一种新型智能卡双界面倒封装模块的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种新型智能卡双界面倒封装模块的制作方法，该方法将传统的绑定芯片封装工艺改为芯片倒扣通过锡点焊接的工艺解决芯片模块封装的问题。这样原来载带焊接面的金层可以降低到0.02um左右。可以直接将焊接面的成本降低90％，大大节省了生产成本。同时因为锡点的焊接面积大，比绑定金线或者合金线焊接点按触面大上百倍，所以焊接的可靠性能更好，卡片在使用过程中更不易损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种新型智能卡双界面倒封装模块的制作方法
本专利技术涉及智能卡芯片模块制作领域，具体涉及一种新型智能卡双界面倒封装模块的制作方法。
技术介绍
银行卡是指经批准由商业银行(含邮政金融机构)向社会发行的具有消费信用、转账结算、存取现金等全部或部分功能的信用支付工具。银行卡减少了现金和支票的流通，使银行业务突破了时间和空间的限制，发生了根本性变化。银行卡自动结算系统的运用，使这个“无支票、无现金社会”的梦想成为现实。银行卡换芯是由于传统的磁条卡磁道信息易被复制而存在安全隐患。相比之下，芯片卡具备密钥加密技术，加密信息随机生成。中国银联资深风险专家王宇说，在全球范围内还未发生过芯片银行卡被复制导致伪卡欺诈的实际案例。银行卡上芯片模块可以存储密钥、数字证书以及指纹保护、读写加密等功能，安全性较磁条卡大幅提高，复制难度很高。同时，通过可运算的芯片和存储在其中的密钥，确保终端与卡片的交互过程安全真实，而且能保证联机交易信息的安全。国内多家银行陆续发行金融IC卡，即有芯片的银行卡。专家认为，芯片卡从根本上提高了银行卡的安全性。有利于商业银行的业务创新。IC卡具备多应用加载平台，可丰富银行卡产品系列，称为商业银行业务创新的重要手段。银行卡芯片模块、ETC充值芯片卡芯片块、税务控制卡芯片模块、加油卡芯片模块等各类型智能卡相关芯片模块是所有卡片的主要核心部件。传统的智能卡模块芯片封装技术为在设计制作好的智能卡芯片载带上将智能卡原始的芯片wafer通过设备取放到设计制作好的芯片载带上，通成绑定金线或者合金线将两者之间对应的触点连结起来导通形成模块的功能传导。在传统工艺生产过程中，为达到绑定焊线焊接效果，智能卡芯片载带的焊接面金厚需要达到0.2um左右，目前金价高涨，对整个成本影响很大。而且焊点的金线或者合同线非常细小，卡片在保用过程中容易因变形损坏。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新型智能卡双界面倒封装模块的制作方法，用于解决上述
技术介绍
中提出的问题。。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种新型智能卡双界面倒封装模块的制作方法，包括如下步骤：步骤a：对原始Wafer芯片进行RDL制作，在原始Wafer芯片表面产生焊点；步骤b：对上述步骤a中制作好RDL的Wafer芯片进行化学前处理，使其表面的焊点能够实现与锡焊接导通；步骤c：对上述步骤b中进行了化学前处理后的Wafer芯片进行芯片减薄和划片；步骤d：按照制作好RDL的Wafer芯片表面的焊点位置制作智能卡芯片载带，制作好的智能卡芯片载带上的触点位置需与Wafer芯片表面的焊点位置一一对应；步骤e：通过CCD自动卷对卷印刷机向上述步骤d中制作好的智能卡芯片载带的触点上印刷锡膏；步骤f：通过固晶机设备向上述步骤e中印刷好锡膏的智能卡芯片载带上点胶，然后取上述步骤c中完成了减薄和划片的Wafer芯片倒封装在智能卡芯片载带的中心位置上，并使Wafer芯片上的焊点位置与智能卡芯片载带上印刷了锡膏的触点位置一一对应；步骤g：使用回流焊设备将上述步骤f中Wafer芯片的焊点与智能卡芯片载带的触点之间的锡膏融化，使焊点与触点之间通过锡球焊接连接，形成线路导通，倒封装模块制作完成。优选的，对于所述的新型智能卡双界面倒封装模块的制作方法，上述步骤d中，在制作好的智能卡芯片载带的每个触点外围均设置油墨挡点进行隔离。优选的，对于所述的新型智能卡双界面倒封装模块的制作方法，上述步骤f中，在将Wafer芯片倒封装在智能卡芯片载带上之前，先在智能卡芯片载带上标示出防贴偏外围边线。优选的，对于所述的新型智能卡双界面倒封装模块的制作方法，还包括步骤h：对上述步骤g中制作完成的倒封装模块进行点UV胶，并进行模块测试。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：1、本专利技术将传统的绑定芯片封装工艺改为芯片倒扣通过锡点焊接的工艺解决芯片模块封装的问题。这样原来载带焊接面的金层可以降低到0.02um左右。可以直接将焊接面的成本降低90％，大大节省了生产成本。同时因为锡点的焊接面积大，比绑定金线或者合金线焊接点按触面大上百倍，所以焊接的可靠性能更好，卡片在使用过程中更不易损坏。2、本专利技术依然采用传统的卷对卷生产设备，只是改造也芯片模块内部焊接结构，所有下游卡片生产工厂不需要改造设备升级，直接可以正常生产，可降低技术升级的成本。