功率芯片快速测试基板制造技术

本发明专利技术提供了一种功率芯片快速测试基板，其测试基板包括：绝缘基板，所述绝缘基板的表面设置有若干个金属区域，且各个所述金属区域彼此隔离；一个所述金属区域上设置有焊接区，用于焊接待测芯片，且所述待测芯片通过打线的方式与其余的所述金属区域电性连接。该方案的测试效率更高，且能够适用不同类型、不同尺寸的功率芯片的测试，通用性更强。通用性更强。通用性更强。

【技术实现步骤摘要】
功率芯片快速测试基板


[0001]本专利技术涉及半导体功率器件
，尤指一种功率芯片快速测试基板。

技术介绍

[0002]现有的像IGBT、MOSFET这一类的功率器件产品，常规情况下在晶圆生产完成后，需要对晶圆上的晶粒(芯片)进行封装，封装后进行参数性能的测试评估。
[0003]但是，由于芯片封装需要一定的周期，且封装形式也会对可封装的芯片尺寸有所限制，导致功率芯片的测试效率较低，通用性较差。因此，需要一种通用性更强，测试效率更高的功率芯片快速测试基板。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种功率芯片快速测试基板，以解决现有技术中功率芯片测试效率较低，通用性较差的问题。
[0005]本专利技术提供的技术方案如下：
[0006]本专利技术提供一种功率芯片快速测试基板，包括：
[0007]绝缘基板，所述绝缘基板的表面设置有若干个金属区域，且各个所述金属区域彼此隔离；
[0008]一个所述金属区域上设置有焊接区，用于焊接待测芯片，且所述待测芯片通过打线的方式与其余的所述金属区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率芯片快速测试基板，其特征在于，包括：绝缘基板，所述绝缘基板的表面设置有若干个金属区域，且各个所述金属区域彼此隔离；一个所述金属区域上设置有焊接区，用于焊接待测芯片，且所述待测芯片通过打线的方式与其余的所述金属区域电性连接。2.根据权利要求1所述的功率芯片快速测试基板，其特征在于，用于焊接所述待测芯片的所述金属区域的侧方设置有引出部，所述引出部用作第一电极。3.根据权利要求2所述的功率芯片快速测试基板，其特征在于，所述金属区域的个数为三个，一个用于焊接所述待测芯片，其余两个分别作为第二电极和第三电极。4.根据权利要求3所述的功率芯片快速测试基板，其特征在于，所述待测芯片的栅极与所述第二电极电性连接，所述待测芯片的源极与所述第三电极电性连接。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：程炜涛，姚阳，
申请(专利权)人：上海埃积半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：