本发明提供了一种高品质碳化硅晶体的制备方法及其装置，该方法包括热场组装、加热、长晶和冷却的步骤，热场组装具体包括：向石墨坩埚放置长晶原料和碳化硅籽晶后，在石墨坩埚外壁与长晶原料大致对应的位置设置第一套环，在与碳化硅籽晶大致对应的位置设置...

本申请涉及一种提高碳化硅单晶生长过程中温度场分布均匀度的方法，所述方法包括利用单晶生长装置和保温装置进行碳化硅单晶生长的步骤，在单晶生长过程中通过旋转保温装置以提高温度场分布的均匀度；并且，在单晶生长过程中单晶生长装置保持静止状态。本申...

本申请公开了一种提高碳化硅粉料产率的方法，属于半导体材料制备领域。本申请通过在高纯碳粉硅粉混合料中加入固态糖类，在不引入其它杂质的条件下，借助该糖类随着温度增加，糖类熔化后产生的粘稠液体粘度高的性质，可在反应前期阻止碳粉硅粉分层，随着温...

本发明提出了一种制备高纯碳化硅粉料的方法，其特征在于，(1)选择高纯硅粉和高纯碳粉；(2)对高纯碳粉、石墨坩埚和保温结构进行一次提纯和二次提纯，其中，一次提纯采用真空脱气提纯，二次提纯采用惰性气体下的高温提纯；(3)将步骤(2)二次提纯...

本申请公开了一种由碳化硅长晶剩料制备高纯碳材料的方法。该方法包括如下步骤：将碳化硅长晶剩料中的块状碳化硅多晶去除，获得粗料；将粗料中剩余的碳化硅多晶通过分解升华的方式去除，收集剩余的粗料即为高纯碳材料。所述分解升华的反应条件为：压强5‑...

本申请涉及一种碳化硅单晶生长装置，包括：原料部、接收部和气相流通区域；所述原料部用于放置原料，并提供原料受热升华的场所；所述接收部用于接收原料升华后得到的产品；所述原料受热升华后经过气相流通区域到达接收部；在气相流通区域设有凝结碳吸附部...

本发明提出了一种制备高质量单晶碳化硅的装置，其特征在于，所述装置包括：至少第一坩埚和第二坩埚、至少两个加热元件以及保温结构；其中，所述至少两个坩埚相互连通；每个坩埚对应至少一个加热元件；每个坩埚的加热是独立控制的；所述第一坩埚用于单晶碳...

本申请公开了一种高纯碳化硅单晶衬底，属于半导体材料领域。该高纯碳化硅单晶衬底至少包括碳化硅单晶衬底表层和碳化硅单晶衬底主体层，该碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷浓度小于该碳化硅单晶衬底本体层的本征点缺陷浓度，所述碳化硅单晶衬底具有半绝缘性...

本申请公开了一种提升高纯碳化硅粉料合成效率的方法，所述方法包括如下步骤:S1、将高纯碳粉和高纯硅粉混匀，获得原料；S2、将所述原料置于坩埚的腔室中，按照高温自蔓延法反应合成高纯碳化硅粉料。在所述合成高纯碳化硅粉料过程中，使用高纯硅烷与所...

本发明提出了一种高质量单晶碳化硅及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：第一单晶碳化硅长晶阶段和包括硅气氛补充步骤的第二单晶碳化硅长晶阶段，其中，所述第二单晶碳化硅长晶阶段为：当单晶碳化硅生长腔内生长气氛中的硅碳比小于1.1时，启动硅气...

本发明公开了一种高平整度、低损伤大直径单晶碳化硅衬底，所述衬底的表面粗糙度≤0.2nm，所述衬底的细小划痕die占比＜10％、pit占比＜0.1个/cm

本发明提出了一种制备pH稳定性提高的碳化硅化学机械抛光液的方法，所述制备方法包括以下步骤：用表面改性剂对高硬度磨料分散液进行表面改性，再依次加入pH稳定剂和氧化剂，其中表面改性剂为有机酸。本发明的抛光液在进行化学机械抛光过程能很好的保持...

本申请公开了一种碳化硅长晶剩料的综合利用方法，所述方法包括如下步骤：S1、将碳化硅长晶剩料中的碳化硅去除获得高纯碳材料；S2、将所述高纯碳材料用于制作保温结构的填充物；S3、将所述保温结构设于碳化硅长晶坩埚外用于保温；S4、当所述保温结...

本申请公开了一种大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底及其制备方法，属于碳化硅单晶、单晶衬底领域。该大尺寸高纯碳化硅单晶的制备方法包括下述步骤：将装填碳化硅粉料的坩埚安装籽晶单元后，坩埚置于密闭保温结构的腔内，移至晶体生长装置内；后经除杂阶段、...

本申请公开了一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底的制备方法，属于半导体材料领域。该半绝缘碳化硅单晶的制备方法包括下述步骤：对热场装置除杂、混料、长晶和退火处理。该半绝缘碳化硅单晶的制备方法的技术成本和资金成本低。制备的碳化硅单晶...

本申请公开了一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底，属于半导体材料领域。该半绝缘碳化硅单晶包含浅能级杂质、低浓度深能级掺杂剂和极少量本征点缺陷；所述深能级掺杂剂与所述本征点缺陷共同补偿浅能级杂质，所述深能级掺杂剂的浓度小于掺杂半绝...

本申请公开了一种生长碳化硅单晶的热场结构，属于碳化硅单晶的制备领域。本申请通过改进PVT法的热场分布，改变传统的通过上保温孔散热制造轴向温度梯度的方法，改为使用不同壁厚的坩埚及不同厚度的保温结构制造出轴向温度梯度，同时改变坩埚上侧的保温...

本申请公开了一种高纯碳化硅粉及其制备方法，属于半导体材料制备领域。该高纯碳化硅粉的制备方法包括下述步骤：1)将碳粉和硅粉置于可密封的体系中，充入惰性气体，得到碳粉硅粉混合物；2)将所述碳粉硅粉混合物经真空条件下的加热处理和惰性气体条件下...

本申请涉及一种高纯碳化硅单晶的生长方法，所述方法包括将原料置于碳化硅单晶生长装置中，加热使得原料升华形成碳化硅单晶的步骤，所述晶体生长装置中设置有含有Si粉的Si元素补充装置，所述Si元素补充装置设置于原料的内部；在晶体生长过程中，Si...

本申请涉及一种碳化硅单晶生长方法，所述方法包括将原料置于碳化硅单晶生长装置中，加热使得原料升华形成碳化硅单晶的步骤，所述晶体生长装置中设置有含有Si与SiC的混合物或Si粉的Si元素补充装置，所述Si元素补充装置设置于原料的内部，在Si...