具体实施方式下面将结合具体实施例对本专利技术作进一步说明，以便于本领域的技术人员可以更好的理解本专利技术并能予以实施，但所列举的实施例不作为本专利技术的限定。本专利技术提供了一种新型智能卡双界面倒封装模块的制作方法，，包括如下步骤：步骤a：对原始Wafer芯片进行RDL制作，在原始Wafer芯片表面产生焊点，焊点与Wafer芯片内部电路导通；步骤b：对上述步骤a中制作好RDL的Wafer芯片进行化学前处理，使其表面的焊点能够实现与锡焊接导通；RDL处理后，常规的焊点表面有铝层、锡层或镍金层，根据金属层的不同进行相应的化学前处理，保证处理后焊点能与锡进行焊接导通；步骤c：对上述步骤b中进行了化学前处理后的Wafer芯片进行芯片减薄和划片；步骤d：按照制作好RDL的Wafer芯片表面的焊点位置制作智能卡芯片载带，制作好的智能卡芯片载带上的触点位置需与Wafer芯片表面的焊点位置一一对应；步骤e：通过CCD自动卷对卷印刷机向上述步骤d中制作好的智能卡芯片载带的触点上印刷锡膏；因智能卡芯片载带需要印刷锡膏的触点位置很小，需要采用定制的锡膏才能满足产品生产需求，印刷过程中要保证印刷的精度不能偏移和漏印；步骤f：通过固晶机设备向上述步骤e中印刷好锡膏的智能卡芯片载带上点胶，然后取上述步骤c中完成了减薄和划片的Wafer芯片倒封装在智能卡芯片载带的中心位置上，并使Wafer芯片上的焊点位置与智能卡芯片载带上印刷了锡膏的触点位置一一对应；步骤g：使用回流焊设备将上述步骤f中Wafer芯片的焊点与智能卡芯片载带的触点之间的锡膏融化，使焊点与触点之间通过锡球焊接连接，形成线路导通，倒封装模块制作完成。另一种实施例中，上述步骤d中，在制作好的智能卡芯片载带的每个触点外围均设置油墨挡点进行隔离。当在步骤g中对锡膏进行加热时，锡膏受热后容易忘走线外围扩散，会影响锡点焊锡的效果，在触点外围设置油墨可起到阻挡锡受热向外扩散的作用，保证焊锡效果。另一种实施例中，上述步骤f中，在将Wafer芯片倒封装在智能卡芯片载带上之前，先在智能卡芯片载带上标示出防贴偏外围边线。芯片倒封装后，因为正视的情况下，很难发现有位置封装偏移的问题，所以在芯片四周设计防贴偏外围边线，在贴装过程中，能及时发现芯片偏移的情况，保证芯片倒封装后的精准度。另一种实施例中，还包括步骤h：对上述步骤g中制作完成的倒封装模块进行点UV胶，并进行模块测试以上所述实施例仅是为充分说明本专利技术所举的较佳实施例，本专利技术的保护范围不限于此。本
的技术人员在本专利技术的基础上所作的等同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型智能卡双界面倒封装模块的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤a：对原始Wafer芯片进行RDL制作，在原始Wafer芯片表面产生焊点；/n步骤b：对上述步骤a中制作好RDL的Wafer芯片进行化学前处理，使其表面的焊点能够实现与锡焊接导通；/n步骤c：对上述步骤b中进行了化学前处理后的Wafer芯片进行芯片减薄和划片；/n步骤d：按照制作好RDL的Wafer芯片表面的焊点位置制作智能卡芯片载带，制作好的智能卡芯片载带上的触点位置需与Wafer芯片表面的焊点位置一一对应；/n步骤e：通过CCD自动卷对卷印刷机向上述步骤d中制作好的智能卡芯片载带的触点上印刷锡膏；/n步骤f：通过固晶机设备向上述步骤e中印刷好锡膏的智能卡芯片载带上点胶，然后取上述步骤c中完成了减薄和划片的Wafer芯片倒封装在智能卡芯片载带的中心位置上，并使Wafer芯片上的焊点位置与智能卡芯片载带上印刷了锡膏的触点位置一一对应；/n步骤g：使用回流焊设备将上述步骤f中Wafer芯片的焊点与智能卡芯片载带的触点之间的锡膏融化，使焊点与触点之间通过锡球焊接连接，形成线路导通，倒封装模块制作完成。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型智能卡双界面倒封装模块的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤a：对原始Wafer芯片进行RDL制作，在原始Wafer芯片表面产生焊点；
步骤b：对上述步骤a中制作好RDL的Wafer芯片进行化学前处理，使其表面的焊点能够实现与锡焊接导通；
步骤c：对上述步骤b中进行了化学前处理后的Wafer芯片进行芯片减薄和划片；
步骤d：按照制作好RDL的Wafer芯片表面的焊点位置制作智能卡芯片载带，制作好的智能卡芯片载带上的触点位置需与Wafer芯片表面的焊点位置一一对应；
步骤e：通过CCD自动卷对卷印刷机向上述步骤d中制作好的智能卡芯片载带的触点上印刷锡膏；
步骤f：通过固晶机设备向上述步骤e中印刷好锡膏的智能卡芯片载带上点胶，然后取上述步骤c中完成了减薄和划片的Wafer芯片倒封装在智能卡芯片载带的中心位置上，并使Wafe...

【专利技术属性】
技术研发人员：马兴光，
申请(专利权)人：黄石市星光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42