本发明提供了一种mini‑LED封装工艺及其封装结构，本发明分别形成具有多个mini‑LED芯片的第一接合部以及具有多个TFT单元的第二接合部，然后进行低温接合，在该低温下，其不影响显示屏的性能，且能够对第一接合部和第二接合部进行分别电...

本发明提供了一种镶嵌式石墨烯二极管的制造方法。本发明通过设计第一石墨烯区与第二石墨烯区的面积之比，以及电极总面积与石墨烯区的总面积之比，以此来提高二极管的击穿电压，同时可以保证第一电极和第二电极的电流密度接近或相同，以防止因为电流不均导...

本发明提供了一种半导体激光加工方法。本发明利用前道工序进行两个硅衬底芯片的混合键合，键合面上包括金属硅化物区，该金属硅化物区与硅材料具有更好的键合效果，且金属硅化物同时充当欧姆接触件和电磁屏蔽层。特别的，金属硅化物区采用激光局部扫描形成...

本发明涉及一种用于智能功率模块的封装基板的制备方法，该方法包括以下步骤：在承载基板上形成第一重新布线层，在所述第一重新布线层上形成交替堆叠设置的有机介电层和无机介电层，接着形成第一开孔和第二开孔，接着在所述第一开孔中形成电容下电极层、电...

本发明提供了一种逆变器电力电子系统及其制造方法，本发明利用呈钝角的第一连接部分和第二连接部分作为连接电路板的连接端，并使得电路板在安装时沿着穿过该钝角的方向进行滑动对准，这样可以保证滑动时，多个连接件保持原来相同形态和方向的排布结构。上...

本发明提供了一种柔性LED封装结构及其制造方法，本发明的柔性LED封装结构设置加强层，并使得在LED芯片位置处的加强层的弹性模量大于加强层其他位置的弹性模量，这样可以使得在LED封装结构在弯曲时，主要的弯曲位置不在LED芯片位置。本发明...

本发明提供了一种芯片结构及其制造方法。本发明的芯片结构利用在其侧面上形成外露的牺牲电极来保护其用于外电连接的电极焊盘，其使得电极焊盘的材料的氧化还原电位高于牺牲电极的材料的氧化还原电位，能够在水氧的环境下先消耗牺牲电极材料，保护电极焊盘...

本发明提供了一种智能功率芯片结构及其制造方法。本发明利用多个散热图案热连接第一散热层对功率芯片进行散热，保证功率芯片的正常工作；特别的，所述焊盘所使用的第一金属比所述多个散热图案所使用的第二金属的氧化还原电位高，并且，所述焊盘通过较薄的...

本发明涉及一种集成电路封装结构和方法，该方法包括：形成多个分离的芯片组，在第一载体衬底上设置一芯片组，接着形成第一金属柱和第二金属柱，接着形成第一塑封树脂层，并对所述第一塑封树脂层进行第一固化处理，在所述第一塑封树脂层上形成第一重分布层...

本发明涉及一种多芯片半导体封装及其形成方法，在对塑封树脂层进行固化处理的过程中，通过分段固化处理，可以有效抑制硅基晶体管在固化过程中产生硅悬空键，通过先在氧气氛围中使得硅基晶体管充分产生硅悬空键，进而通过在氮气的氛围中热处理过程以使得氧...

本发明提供了一种半导体芯片及其制造方法。本发明的半导体芯片利用在其侧面上形成外露的牺牲电极来保护其用于外电连接的电极焊盘，其使得电极焊盘的材料的氧化还原电位高于牺牲电极的材料的氧化还原电位，能够在水氧的环境下先消耗牺牲电极材料，保护电极...

本发明提供了一种多芯片封装结构及其制造方法。本发明在制造电路板时，采用在介质层之间的布线层上设置气隙形成气隙通路，防止上下介质层的应力传递，从而防止电路板的翘曲；且该气隙通路分别连通于不同的芯片腔体中，以实现布线层的散热，且防止多芯片之...

本发明提供了一种COB封装结构及其制造方法。在制造电路板时，采用在介质层之间的布线层上设置气隙，防止上下介质层的应力传递，从而防止电路板的翘曲；且该气隙连接于在芯片之下的穿孔，以实现布线层的散热；本发明的制造方法简单，只需要预先在布线层...

本发明提供了一种MEMS声波组件及其制造方法。本发明使用围墙的凹槽实现多根导线的聚集，其可以实现差分信号的相等路径长度传输，且可以保证多跟引线的有序性和低干扰，其中在所述凹槽内，所述多个引线平行排布且相邻两根所述多根引线的间距小于每根引...

本发明提供了一种立体悬空电感器及其制造方法。本发明的电感器通过在多层基板内形成螺旋电感通道，然后填充导电材料一体成型，其导电材料各个部分不存在连接点，且均匀粗细。利用在第一陶瓷基板内设置出气口可以便于填充导电材料的同时，该填充了导电材料...

本发明提供了一种工电感器及其制造方法。本发明的电感器通过在预先热压成型的多层陶瓷板内形成螺旋电感通道，然后填充导电材料一体成型，其导电材料各个部分不存在连接点，且均匀粗细。利用在第一陶瓷基板内设置出气口可以便于填充导电材料的同时，该填充...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件的制造方法包括依次在氧化镓层上形成钛层、镁层和金层，并在形成钛层之后进行第一次热退火，在形成金层之后进行第二次热退火，其中，第一次热退火的气压大于所述第二次热退火的气压，以此来形成与氧...

本发明涉及一种散热型封装结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：形成第一封装组件，形成第二封装组件，将所述第一封装组件贴装在所述柔性线路基板的中间区域，将两个所述第二封装组件分别贴装在所述柔性线路基板的相对的两个端部区域，接着将所述柔性线...

本发明公开了一种，本发明涉及一种系统级堆叠封装及其制备方法，该方法包括以下步骤：形成第一半导体封装块，接着形成第二半导体封装块，提供一柔性电路基板，接着将一个所述第一半导体封装块贴装在所述柔性电路基板的中部接合区，接着将两个所述第二半导...

一封装件，形成第二封装件，形成第三封装件，接着将所述第一封装件贴装在柔性线路基板的中间区域，将两个所述第二封装件分别贴装在柔性线路基板的相对的两个侧边区域，接着形成多个间隔设置的第一穿孔和第二穿孔，在所述第一穿孔和所述第二穿孔中沉积树脂...