短路耐量以及饱和压降。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1为本技术中IGBT版图结构的示例图；
[0028]图2为本技术中IGBT版图结构的另一个示例图。
[0029]图中标号：芯片基底
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1、终端耐压环
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2、第一沟槽
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3、第二沟槽
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4、栅极跑道
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5、栅极金属
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6、第一连接孔
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7、第二连接孔
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8、发射极金属
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9、发射极pad开口区
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10和栅极Pad开口区
‑
11。
具体实施方式
[0030]以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其他实施例中也可以实现本申请。在其他情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
[0031]应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所述描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或集合的存在或添加。
[0032]为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本技术相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘出了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
[0033]还应当进一步理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
[0034]另外，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0035]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本技术的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
[0036]本技术的一个实施例，如图1所示，本技术提供一种IGBT版图结构，包括沟槽、栅极跑道5(Gate Bus)和发射极金属9，沟槽中包括至少一条与栅极跑道5连接的第一沟槽3，以及至少一条与发射极金属9连接的第二沟槽4。栅极跑道5内设置第一连接孔7，第一连接孔7用于连接第一沟槽3与栅极跑道5，第二沟槽4内设置第二连接孔8，第二连接孔8用于连接第二沟槽4与发射极金属9。
[0037]具体地，沟槽设置于IGBT内部，由数量不限的沟槽构成，本实施例中将各个沟槽分为第一沟槽3和第二沟本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT版图结构，包括沟槽、栅极跑道和发射极金属，其特征在于，包括：所述沟槽中包括至少一条与所述栅极跑道连接的第一沟槽，以及至少一条与所述发射极金属连接的第二沟槽；所述栅极跑道内设置第一连接孔，所述第一连接孔用于连接所述第一沟槽与所述栅极跑道；所述第二沟槽内设置第二连接孔，所述第二连接孔用于连接所述第二沟槽与所述发射极金属。2.根据权利要求1所述的IGBT版图结构，其特征在于，所述第二连接孔设置于所述第二沟槽两端。3.根据权利要求1所述的IGBT版图结构，其特征在于，所述第二连接孔设置为条形孔。4.根据权利要求1所述的IGBT版图结构，其特征在于，所述第一沟槽与所述第二沟槽均为条状结构，且相互平行设置。5.根据权利要求4所述的IGBT版图结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：程炜涛，姚阳，
申请(专利权)人：上海埃积半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：