IGBT器件封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供IGBT器件封装结构，包括：焊接底板、IGBT芯片、FRD芯片；所述FRD芯片的阳极端通过导电胶与所述IGBT芯片的发射极端粘贴连接形成所述IGBT芯片和所述FRD芯片的纵向叠封结构，所述FRD芯片的阴极端与所述焊接底板通过打线连接；所述IGBT芯片的集电极端与所述焊接底板连接，所述焊接底板与集电极引出端连接，所述IGBT芯片的发射极端通过打线与发射极引出端连接。本实用新型专利技术提出了一种IGBT、FRD组合封装结构，可有效提高单个封装体可封装的IGBT、FRD组合数量，从而有效提高单个封装体的电流等级。电流等级。电流等级。

【技术实现步骤摘要】
IGBT器件封装结构


[0001]本技术涉及半导体功率器件领域，尤指一种IGBT器件封装结构。

技术介绍

[0002]IGBT芯片通常需要并联FRD芯片封装成成品后使用，FRD起续流作用，IGBT的集电极与FRD的阴极连接，IGBT的发射极与FRD的阳极连接。
[0003]常规的封装形式分为IGBT单管、IGBT模块两大类。通用的IGBT单管有TO
‑
247、TO
‑
220、TO
‑
264等封装形式，模块有62mm半桥、34mm半桥、PIM等，无论是哪种封装形式，其外形尺寸都是固定，从而内部用于焊接芯片的DBC或者CU基板面积也是固定的。相同设计方案下，IGBT芯片面积尺寸越大、电流等级越高，通常也可以通过多并联方式提高IGBT模块的电流等级，IGBT通常与FRD并列排布在焊接底板(DBC或CU基板)等上，固定的焊接底板面积限制了可以排布的芯片总面积及芯片数量，从而限制了电流等级。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是解决上述技术问题，为了达到上述目的本技术提供的技术方案如下：
[0005]本技术提供一种IGBT器件封装结构，包括：
[0006]焊接底板、IGBT芯片、FRD芯片；
[0007]所述FRD芯片的阳极端通过导电胶与所述IGBT芯片的发射极端粘贴连接形成所述IGBT芯片和所述FRD芯片的纵向叠封结构，所述FRD芯片的阴极端与所述焊接底板通过打线连接；
[0008]所述IGBT芯片的集电极端与所述焊接底板连接，所述焊接底板与集电极引出端连接，所述IGBT芯片的发射极端通过打线与发射极引出端连接。
[0009]在一些实施例中：所述FRD芯片的面积小于所述IGBT芯片的发射极的面积。
[0010]在一些实施例中：所述IGBT芯片的发射极面积包括用于打线外接发射极引出端的面积。
[0011]在一些实施例中：所述FRD芯片的阴极端朝上，通过打Al线或者Al带与所述焊接底板连接，通过与所述焊接底板连接的集电极引出端外接集电极电位。
[0012]在一些实施例中：当所述焊接底板面积不变时，所述IGBT器件封装结构包括多个所述FRD芯片和所述IGBT芯片的组合结构。
[0013]在一些实施例中：所述IGBT器件封装结构中所述FRD芯片和所述IGBT芯片的组合结构的数量不变时，所述焊接底板包括可调节面积的焊接底板。
[0014]本技术提供的一种IGBT器件封装结构，具有以下有益效果：
[0015]本技术提出了一种IGBT、FRD叠封封装结构，将IGBT、FRD原有的并列排布设计成垂直纵向排布，省去原有结构中FRD所占的焊接底板面积，可有效提高单个封装体可封装的“IGBT+FRD”组合数量，从而有效提高单个封装体的电流等级；或者相同数量的“IGBT+
FRD”封装单元前提下有效缩小焊接底板面积、进而缩小封装体体积和应用系统体积。
附图说明
[0016]下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对一种IGBT器件封装结构的上述特性、技术特征、优点及其实现方式予以进一步说明。
[0017]图1是本技术一种IGBT器件封装结构的示意图；
[0018]图2是常规的封装结构示意图；
[0019]图3是IGBT、FRD反并联电路原理图；
[0020]图4是IGBT、FRD的纵向叠封结构图；
[0021]图5是常规IGBT芯片结构示意图；
[0022]图6是常规FRD芯片结构示意图；
[0023]图7是本技术中IGBT、FRD叠封立体示意图；
[0024]附图标号说明：
[0025]1、焊接底板；1.1、焊接底板的栅极引出端；1.2、焊接底板的集电极引出端；2、IGBT芯片；2.1、IGBT芯片的背面集电极；2.2、IGBT芯片的正面发射极；2.3、IGBT芯片的正面栅电极；3、FRD芯片；3.1、FRD芯片的阴极端；4.1、第一打线；4.2、第二打线；4.3、第三打线。
具体实施方式
[0026]以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其他实施例中也可以实现本申请。在其他情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
[0027]应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所述描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或集合的存在或添加。
[0028]为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本技术相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
[0029]还应当进一步理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
[0030]另外，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0031]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本技术的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
[0032]需要说明的是，为了能更清楚本技术的改进点，先对现有技术的结构进行描述：
[0033]IGBT、FRD反并联电路原理图可参考图3，IGBT的集电极与FRD的阴极连接，IGBT的发射极与FRD的阳极连接。
[0034]例如，如图2所示是常规的封装结构示意图，IGBT芯片(结构2)、FRD芯片(结构3)并列排布在焊接底板1上，不同封装形式用于焊接芯片的焊接底板面积不同，根据面积的大小同一个焊接底板上可以是1个“IGBT+FRD”组合、2个“IGBT+FRD”组合、3个“IGBT+FRD”组合
……
,但一种封装形式的焊接底板面积是固定的，从而限制了可封装的“IGBT+FRD”芯片组合数量。
[0035]本技术的一个实施例，本技术提供一种IGBT器件封装结构，包括：
[0036]焊接底板、IGBT芯片、FRD芯片；
[0037]所述FRD芯片的阳极端通过导电胶与所述IGBT芯片的发射极端粘贴连接形成所述IGBT芯片和所述FRD芯片的纵向叠封结构，所述FRD芯片的阴极端与所述焊接底板通过打线连接；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT器件封装结构，其特征在于，包括：焊接底板、IGBT芯片、FRD芯片；所述FRD芯片的阳极端通过导电胶与所述IGBT芯片的发射极端粘贴连接形成所述IGBT芯片和所述FRD芯片的纵向叠封结构，所述FRD芯片的阴极端与所述焊接底板通过打线连接；所述IGBT芯片的集电极端与所述焊接底板连接，所述焊接底板与集电极引出端连接，所述IGBT芯片的发射极端通过打线与发射极引出端连接。2.根据权利要求1所述的IGBT器件封装结构，其特征在于：所述FRD芯片的面积小于所述IGBT芯片的发射极的面积。3.根据权利要求1所述的IGBT器件封装结构，其特征在于：所述IGBT芯片的...

【专利技术属性】
技术研发人员：程炜涛，姚阳，
申请(专利权)人：上海埃积半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：