本实用新型公开了一种用于长晶炉的支撑结构。其包括炉体、坩埚和立柱，述炉体内安装有加热装置，所述坩埚内盛放有晶体溶液，所述坩埚底部设置有卡槽，所述卡槽下方连接有固定轨，所述固定轨下方安装有钨托盘，所述支撑架末端连接有固定螺栓，所述立柱底端...

本实用新型公开了一种碳化硅加工用长晶炉。其包括固定杆、长晶炉主体、缓冲块和温度显示屏，所述固定杆的底侧安装有炉盖，且炉盖的内侧设置有调控板，所述调控板的外壁镶嵌有湿气进口，且调控板的顶端和泄压管相连接，所述长晶炉主体固定于炉盖的底侧，且...

本实用新型公开了一种长晶炉坩埚，属于碳化硅生产设备技术领域。其包括坩埚本体(1)，其特征是：所述坩埚本体(1)的内壁上可拆卸地设置有至少一个加料槽(2)，所述加料槽(2)包括管状结构的导流段(4)和连接在所述导流段(4)下端的长方体状的...

本实用新型公开了一种长晶炉，属于碳化硅生产设备技术领域。一种长晶炉，包括炉体(1)、籽晶轴(2)，其特征在于：所述炉体(1)的内侧壁上设有一环形的垫板(4)，所述垫板(4)上设置有一直径与所述炉体(1)的内径相当的挡板(5)，所述挡板(...

本实用新型属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种液相生长碳化硅的装置，包括坩埚和坩埚盖，坩埚盖上设有籽晶杆，坩埚壁顶部设有至少一个凹槽，坩埚盖上设有至少一个与凹槽相适应的凸起，凹槽和相应凸起之间形成曲折通道；所述的坩埚具有真空夹层；所...

本实用新型公开了一种提拉式长晶炉。其包括机体、坩埚盖和坩埚，所述机体的两端安装有箱体，且其下端安置有底座，所述机体的外表面设置有显示器，且其外表面后端连接有插头，所述显示器的下端安装有控制面板，所述坩埚盖的上端安置有电机，所述箱体的内部...

本实用新型公开了一种长晶炉坩埚吊装装置。其包括竖向的立柱、与立柱连接的横梁Ⅰ、可沿横梁Ⅰ移动的移动机构、机械手、液压升降机构，移动机构的两侧分别设有一个竖向设置并可上下移动的导向柱，两个导向柱下端之间连接有一个横梁Ⅱ，机械手安装在横梁Ⅱ...

本实用新型公开了一种长晶炉坩埚吊装装置。包括竖向的立柱、与立柱连接的横梁Ⅰ、可沿横梁Ⅰ移动的移动机构、机械手、液压升降机构、带动立柱转向的转向机构，移动机构的两侧分别设有一个导向柱，两个导向柱下端之间连接有一个横梁Ⅱ，机械手安装在横梁Ⅱ...

本实用新型公开了一种碳化硅倒角机。其包括底座、控制箱和夹持装置，所述底座的上端面左右两侧均设有支架，所述支架的上部设有滑槽，所述滑槽的内侧设有滑块，所述滑块的内侧与连接杆固定连接，两组所述连接杆的内侧均连接有滚轮，两组所述滚轮之间连接有...

本实用新型公开了一种碳化硅加工夹具。其包括连接杆和夹持装置，所述连接杆的下端与连接件的上部固定连接，所述连接件的下侧设有T型槽，所述T型槽的内侧设有T型滑块，所述T型滑块的中部连接有夹持螺丝，所述T型滑块的下侧固定连接有夹持装置，所述夹...

本实用新型公开了一种碳化硅抛光机。其包括支柱、工作台、抛光转轮和电动机，所述支柱的下端面固定连接有底座，所述支柱的右侧壁留有限位槽，所述工作台的左侧插接在限位槽的内腔，所述工作台的上端面还设置有活动挡板，所述活动挡板上留有通孔，所述螺纹...

本实用新型公开了一种碳化硅切割装置，包括花岗岩机座、伺服驱动机构和激光切割升降机构，所述伺服驱动机构设置在花岗岩机座的上端，所述激光切割升降机构通过支架固定在伺服驱动机构的上端，所述直流伺服电机与NC控制装置电性连接，所述转动轴套与滚珠...

本实用新型涉及长晶炉技术领域，具体为一种液压式坩埚长晶炉，包括长晶炉本体，所述长晶炉本体内腔中设有坩埚；所述长晶炉本体的上端铰接有炉盖；所述长晶炉本体的外侧壁设有控制器；所述长晶炉本体的内腔底端设有加热板，且加热板的上端接触坩埚的下端；...

本实用新型属于新材料加工技术领域，提供了一种多坩埚液相外延SiC晶体的承载装置，通过石墨绳的牵制让SiC籽晶固定在坩埚底部浸渍在熔融液中生长，由此既能给SiC晶体的生长提供了相对稳定的生长环境，通过熔融液的流动易于将C向底部SiC籽晶附...

本实用新型公开了一种液相法生长碳化硅晶体用的石墨坩埚，属于碳化硅生产设备技术领域。其包括坩埚体(3)、盖在坩埚体(3)上端的坩埚盖(1)，其特征在于：在所述坩埚体(3)上端的内侧壁上对应于坩埚体(3)与坩埚盖(1)之间的缝隙处设有一沿坩...

本实用新型公开了一种液相法生长碳化硅晶体用的籽晶轴，属于碳化硅生产设备技术领域。其包括头部贴有籽晶的石墨轴，其特征在于：在籽晶上部的石墨轴上同轴设置有一石墨遮罩，所述石墨遮罩为圆形平板或为开口向下的伞形结构或为一端封闭另一端敞口向下的筒...

本实用新型公开了一种可防止硅蒸汽溢出的液相法生长碳化硅晶体的装置。其包括石墨坩埚、与上下运动机构连接的籽晶轴，所述石墨坩埚外设有保温层，所述石墨坩埚包括坩埚体、盖在坩埚体上端的坩埚盖，所述籽晶轴包括头部贴有籽晶的石墨轴，其特征在于：在所...

本实用新型公开了一种碳化硅品质检验装置，包括电源、存储器、MCU处理器和计算机控制装置，所述电源和存储器均与MCU处理器电性连接，所述计算机控制装置通过数据采集与处理装置和MCU处理器信号连接，所述MCU处理器电性连接有电子显微镜、LE...

本发明属于新材料加工技术领域，发明人首次提出采用傅里叶变换来测量晶体平台宽度的概念，以分布图的形式直观得到晶体生长后的平均平台宽度，打破了以往常规的传统人工测量晶体台阶的方法，以及观察范围窄、测量成本高、耗时等弊端，不论是何种晶体类型或...

本发明公开了一种PVT法大直径碳化硅单晶生长装置。其包括真空腔体、设置在真空腔体内的生长室和加热器，真空腔体主要由依次密封连接的上盖、侧壁、下盖组成，其特征是：真空腔体的上盖、侧壁、下盖均为不锈钢材质，并均为中空结构，所述上盖、侧壁、下...