【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体功率器件，尤指一种双栅控制器件及制作方法。
技术介绍
1、mos，是mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）金属-氧化物半导体场效应晶体管的缩写。属于单极型器件，一般根据导电类型分为n型mos和p型mos，其中n型mos的通过电子导电，p型mos通过空穴导电。mos的优点是开关速度快，工作频率可以达到100mhz，缺点是通态压降大（导通损耗大），难以制成高压大电流器件。
2、igbt（insulate-gate bipolar transistor）绝缘栅双极晶体管，属于双极型器件，电子和空穴同时参与导电，通态压降小（导通损耗小），可以制成高压大电流器件。一般电子受正面栅极控制，栅极电压低于阈值电压时，电子沟道随即消失。但空穴是由背面集电极注入，正面栅极关断无法直接切断空穴载流子电流，需要通过载流子复合逐渐降低直至切断空穴电流，导致关断时间相较单极型mos器件长很多，受动态损耗限制，其工作频率最高几十khz。因此，目前需要一种既能使...
【技术保护点】
1.一种双栅控制器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双栅控制器件，其特征在于，包括一P型MOS区域和两个分别位于所述P型MOS区域两侧的N型MOS区域；
3.根据权利要求1或2所述的双栅控制器件，其特征在于，所述P型MOS区域包括：
4.根据权利要求1或2所述的双栅控制器件，其特征在于，所述N型MOS区域包括：
5.根据权利要求1或2所述的双栅控制器件，其特征在于，所述第一栅极包括正面沟槽区域、位于所述正面沟槽区域内壁的正面栅氧化层，以及位于所述正面栅氧化层内部的正面多晶硅栅；
6.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种双栅控制器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双栅控制器件，其特征在于，包括一p型mos区域和两个分别位于所述p型mos区域两侧的n型mos区域；
3.根据权利要求1或2所述的双栅控制器件，其特征在于，所述p型mos区域包括：
4.根据权利要求1或2所述的双栅控制器件，其特征在于，所述n型mos区域包括：
5.根据权利要求1或2所述的双栅控制器件，其特征在于，所述第一栅极包括正面沟槽区域、位于所述正面沟槽区域内壁的正面栅氧化层，以及位于所述正面栅氧化层内部的正面多晶硅栅；
<...【专利技术属性】
技术研发人员：程炜涛，姚阳，
申请(专利权)人：上海埃积半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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