【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装及其形成方法
本专利技术涉及半导体封装领域，特别是涉及一种半导体封装及其形成方法。
技术介绍
随着人们对电子产品小型化、系统化、多功能等方向的持续追求，超大规模集成电路的特征尺寸在不断缩小。相应的，半导体行业也得到了快速发展，电子产品微型化越来越高密度，功能越来越多，产品尺寸越来越小，锡球与锡球之间的距离越来越小。在此基础上，POP堆叠结构也得到了快速的发展，其中，以柔性基板堆叠结构和POP堆叠结构相结合的封装构件中，可以将不同功能的芯片进行纵向和横向堆叠，进而具有高密度集成、封装尺寸更小、产品性能优越、充分利用堆叠空间等优势。而现有的柔性基板堆叠结构和POP堆叠结构相结合的封装构件中，容易出现封装构件剥离，封装构件稳定性差，封装构件失效等缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体封装及其形成方法。为实现上述目的，本专利技术提出的一种半导体封装的形成方法，包括以下步骤：(1)提供一第一布线基板，在所述第一布线基板的中间区域形成第一凹槽，在所...
【技术保护点】
1.一种半导体封装的形成方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)提供一第一布线基板，在所述第一布线基板的中间区域形成第一凹槽，在所述第一布线基板上形成第一导电柱和第二导电柱，将第一半导体芯片贴装在所述第一布线基板上，并使得所述第一半导体芯片的一部分嵌入到所述第一凹槽中，接着在所述第一布线基板上形成第一封装胶层，所述第一封装胶层包裹所述第一导电柱、第二导电柱和所述第一半导体芯片，所述第一导电柱的一部分从所述第一封装胶层的侧面露出，所述第二导电柱的一部分从所述第一封装胶层的上表面露出，接着在所述第一布线基板的背面植球，以形成第一封装件；/n(2)提供一第二布线基板，在所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装的形成方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)提供一第一布线基板，在所述第一布线基板的中间区域形成第一凹槽，在所述第一布线基板上形成第一导电柱和第二导电柱，将第一半导体芯片贴装在所述第一布线基板上，并使得所述第一半导体芯片的一部分嵌入到所述第一凹槽中，接着在所述第一布线基板上形成第一封装胶层，所述第一封装胶层包裹所述第一导电柱、第二导电柱和所述第一半导体芯片，所述第一导电柱的一部分从所述第一封装胶层的侧面露出，所述第二导电柱的一部分从所述第一封装胶层的上表面露出，接着在所述第一布线基板的背面植球，以形成第一封装件；
(2)提供一第二布线基板，在所述第二布线基板的中间区域形成第二凹槽，将第二半导体芯片贴装在所述第二布线基板上，并使得所述第二半导体芯片的一部分嵌入到所述第二凹槽中，接着在所述第二半导体芯片的背面叠置第三半导体芯片和第四半导体芯片，所述第三半导体芯片和所述第四半导体芯片相邻且间隔设置，接着在所述第二布线基板上形成第二封装胶层，接着在所述第二封装胶层中形成分别电连接至所述第三半导体芯片和第四半导体芯片的第一导电通孔和第二导电通孔，在所述第一导电通孔和所述第二导电通孔上分别形成第一焊球和第二焊球，接着在所述第二线路基板的背面植球，以形成第二封装件；
(3)提供第一载板，在所述第一载板上形成第一钝化层，在所述第一钝化层上形成第一重布线层，在所述第一重布线层上形成第三导电柱和第四导电柱，将第五半导体芯片贴装在所述第一重布线层上，接着在所述第一重布线层上形成第三封装胶层，所述第三封装胶层包裹所述第三导电柱、第四导电柱和所述第五半导体芯片，所述第三导电柱的一部分从所述第三封装胶层的侧面露出，所述第四导电柱的一部分从所述第三封装胶层的上表面露出，接着在所述第四导电柱上植球，接着去除所述第一载板，以形成第三封装件；
(4)提供一柔性线路基板，将所述第一封装件贴装在所述柔性线路基板的中间区域，将两个所述第二封装件分别贴装在所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域，接着在所述第一、第二封装件上设置第二载板；
(5)接着对所述所述柔性线路基板的中间区域、所述第一布线基板以及所述第一半导体芯片进行刻蚀处理，以形成多个间隔设置的第一穿孔，接着对所述所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域、第二线路基板以及所述第二半导体芯片进行刻蚀处理，以形成多个间隔设置的第二穿孔；
(6)接着在所述第一穿孔和所述第二穿孔中沉积树脂材料以分别形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙德瑞，侯新祥，
申请(专利权)人：山东傲天环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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