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三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64086项专利
包括物理不可克隆功能单元的安全设备的操作方法技术
公开了一种包括第一物理不可克隆功能(PUF)至第N PUF单元的安全设备的操作方法,该方法包括:将第一电压施加到与第一PUF单元至第N PUF单元连接的第一字线;从第一PUF单元获得第一信息,并且从第二PUF单元至第N PUF单元获得第...
半导体存储器器件及其制造方法技术
一种半导体存储器器件,包括:衬底;多个半导体图案,其在衬底上并且在垂直于衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开;多个层间绝缘图案,其在第一方向上相邻的半导体图案之间;以及数据存储器件,其在多个半导体图案上,其中该多个半导体图案包括至少一个虚...
半导体器件及其制造方法技术
提供了一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件包括:包括第一区域和第二区域并具有第一导电类型的衬底;位于第一区域上、以第一节距间隔开的第一有源图案和第二有源图案;与第一有源图案和第二有源图案相交的第一栅极结构;第一外延图案,其在第一有源...
半导体存储器装置和存储器系统制造方法及图纸
一种半导体存储器装置包括多个存储器单元、多个外围电路和模式控制器。所述多个外围电路执行写入操作和读取操作,所述写入操作用于将从存储器控制器传输的写入数据存储到所述多个存储器单元中,并且所述读取操作用于读出存储在所述多个存储器单元中的数据...
存储装置和存储装置的操作方法制造方法及图纸
提供了一种存储装置和存储装置的操作方法。所述存储装置包括多个非易失性存储器装置;以及存储器控制器,通过第一信号线共同连接到所述多个非易失性存储器装置,并且通过第二信号线共同连接到多个非易失性存储器装置。所述多个非易失性存储器装置中的每个...
电子装置和在电子装置中处理图像的方法制造方法及图纸
公开了一种电子装置和方法。电子装置包括存储器和处理器,其实现该方法,该方法包括:获得图像的图像数据,使用深度信息在图像中设置感兴趣区域和背景区域,二者均包括一个或多个子区域,分别基于第一特性标准和第二特性标准确定一个或多个第一子区域和一...
异构GPU集群上的平衡LLM训练的硬件感知调度和数据编排制造技术
公开了一种调度系统。调度系统可以包括模拟器以处理关于异构计算系统的信息。节点内调度器可以确定各个节点应该使用张量并行方法还是数据并行方法。节点间调度器可以调度节点之间的操作。评估器可以评估异构计算系统的性能。
组合物、通过使用其处理含金属的层的方法和通过使用其制造半导体器件的方法技术
提供组合物、通过使用其处理含金属的层的方法和/或通过使用其制造半导体器件的方法。所述组合物可包括氧化剂、酸和蚀刻控制剂,其中所述蚀刻控制剂可包括至少一种由式1表示的化合物。式1的描述提供在本申请的说明书中。
半导体封装件和包括半导体封装件的半导体模块制造技术
公开了半导体封装件和包括半导体封装件的半导体模块。所述半导体封装件包括:封装基底,具有彼此相对的第一表面和第二表面;半导体芯片和无源器件,安装在第一表面上,并且在与第一表面平行的第一方向上彼此间隔开;以及多个焊料件,在第二表面上,并且在...
包括存储器件和存储器控制器的存储设备以及该存储设备的操作方法技术
提供了一种包括非易失性存储器件和存储器控制器的存储设备以及该存储设备的操作方法。非易失性存储器件包括:多个存储区域,每个存储区域包括一个或多个存储单元;一个或多个温度传感器,被配置为通过在第一时间点和第二时间点之间周期性地测量多个存储区...
用于大规模MIMO的均衡器的方法和装置制造方法及图纸
本公开涉及5G通信系统或6G通信系统,以用于支持超出诸如长期演进(LTE)的4G通信系统的更高数据速率。提供了一种由基站的远程无线电单元(RRU)执行的方法。该方法包括:从至少一个用户设备(UE)接收用于信道估计的多个第一参考信号,并且...
洗衣机和洗衣机控制方法技术
本发明涉及包括振动传感器的洗衣机。通过仅使用振动传感器,可以基于桶在与滚筒的转速对应的基频处的振动的幅度与桶在基频的谐波频率处的振动的幅度之间的差,确定重量平衡器是否损坏,并在重量平衡器的损坏恶化之前采取主动措施。
用于在卫星通信系统中执行移交的方法和装置制造方法及图纸
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。根据本发明的实施例,一种用于无线通信系统中的终端的方法包括以下步骤:从源基站接收指示无随机接入信道(RACH)移交的无线电资源控制(RRC)消息;识别用于物理上行链路共享信道(PU...
用于数据截断的系统和方法技术方案
公开了用于数据截断的系统和方法。一种计算系统可以包括存储介质和处理器。该处理器可以被配置为:识别第一数据结构的第一数据;识别第一数据的第一部分和第一数据的第二部分;将第一数据的第一部分作为第二数据结构存储在存储介质中,并且将第一数据的第...
半导体器件制造技术
一种半导体器件包括:衬底;第一有源图案和第二有源图案,第一有源图案和第二有源图案间隔开,第二有源图案的第二宽度大于第一有源图案的第一宽度;第一多个纳米片,第一多个纳米片在第一有源图案上堆叠并且彼此间隔开;第二多个纳米片,第二多个纳米片在...
集成电路器件制造技术
一种集成电路器件,包括:单元晶体管,在第一竖直水平处;前布线结构,在高于第一竖直水平的第二竖直水平处;以及后布线结构,在低于第一竖直水平的第三竖直水平处。后布线结构包括:器件隔离层,布置在单元晶体管的底表面上;后接触部,布置在穿过器件隔...
在有源图案之间包括气隙的半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置包括:有源图案,其包括第一‑第一有源图案、第二‑第一有源图案和第三‑第一有源图案;背栅电极,其在第一‑第一有源图案和第二‑第一有源图案之间延伸并且在第一方向上延伸;第一字线和第二字线,第一字线和第二字线在第二‑第一有源图案...
存储器设备及其操作方法技术
一种存储器设备包括:逻辑裸片,配置为通过多个通道与主机设备通信;以及多个存储器裸片,堆叠在所述逻辑裸片上并通过硅穿通电极连接到所述逻辑裸片,所述多个存储器裸片中的每个存储器裸片包括对应于所述多个通道中的至少一个通道的存储器单元阵列,其中...
半导体器件制造技术
提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括:位线结构,所述位线结构位于衬底上并且在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸;沟道,所述沟道位于所述位线结构上并且电连接到所述位线结构;前栅电极结构,所述前栅电极结构位于所述沟道在所述第一方向上...
计算电路、包括该计算电路的存储单元及计算方法技术
本发明提供了一种计算电路、包括该计算电路的存储设备以及计算方法。计算电路包括:输入分配器,接收n位输入数据并基于输入数据的数据类型将输入数据划分为多个运算元素,其中n是等于或大于2的自然数;加法器树,执行运算元素之间的乘法运算;以及累加...
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