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本发明提供了一种双栅控制器件及制作方法，该器件包括：衬底，衬底的正面设置有正面金属区域，衬底的背面设置有背面金属区域，且衬底包括位于正面金属区域和背面金属区域之间的至少一N型MOS区域和至少一P型MOS区域；衬底的正面设置有第一栅极，衬底的...
该专利属于上海埃积半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海埃积半导体有限公司授权不得商用。

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